【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善ESD防护能力的JFET，其特征是，保持源极到漏极的距离c不变，减小源极到栅极的距离a同时增大漏极到栅极的距离b，以提高该JFET的ESD防护能力。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。