一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组制造技术

技术编号:11443701 阅读:198 留言:0更新日期:2015-05-13 14:52
本实用新型专利技术公开了一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,包括底座,所述的底座上设置有监测探测器,监测探测器上固定有过渡块,过渡块上固定有VCSEL芯片,底座上还设置有斜窗帽,VCSEL芯片的出射光经斜窗帽反射到监测探测器上。本实用新型专利技术使用的底座和斜窗透镜帽工艺简单、成本低廉。TO封装过程中,监控探测器芯片安装精度要求低,封帽工艺简单,工时工效高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及VCSEL激光器领域,具体涉及一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组。适用于TO-CAN封装的VCSEL。
技术介绍
由于VCSEL激光器具有模式好、阈值低、稳定性好、寿命长、调制速率高、集成高、发散角小、耦合效率高、价格便宜等优点,在宽带以太网、高速数据通信网中得到了大量的应用。目前的VCSEL激光器采用TO-CAN的封装方法,部件主要包括:底座,过渡块,监控探测器,VCSEL芯片,斜窗TO帽。其中VCSEL芯片和监控探测器放在同一个过渡块上,斜窗TO帽将监测光反射至监控探测器上,从而实现光功率的监控。由于监控探测器相对于VCSEL芯片的位置固定,所以斜窗TO帽也必须相对于监控探测器的位置固定,因此需要在底座和斜窗TO帽上制作定位槽,来实现底座和斜窗TO帽的相对位置固定,从而增加了物料成本,并使工艺复杂。另外,由于相对位置固定,所以在安装监控探测器时,位置精度要求较高,增加了工艺难度。
技术实现思路
本技术的目的是在于针对现有技术存在的上述问题,提供一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组。安装精度要求低,组装时工时工效高,原材料成本低廉。本技术的上述目的通过以下技术方案实现:一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,包括底座,所述的底座上设置有监测探测器,监测探测器上固定有过渡块,过渡块上固定有VCSEL芯片,底座上还设置有斜窗帽,VCSEL芯片的出射光经斜窗帽反射到监测探测器上。如上所述的过渡块为氮化铝材质。如上所述的斜窗帽的反射面与水平面的夹角范围为10-40度。如上所述的VCSEL芯片位于监测探测器的中部。本技术与现有技术相比,具有以下优点:使用的底座和斜窗透镜帽工艺简单、成本低廉。TO封装过程中,监控探测器芯片安装精度要求低,封帽工艺简单,工时工效高。【附图说明】图1为本技术俯视结构示意图;图2为本技术侧视剖面结构示意图;图中:1-底座;2_过渡块;3_监测探测器;4-VCSEL芯片;5_斜窗帽。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的技术方案作进一步详细描述。实施例1一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组包括底座1,过渡块2,VCSEL芯片4,监控探测器3,斜窗帽5,如图2所示。其中VCSEL芯片4安装在过渡块2上,二者又同时安装在监控探测器3上,斜窗帽5将监测光反射至监控探测器3上,从而实现光功率的监控。该方案采用的监控探测器3光敏面为大光敏面,而VCSEL芯片4可设置于监控探测器3光敏面的中心位置,保证即使VCSEL芯片4的安装位置和斜窗帽5的安装位置稍微有偏移,大光敏面的监控探测器3还是能够接收到斜窗帽5反射的发射光,因此使得VCSEL芯片4、斜窗帽5和大光敏面的监控探测器3没有特殊的相对位置要求。简化了底座I和斜窗帽5的装配难度,降低了原材料成本,同时简化了 TO组装工艺难度。在实际应用中,斜窗帽5的反射面与水平面的夹角范围为10-40度。因此可以根据斜窗帽5的反射面、VCSEL芯片4的安装误差偏移以及斜窗帽5在底座I上的安装误差偏移,选用合适尺寸的监控探测器3光敏面尺寸。本技术适用于各个波长(包括650nm、850nm等)、各个速率(1.25Gbps、2.5Gbps、1Gbps)的 VCSEL TO-CAN。监测探测器3为硅光电探测器。底座I上设置有4个引脚,其中2个引脚与VCSEL芯片4连接,另外2个引脚与监控探测器3连接。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。【主权项】1.一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,包括底座(I ),其特征在于,所述的底座(I)上设置有监测探测器(3 ),监测探测器(3 )上固定有过渡块(2 ),过渡块(2 )上固定有VCSEL芯片(4),底座(I)上还设置有斜窗帽(5),VCSEL芯片(4)的出射光经斜窗帽(5)反射到监测探测器(3)上。2.根据权利要求1所述的一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,其特征在于,所述的过渡块(2)为氮化铝材质。3.根据权利要求1所述的一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,其特征在于,所述的斜窗帽(5)的反射面与水平面的夹角范围为10-40度。4.根据权利要求1所述的一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,其特征在于,所述的VCSEL芯片(4)位于监测探测器(3)的中部。【专利摘要】本技术公开了一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,包括底座,所述的底座上设置有监测探测器,监测探测器上固定有过渡块,过渡块上固定有VCSEL芯片,底座上还设置有斜窗帽,VCSEL芯片的出射光经斜窗帽反射到监测探测器上。本技术使用的底座和斜窗透镜帽工艺简单、成本低廉。TO封装过程中,监控探测器芯片安装精度要求低,封帽工艺简单,工时工效高。【IPC分类】H01S5-022【公开号】CN204333599【申请号】CN201520043346【专利技术人】李宁, 冯伟 【申请人】武汉昱升光器件有限公司【公开日】2015年5月13日【申请日】2015年1月22日本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组,包括底座(1),其特征在于,所述的底座(1)上设置有监测探测器(3),监测探测器(3)上固定有过渡块(2),过渡块(2)上固定有VCSEL芯片(4),底座(1)上还设置有斜窗帽(5),VCSEL芯片(4)的出射光经斜窗帽(5)反射到监测探测器(3)上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李宁冯伟
申请(专利权)人:武汉昱升光器件有限公司
类型:新型
国别省市:湖北;42

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