【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极；在所述半导体衬底上形成层间介质层，且所述层间介质层表面与所述第一伪栅极和所述第二伪栅极顶部齐平；在所述第二伪栅极上形成金属化合物层；以所述金属化合物层为掩模去除所述第一伪栅极形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一金属栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，李凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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