【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底（1），在N型衬底（1）的一侧连接有漏极金属（10），在N型衬底（1）的另一侧设有N型漂移区（2），在N型漂移区（2）中对称设置一对P型基区（3），在P型基区（3）中设有N型源区（4）和P型体接触区（5），在N型漂移区（2）的表面设有绝缘层（6），在绝缘层（6）的表面设有多晶硅栅（7），在多晶硅栅（7）及N型源区（4）上设有场氧化层（8），在N型源区（4）和P型体接触区（5）连接有源极金属（9），其特征在于，绝缘层（6）采用多阶栅氧化层结构，其中一阶栅氧化层始于一个P型基区（3）内的N型源区的边界上方、延伸并止于另一个P型基区（3）内的N型源区（4）的边界，2阶及2阶以上的栅氧化层位于两个P型基区（3）之间的N型漂移区（2）的上方，各阶栅氧化层的宽度随着阶数的升高逐阶变小且相邻两阶栅氧化层中的高阶氧化层覆盖低阶氧化层的中心位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，王佳丽，顾春德，张艺，张春伟，刘斯扬，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。