本实用新型专利技术公开了一种高压发光二极管芯片，属于半导体领域。所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层。在外延层上设置至少一条隔离槽，每条隔离槽包括第一和二隔离槽，第一和二隔离槽均从外延层延伸至基板，第二隔离槽的宽度小于第一隔离槽，第一隔离槽的宽度为20-40μm，第二隔离槽的宽度为5-10μm，第一隔离槽内设有绝缘层，电气连接结构铺设在第一隔离槽内的绝缘层之上，且电气连接结构将相邻的两个子芯片连接。本实用新型专利技术通过第一隔离槽设计较宽，方便绝缘层和电气连接结构铺设，第二隔离槽较窄，占用芯片发光区面积较少，从而使芯片发光区面积最大化，提升芯片光效，高压芯片的子芯片越多，本实用新型专利技术越有效果。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种高压发光二极管芯片。
技术介绍
LED (Light Emitting D1de，发光二极管)是一种能将电能转化为光能的半导体器件。LED光源属于绿色光源，具有节能环保、寿命长、能耗低、安全系数高等优点，因此被广泛应用于照明和背光等领域。近几年由于技术与效率的进步，LED应用越来越广泛。随着LED应用的升级，市场对LED的需求朝向更大功率及更高亮度，即高功率LED方向发展。对于实现高功率LED，目前高压发光二极管(HV LED)的设计成为解决方案之一。现有的高压LED芯片是在芯片上刻蚀用于将芯片分割成多个相互隔离的子芯片的隔离槽。该隔离槽刻蚀至芯片的基板上，且隔离槽中设有绝缘层和电气连接结构，电气连接结构连接各个子芯片的电极，从而实现各个子芯片的串联或并联。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:现有的高压LED芯片的隔离槽要么设计的很宽，要么设计的很窄，在芯片发光区面积一定的前提下，隔离槽很宽会损失较多的发光区面积，隔离槽很窄，绝缘层和电气连接结构的包覆性不好，容易造成漏电。
技术实现思路
为了解决现有技术中的上述问题，本技术实施例提供了一种高压发光二极管芯片。所述技术方案如下:本技术实施例提供了一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层，所述外延层包括依次生长在所述基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明导电层生长在所述第二半导体层上，在所述芯片上设有第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述透明导电层上，在所述外延层上设有至少一条隔离槽，所述隔离槽将所述芯片隔离成多个子芯片，每条所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽与所述第二隔离槽相连接，且所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均从所述第二半导体层延伸至所述基板，所述第二隔离槽的宽度小于所述第一隔离槽的宽度，所述第一隔离槽的宽度为20-40 μ m，所述第二隔离槽的宽度为5-10 μπι，所述第一隔离槽内设有绝缘层和电气连接结构，所述电气连接结构铺设在所述第一隔离槽内的所述绝缘层之上，且所述电气连接结构将相邻的两个所述子芯片连接，所述第二电极设于所述第一隔离槽的所述第一半导体层上。可选地，所述第一隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为40?50度。进一步地，所述第一隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为45度。可选地，所述第二隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为75?85度。进一步地，所述第二隔离槽的侧壁与所述基板的顶面的之间的角度为80度。可选地，所述子芯片至少为2个。进一步地，当所述高压发光二极管芯片的电压为6V时，所述子芯片为2个，当所述高压发光二极管芯片的电压为9V时，所述子芯片为3个。可选地，相邻的两个所述子芯片其中的一个所述子芯片的透明导电层通过所述电气连接结构与另一个所述子芯片的第一半导体层连接。可选地，相邻的两个所述子芯片中的透明导电层通过所述电气连接结构连接，且相邻的两个所述子芯片中的第一半导体层通过所述电气连接结构连接。本技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过在外延层上设置至少一条隔离槽，将芯片隔离成多个子芯片，每条隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，第二隔离槽与第一隔离槽相连，第一隔离槽与第二隔离槽均从外延层延伸至基板，且第二隔离槽的宽度小于第一隔离槽的宽度，第一隔离槽的宽度为20-40 μ m，第二隔离槽的宽度为5-10 μ m，第一隔离槽的宽度比较宽，方便绝缘层和电气连接结构的铺设，工艺较简单，容易实现，第二隔离槽的宽度比较小，占用的芯片发光区面积比较少，可以有效保证芯片发光区面积最大化，从而提升LED芯片的亮度。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例一提供的一种高压发光二极管芯片的结构示意图；图2是本技术实施例一提供的第一隔离槽的形成后的侧视结构示意图；图3是本技术实施例一提供的第一隔离槽和第二隔离槽的形成后的侧视结构示意图；图4是本技术实施例二提供一种高压发光二极管芯片形成隔离槽后的俯视结构示意图。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一本技术实施例提供了一种高压发光二极管芯片，参见图1和图2，该高压发光二极管包括:高压发光二极管芯片包括基板1、外延层2和透明导电层3，外延层2包括依次生长在基板I上的第一半导体层21、发光层22和第二半导体层23，透明导电层3生长在第二半导体层23上，在芯片上还设有第一电极27和第二电极28，第一电极27设于透明导电层3上，外延层2上设有隔离槽24，隔离槽24将芯片隔离成多个子芯片，每条隔离槽24包括第一隔离槽25和第二隔离槽26，第一隔离槽25与第二隔离槽26相连，且第一隔离槽25与第二隔离槽26均从第二半导体层23延伸至基板1，第二隔离槽26的宽度小于第一隔离槽25的宽度，第一隔离槽25的宽度为20-40 μ m，第二隔离槽26的宽度为5-10 μ m，第一隔离槽25内设有电气连接结构29和绝缘层30，电气连接结构29铺设在第一隔离槽25的绝缘层30之上，且电气连接结构29将相邻的两个子芯片连接，第二电极28设于第一隔离槽25的第一半导体层21上。在本实施例中，一个芯片被多个隔离槽24隔离成一排或一列的多个子芯片。当多个子芯片排成一排或一列时，第一电极27和第二电极28可以分别设于排或列的第一个子芯片和最后一个子芯片上。其中，基板I包括但不限于蓝宝石基板。实现时，还可以在透明导电层3上设置一层钝化层或者在透明导电层3之下第二半导体层23之上设置一层电流阻挡层。容易理解地，当相邻的两个子芯片其中的一个子芯片的透明导电层3通过电气连接结构29与另一个子芯片的第一半导体层21连接时，相邻的两个子芯片构成串联；当相邻的两个子芯片中的透明导电层3通过电气连接结构29连接，且相邻的两个子芯片中的第一半导体层21通过电气连接结构29连接时，相邻的两个子芯片构成并联。容易理解地，由于在实际制作中透明导电层3是在各个子芯片上制作完成的，所以透明导电层3也被第一隔离槽25和第二隔离槽26隔离。优选地，第一隔离槽25的宽度为28 μπι。实现时，可以在第一掩膜的掩盖下，对外延层2进行第一次刻蚀，以在外延层2上形成第一隔离槽25，参见图，第一隔离槽25可以包括第一凹槽251和第二凹槽252，第二凹槽252设于第一凹槽251内，第一凹槽251从第二半导体层23延伸至第一半导体层21，第二凹槽252从第一半导体层21延伸至基板1具体地，第一掩膜可以采用AZ系列的光刻胶，进一步地，AZ系列的光刻胶的厚度可以为2-20 μπι，优选为10 μπι。AZ系列的光刻胶抗刻蚀性能比较好。在实际实现时，可以但不限于采用ICP(Inductively Coupled Plasma，感应親合式等离子体)技术进行刻蚀，刻蚀的深度本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层，所述外延层包括依次生长在所述基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明导电层生长在所述第二半导体层上，在所述芯片上设有第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述透明导电层上，其特征在于，在所述外延层上设有至少一条隔离槽，所述隔离槽将所述芯片隔离成多个子芯片，每条所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽与所述第二隔离槽相连接，且所述第一隔离槽和所述第二隔离槽均从所述第二半导体层延伸至所述基板，所述第二隔离槽的宽度小于所述第一隔离槽的宽度，所述第一隔离槽的宽度为20‑40μm，所述第二隔离槽的宽度为5‑10μm，所述第一隔离槽内设有绝缘层和电气连接结构，所述电气连接结构铺设在所述第一隔离槽内的所述绝缘层之上，且所述电气连接结构将相邻的两个所述子芯片连接，所述第二电极设于所述第一隔离槽的所述第一半导体层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢鹏，尹灵峰，程素芬，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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