【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超势垒自偏置整流二极管，其特征在于，包括：垂直双扩散金属氧化物半导体器件和多晶电阻，其中，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极与源极通过所述多晶电阻连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏峰，唐红祥，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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