【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微纳米GaN衬底的方法，其特征是通过光助法即紫外光照射的条件下腐蚀溶剂腐蚀GaN衬底，形成具有非极性/半极性面的微纳米结构的GaN模板；微纳米结构为六棱锥或者六棱柱；腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH、摩尔浓度范围为0.5‑1.5M与K2S2O8的混和物、摩尔浓度范围为0.05‑0. 15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5‑10小时；得到微纳米GaN六棱锥衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：修向前，张士英，华雪梅，谢自力，张荣，陈鹏，韩平，陆海，顾书林，施毅，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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