一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片及固态硬盘制造技术

本发明专利技术提供一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片，包括CPU、MRAM库、主机接口以及NAND接口，CPU、MRAM库、主机接口以及NAND接口通过内部总线连接。本发明专利技术还提供一种固态硬盘。本发明专利技术的集成MRAM的固态硬盘控制芯片及固态硬盘，采用集成在芯片中的MRAM全部或部分取代外部DDR DRAM，比采用DDR DRAM省电，由于集成在芯片中，进一步降低了芯片的耗电；由于MRAM断电后能够保持内容，固态硬盘，不再需要昂贵的断电保护系统，进一步降低了固态硬盘的成本；不使用独立封装的存储芯片，不再需要昂贵的断电保护系统，能够减小固态硬盘的尺寸；将固态硬盘控制软件保存在集成的MRAM中，有利于控制软件的保密。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片，其特征在于，所述集成MRAM的固态硬盘控制芯片包括CPU、MRAM库、主机接口以及NAND接口，所述主机接口用于与主机连接，所述NAND接口用于与存储信息的NAND闪存连接，所述CPU、所述MRAM库、所述主机接口以及NAND接口通过内部总线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31