12SDIP半导体封装结构制造技术

技术编号:11464112 阅读:103 留言:0更新日期:2015-05-15 16:01
本实用新型专利技术公开了一种12SDIP半导体封装结构,包括基体、盖子和管脚,所述管脚为12个,12个所述管脚均分设置在基体的两侧,相邻管脚的中心线的间距为1.55cm,所述盖子设置在基体的底部,且盖子嵌在基体上。因基体结构和8DIP相同,可达到共用注塑、成型、测试等设备,实现降低成本的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装领域,具体地,涉及一种12SDIP半导体封装结构
技术介绍
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die),然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上,再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。现有的半导体封装引脚间距常见的为2.54cm、1.78 cm或2.0 cm,引脚间距较大,存在成本大等问题。
技术实现思路
本技术的目的在于,针对上述问题,提出一种12SDIP半导体封装结构,以实现降低成本的优点。为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种12SDIP半导体封装结构,包括基体、盖子和管脚,所述管脚为12个,12个所述管脚均分设置在基体的两侧,相邻管脚的中心线的间距为1.55cm,所述盖子设置在基体的底部,且盖子嵌在基体上。进一步的,所述基体的长为9.4cm,所述基体的宽为9.1cm。进一步的,所述盖子的中心处设置直径为0.9cm的圆孔。进一步的,所述管脚中边缘管脚的外侧缘与基体没有设置管脚边的边缘的最短间距为0.7cm。进一步的,所述基体的高为2.91cm。进一步的,所述基体的中部与基体顶部的间距为1cm。本技术的技术方案具有以下有益效果:本技术的技术方案,通过缩短引脚的间距,使得原来设置8个管脚的基体上设置12个管脚,从而减少了材料的使用量,达到了降低成本的目的。且和8个管脚的芯片8DIP共用注塑、成型、测试等设备,进一步的减少了成本。【附图说明】图1为本技术实施例所述的12SDIP半导体封装结构的结构示意图;图2为图1所示的12SDIP半导体封装结构的侧视示意图;图3为图1所示的12SDIP半导体封装结构的仰视视示意图;图4为图1所示的12SDIP半导体封装结构的俯视视示意图;结合附图,本技术实施例中附图标记如下:1-基体;2_基体的底部;3_盖子;5_管脚;6_圆孔。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术,并不用于限定本技术。如图1、图2、图3和图4所示,一种12SDIP半导体封装结构,包括基体1、盖子(CAP) 3和管脚5,管脚5为12个,12个管脚5均分设置在基体I的两侧,一侧设置6个管脚。相邻管脚5的中心线的间距为1.55cm,盖子3设置在基体的底部,且盖子3嵌在基体上。其中,基体I的长为9.4cm,基体I的宽为9.4cm。盖子中心处设置直径为0.9cm的圆孔6。基体I的尚为2.91cm,基体中部与基体顶部的间距为1cm。管脚中边缘管脚的外侧缘与基体没有设置管脚边的边缘的最短间距为0.7cm。最后应说明的是:以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种12SDIP半导体封装结构,其特征在于,包括基体、盖子和管脚,所述管脚为12个,12个所述管脚均分设置在基体的两侧,相邻管脚的中心线的间距为1.55cm,所述盖子设置在基体的底部,且盖子嵌在基体上。2.根据权利要求1所述的12SDIP半导体封装结构,其特征在于,所述基体的长为9.4cm,所述基体的宽为9.1cm。3.根据权利要求2所述的12SDIP半导体封装结构,其特征在于,所述盖子的中心处设置直径为0.9cm的圆孔。4.根据权利要求2所述的12SDIP半导体封装结构,其特征在于,所述管脚中边缘管脚的外侧缘与基体没有设置管脚边的边缘的最短间距为0.7cm。5.根据权利要求2所述的12SDIP半导体封装结构,其特征在于,所述基体的高为2.91cm06.根据权利要求4所述的12SDIP半导体封装结构,其特征在于,所述基体的中部与基体顶部的间距为1cm。【专利摘要】本技术公开了一种12SDIP半导体封装结构,包括基体、盖子和管脚,所述管脚为12个,12个所述管脚均分设置在基体的两侧,相邻管脚的中心线的间距为1.55cm,所述盖子设置在基体的底部,且盖子嵌在基体上。因基体结构和8DIP相同,可达到共用注塑、成型、测试等设备,实现降低成本的优点。【IPC分类】H01L23-49, H01L23-04【公开号】CN204332942【申请号】CN201420768290【专利技术人】金雷 【申请人】江苏钜芯集成电路技术有限公司【公开日】2015年5月13日【申请日】2014年12月9日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种12SDIP半导体封装结构,其特征在于,包括基体、盖子和管脚,所述管脚为12个,12个所述管脚均分设置在基体的两侧,相邻管脚的中心线的间距为1.55cm,所述盖子设置在基体的底部,且盖子嵌在基体上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:金雷
申请(专利权)人:江苏钜芯集成电路技术有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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