【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备晶硅和薄膜太阳能电池的关键设备。按等离子体源与样品的关系可将PECVD技术分为直接和间接技术。多级直流弧放电等离子体PECVD技术是间接PECVD技术一种，这种沉积装置中等离子体源和沉积腔室间的压力相差很大，达到亚大气压，在这种等离子体源中氩气气体的离化率可达10%，NH3分解率可达100%。这样阳极喷嘴喷出的等离子体喷射扩展到沉积腔室时会有大量活性的离子或中性原子存在，而且低压的沉积腔室可以有效的避免不同活性粒子之间的复合。由于实现了样品和等离子体源的分离，可以降低等离子体中离子对薄膜的溅射和损伤，实现高速的沉积率，达到20nm/s (普通的射频等离子体源沉积速率是30nm/min)。目前多级直流弧放电等离子体发生装置存在的问题是:由于冷却板焊接工艺不能保证，容易造成冷却水泄漏现象，造成设备经常停机维护。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板，该冷却板能增大薄膜沉积面积、提高薄膜沉积效率。为达到上述目的，本技术采用的解决方案是:其上设有环形冷却管，所述冷却板由一个钥柱镶嵌于铜板中构成，钥柱的中心区域加工有等离子体通道孔，外圆柱面上加工有环形凹槽，用于放置环形冷却管；等离子体通道孔沿铜板中心通过，环形冷却管上设有一进水口和一出水口。本技术具有如下效果:(I)冷却板可以多个叠加组合使用，形成不同的弧压，因此不仅能增大薄膜沉积面积、提高薄膜沉积效率，而且能有效的减小离子源的空间尺寸，使整个结...
【技术保护点】
一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板，其上设有环形冷却管（3），其特征在于：所述冷却板由一个钼柱镶嵌于铜板中构成，钼柱的中心区域加工有等离子体通道孔（201），外圆柱面上加工有环形凹槽（101），用于放置环形冷却管（3）；等离子体通道孔（201）沿铜板中心通过，环形冷却管（3）上设有一进水口（302）和一出水口（301）。
【技术特征摘要】
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