一种连续式真空离子镀膜机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种连续式真空离子镀膜机，具有箱式真空镀膜室，箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构和基膜收卷纠偏机构，箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶，其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶，相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道，所述多排平面磁控溅射靶的前、后两侧分别设有水冷托板，水冷托板的外侧设有传动辊，传动辊位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置；所述基膜放卷机构装设的基膜绕经传动辊后从镀膜通道通过并由基膜收卷纠偏机构进行纠偏后收卷。本实用新型专利技术实现了基膜的放卷、镀膜及收卷均在同一个箱式真空镀膜室内完成，设备结构简单、体积小，大幅度降低了制成成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种连续式真空离子镀膜机。
技术介绍
传统的真空离子镀膜设备主要由放料室、多个镀膜室、多个过渡室和收料室组成，整套镀膜设备体积庞大，设备长度一般达到18米以上，设备安装时占地空间大，另外上述真空离子镀膜设备在运行时需要多套的扩散泵机组、分子泵机组、机械泵、罗茨泵与之配套进行抽真空作业，不仅耗电量巨大，而且整套设备生产制造成本很高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构简单、占地空间小、设备制造成本低且耗能少的连续式真空离子镀膜机。为解决上述技术问题，本技术一种连续式真空离子镀膜机，具有箱式真空镀膜室，箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构和基膜收卷纠偏机构，箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶，其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶，相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道，所述多排平面磁控溅射靶的前、后两侧分别设有水冷托板，水冷托板的外侧设有传动辊，传动辊位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置；所述基膜放卷机构装设的基膜绕经所述传动辊后从所述的镀膜通道通过并由所述基膜收卷纠偏机构进行纠偏后收卷。采用上述结构的连续式真空离子镀膜机，由于箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶，其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶，相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道，因此基膜由放卷机构放卷后绕经设置在水冷托板外侧的传动辊并穿过多个所述镀膜通道时，会在多个镀膜通道内连续被镀膜通道两侧的平面磁控溅射靶进行磁控溅射镀膜，这样即可以保证基膜表面镀膜的厚度要求，同时也可保证基膜表面镀膜的质量要求。由于本技术的连续式真空离子镀膜机仅有一个箱式真空镀膜室，基膜的放卷、镀膜及纠偏收卷均在同一个箱式真空镀膜室内完成，因此本技术的镀膜机与传统的真空离子镀膜机相比较不仅设备结构简单、体积明显变小，同时与本技术相配套的抽真空设备数量也明显减少，一方面节省了设备安装的占地空间、降低了设备的制造成本，另外在节省抽真空设备采购成本的同时，使本技术在镀膜作业时也节省了大量电能。作为本技术的改进，所述单面溅射平面磁控溅射靶包括平面磁控溅射靶本体和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩，平面磁控溅射靶本体具有靶体，靶体上装有磁靴，在磁靴的一侧均布装有多排第一永久磁体、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩之间依序装有第一靶材隔水板和第一靶材，所述双面溅射平面磁控溅射靶包括所述的平面磁控溅射靶本体和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩，在所述磁靴相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体，多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩之间依序装有第二靶材隔水板和第二靶材。本技术连续式真空离子镀膜机中的双面溅射平面磁控溅射靶是以现有技术中普通的单面溅射平面磁控溅射靶为基础，通过在所述磁靴相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体，多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩之间依序装有第二靶材隔水板和第二靶材，来达到能够实现两侧同时溅射镀膜的目的，本技术中的一个双面溅射平面磁控溅射靶可起到两个普通单面溅射平面磁控溅射靶的作用，可以进一步地降低本技术镀膜机的制造成本，使本技术的镀膜机体积可以做得更小，节省安装时的占地空间。【附图说明】下面结合附图对本技术作进一步地详细说明。图1是本技术一种连续式真空离子镀膜机的俯视结构示意图。图2是本技术一种连续式真空离子镀膜机中的单面溅射平面磁控溅射靶的俯剖视结构示意图。图3是本技术一种连续式真空离子镀膜机中的双面溅射平面磁控溅射靶的俯剖视结构示意图。【具体实施方式】参见图1 一图3，首先参见图1，本技术一种连续式真空离子镀膜机，具有箱式真空镀膜室1，箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构2和基膜收卷纠偏机构3，箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶4，其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶41、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶42，相邻排平面磁控溅射靶4之间形成有镀膜通道5，所述多排平面磁控溅射靶4的前、后两侧分别设有水冷托板6，水冷托板6的外侧设有传动辊7，传动辊7位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置；所述基膜放卷机构2装设的基膜10绕经所述传动辊7后从所述的镀膜通道5通过并由所述基膜收卷纠偏机构3进行纠偏后收卷。参见图2、图3，所述单面溅射平面磁控溅射靶41包括平面磁控溅射靶本体410和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩411，平面磁控溅射靶本体410具有靶体412，靶体上装有磁靴413，在磁靴413的一侧均布装有多排第一永久磁体414、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩411之间依序装有第一祀材隔水板415和第一靶材416，所述双面溅射平面磁控溅射靶42包括所述的平面磁控溅射靶本体410和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩411，在所述磁靴413相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体424，多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩411之间依序装有第二靶材隔水板425和第二靶材426。【主权项】1.一种连续式真空离子镀膜机，其特征在于:具有箱式真空镀膜室(I)，箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构(2)和基膜收卷纠偏机构(3)，箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶(4)，其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶(41)、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶(42)，相邻排平面磁控溅射靶(4)之间形成有镀膜通道(5)，所述多排平面磁控溅射靶(4)的前、后两侧分别设有水冷托板(6)，水冷托板(6)的外侧设有传动辊(7)，传动辊(7)位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置；所述基膜放卷机构(2)装设的基膜绕经所述传动辊(7)后从所述的镀膜通道(5)通过并由所述基膜收卷纠偏机构(3)进行纠偏后收卷。2.如权利要求1所述的连续式真空离子镀膜机，其特征在于:所述单面溅射平面磁控溅射靶(41)包括平面磁控溅射靶本体(410)和装于平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩(411)，平面磁控溅射靶本体(410)具有靶体(412)，靶体上装有磁靴(413)，在磁靴(413)的一侧均布装有多排第一永久磁体(414)、多排第一永久磁体的外侧与所述屏蔽罩(411)之间依序装有第一靶材隔水板(415)和第一靶材(416)，所述双面溅射平面磁控溅射靶(42)包括所述的平面磁控溅射靶本体(410)和装于该平面磁控溅射靶本体外侧的屏蔽罩(411)，在所述磁靴(413)相对的另一侧均布装有多排第二永久磁体(424)，多排第二永久磁体的外侧与所述屏蔽罩(411)之间依序装有第二靶材隔水板(425 )和第二靶材(426 )。【专利摘要】本技术公开了一种连续式真空离子镀膜机，具有箱式真空镀膜室，箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构和基膜收卷纠偏机构，箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶，其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶，相邻排平面磁控溅射靶之间形成有镀膜通道，所述多排平面磁控溅射靶的前、后两侧分别设有水冷托板，水冷托板的外侧设有传动辊，传动辊位于相邻两排平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连续式真空离子镀膜机，其特征在于：具有箱式真空镀膜室（1），箱式真空镀膜室内的左、右两侧分别设有基膜放卷机构（2）和基膜收卷纠偏机构（3），箱式真空镀膜室内由左至右间隔设有多排平面磁控溅射靶（4），其中左、右两排为单面溅射平面磁控溅射靶（41）、左右两排之间的为双面溅射平面磁控溅射靶（42），相邻排平面磁控溅射靶（4）之间形成有镀膜通道（5），所述多排平面磁控溅射靶（4）的前、后两侧分别设有水冷托板（6），水冷托板（6）的外侧设有传动辊（7），传动辊（7）位于相邻两排平面磁控溅射靶之间的位置；所述基膜放卷机构（2）装设的基膜绕经所述传动辊（7）后从所述的镀膜通道（5）通过并由所述基膜收卷纠偏机构（3）进行纠偏后收卷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：关秉羽，
申请(专利权)人：辽宁北宇真空科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21