发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；和其中所述衬底具有至少一个具有预定倾角的侧表面。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法本申请是申请日为2007年9月20日、申请号为200780033885.3、专利技术名称为“发光二极管及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
实施方案涉及发光二极管及其制造方法。
技术介绍
通过在衬底上形成化合物半导体之后分离多个单元芯片的划片工艺来制造发光二极管(LED)。划片工艺将是将激光辐照到衬底或化合物半导体上。在激光辐照期间，与利用激光辐照的划片区域相邻接的衬底或化合物半导体可受到损伤。由LED的有源层产生的一部分光通过所述划片区域发射至外部。然而，光难以通过衬底或化合物半导体的被激光损伤的部分，这最终降低了LED的光效率。
技术实现思路
技术问题实施方案提供发光二极管(LED)及其制造方法。实施方案提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。技术方案一个实施方案提供一种制造发光二极管(LED)的方法，包括：形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到掩模层的划片区域上以将所述半导体层分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除掩模层；和分离所述多个发光二极管。一个实施方案提供一种制造发光二极管的方法，包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到衬底的划片区域上以将衬底分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除掩模层；和分离所述多个发光二极管。一个实施方案提供一种发光二极管，包括：衬底；在所述衬底上的半导体层；在所述半导体层上的电极，其中所述衬底或半导体层具有至少一个具有预定倾角的蚀刻后的侧表面。本专利技术还涉及以下方案。1.一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括：形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到所述掩模层的划片区域上，以将所述半导体层分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除所述掩模层；和分离所述多个发光二极管。2.根据方案1所述的方法，其中通过湿蚀刻和干蚀刻中的至少一种来实施所述划片区域的蚀刻。3.根据方案2所述的方法，其中所述湿蚀刻使用第一蚀刻物质来实施，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高。4.根据方案3所述的方法，其中所述第一蚀刻物质包括盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和Aluetch(4H3PO4+4CH3COOH+HNO3)中的至少一种，和所述掩模层包括氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)的氧化物基材料。5.根据方案2所述的方法，其中所述干蚀刻使用第一蚀刻物质来实施，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高。6.根据方案5所述的方法，其中所述第一蚀刻物质包括BCl3、Cl2、HBr和Ar中的至少一种，和所述掩模层包括选自由SiO2、TiO2和ITO组成的组中的氧化物基材料或选自由Cr、Ti、Al、Au、Ni和Pt组成的组中的金属材料。7.根据方案1所述的方法，其中所述掩模层通过湿蚀刻来移除，所述湿蚀刻使用第二蚀刻物质来实施，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高。8.根据方案7所述的方法，其中所述第二蚀刻物质包括缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)和氢氟酸(HF)中的至少一种。9.根据方案1所述的方法，其中所述掩模层通过干蚀刻来移除，所述干蚀刻使用第二蚀刻物质来实施，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高。10.根据方案9所述的方法，其中所述第二蚀刻物质包括O2和CF4中的至少一种。11.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到所述衬底的划片区域上，以将所述衬底分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除所述掩模层；和分离所述多个发光二极管。12.根据方案11所述的方法，包括在所述掩模层上形成支撑元件。13.根据方案11所述的方法，其中使用第一蚀刻物质来实施所述划片区域的蚀刻，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高，所述第一蚀刻物质包括盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和Aluetch(4H3PO4+4CH3COOH+HNO3)中的至少一种，和所述掩模层包括氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)的氧化物基材料。14.根据方案11所述的方法，其中使用第一蚀刻物质来实施所述划片区域的蚀刻，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀刻选择性高，所述第一蚀刻物质包括BCl3、Cl2、HBr和Ar中的至少一种，并且所述掩模层包括选自由SiO2、TiO2和ITO组成的组中的氧化物基材料或选自由Cr、Ti、Al、Au、Ni和Pt组成的组中的金属材料。15.根据方案11所述的方法，其中使用第二蚀刻物质来实施所述掩模层的移除，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高，所述第二蚀刻物质包括缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)和氢氟酸(HF)中的至少一种。16.根据方案11所述的方法，其中使用第二蚀刻物质来实施所述掩模层的移除，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高，所述第二蚀刻物质包括O2和CF4中的至少一种。17.根据方案12所述的方法，其中所述支撑元件包括以下物质中的至少一种：胶带、可湿蚀刻或干蚀刻的材料、金属材料和晶片衬底。18.一种发光二极管，包括：衬底；在所述衬底上的半导体层；和在所述半导体层上的电极，其中所述衬底或所述半导体层具有至少一个具有预定倾角的蚀刻后的侧表面。19.根据方案18所述的发光二极管，其中所述半导体层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述电极包括分别在所述半导体层和所述衬底之间的第一电极以及在所述半导体层上的第二电极，所述衬底包括导电衬底。20.根据方案18所述的发光二极管，其中所述半导体层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述电极包括在所述第一半导体层上的第一电极和在所述第二半导体层上的第二电极。在附图和以下的描述中阐述了一个或更多个实施方案的细节。其它特征会通过说明和附图以及通过权利要求而变得显而易见。有益效果实施方案可提供发光二极管(LED)及其制造方法。实施方案可提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。附图说明图1～6是说明根据第一实施方案的发光二极管(LED)及其制造方法的截面图。图7～11是说明根据第二实施方案的LED及其制造方法的截面图。具体实施方式现在将详述发光二极管(LED)及其制造方法，在附图中对其示例进行说明。图1～6是说明根据第一实施方案的LED及其制造方法的截面图。参考图1，在衬底10上形成半导体层20、第一电极31和第二电极41，以形成LED。衬底10可包括例如蓝宝石衬底。半导体层20具有化合物半导体的多堆叠结构，下面将在图6中对其进行更完全的描述。可选择性地蚀刻半导体层20的一部分，并且在半导体层20的蚀刻后的部分上形成第一电极31。因此，即使在相同的半导体层20上形成第一和第二电极31和41，它们也具有彼此不同的高度。为描述方便起见，图1～6的实施方案说明截面图，该截面图说明形成第一、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：生长衬底；在所述生长衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；设置在所述第一半导体层上的第一电极；和设置在所述第二半导体层上的第二电极；其中所述生长衬底具有至少一个随所述生长衬底沿从生长衬底的底表面向生长衬底的顶表面的方向延伸而向外延伸的侧表面，所述至少一个侧表面包括第一部分、连接至所述第一部分的第二部分、以及连接至所述第二部分的第三部分，所述第一部分相对于所述生长衬底的底表面形成第一钝倾角，所述第二部分相对于所述生长衬底的底表面形成第二钝倾角，所述第二钝倾角大于所述第一钝倾角，其中所述第三部分包括相对于所述生长衬底的底表面垂直的侧表面，并且其中所述生长衬底的底表面与所述第一电极和所述第二电极隔离开。

【技术特征摘要】
2006.09.25 KR 10-2006-00927321.一种半导体发光器件，包括：生长衬底；在所述生长衬底上的发光结构，所述发光结构包括：缓冲层、在所述缓冲层上的n型半导体层、在所述n型半导体层上的p型半导体层、以及在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的有源层；设置在所述n型半导体层上的第一电极；和设置在所述p型半导体层的顶表面上的第二电极；其中所述n型半导体层包括GaN层，其中所述有源层包括InGaN/GaN的单量子阱和多量子阱结构中的至少一种，其中所述生长衬底具有至少两个随所述生长衬底沿从生长衬底的底表面向生长衬底的顶表面的方向延伸而向外延伸的侧表面，所述至少两个侧表面包括第一部分、连接至所述第一部分的第二部分、以及连接至所述第二部分的第三部分，所述第一部分相对于所述生长衬底的底表面形成第一钝倾角，所述第二部分相对于所述生长衬底的底表面形成第二钝倾角，所述第二钝倾角大于所述第一钝倾角，其中所述第三部分包括相对于所述生长衬底的底表面垂直的侧表面，其中所述生长衬底的所述底表面为平坦底表面，其中所述第一部分直接连接至所述生长衬底的所述平坦底表面，其中所述第三部分的顶表面的宽度与所述发光结构的底表面的宽度相同，其中所述第一电极和所述第二电极与所述生长衬底的所述底表面隔离开并且具有彼此不同的高度，其中所述发光结构包括沿相同的方向设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR