一种简单可靠的电池过度放电保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种简单可靠的电池过度放电保护电路，其特征在于：包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1-R8、电容EC1及C1和二极管D1；MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT，电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间，MOS管Q1的栅极通过电阻R2连接可控硅U1的阴极、漏极连接输出端Vout及通过电阻R3、R4连接可控硅U1的门极，电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间；电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极，外接电源端Vcc in通过电阻R8、二极管D1连接可控硅U1的门极。本发明专利技术能有效解决电池出现虚压引起电池过度放电问题，具有控制负载的重启、防止电池深度过放、延长电池使用寿命的特点。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术涉及一种简单可靠的电池过度放电保护电路，适用于太阳能储能器的充/放电电池的保护。属于新能源系统中开关电源以及控制器

技术介绍
：在能源枯竭与环境污染问题日益严重的今天，新能源的开发与利用愈来愈受到重视。太阳能以其清洁环保、蕴藏丰富等优点逐步得到了开发利用，各种各样的太阳能系统逐步走进人们的生活，作为重要储能器件的可充/放电电池也得到广泛应用，如铅酸蓄电池，锂电池等。此类电池可通过太阳能进行充电，然后给不同的直流负载供电，也就是使用充/放电控制器对电池进行管理，其中控制器的设计中电池过流放电保护电路是非常重要环节，会直接影响电池使用寿命，目前一般的控制器在电池过放保护电路的设计还存在如下缺点：(1)由于电池存在虚压，会导致电池过度放电的问题。(2)过度放电保护启动后，电路重新工作不及时。(3)过度放电保护电路结构复杂。综合以上所述的问题目前仍未被解决，为此本专利技术提供一种简单可靠的电池过度放电保护电路。
技术实现思路
：本专利技术的目的，是为了解决现有技术的电池过度放电保护电路结构复杂、电路重新工作不及时的问题，提供一种简单可靠的电池过度放电保护电路。本专利技术的目的可以通过采取如下技术方案达到：一种简单可靠的电池过度放电保护电路，其结构特点在于：包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1-R8、电容EC1及C1和二极管D1；MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT及通过电容EC1接地GND，MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout，形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路；可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc in，可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极，形成MOS管Q1重启回路；电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间，可控硅U1的门极通过电阻R3、R4连接MOS管Q1的漏极，电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间，可控硅U1的阳极接地GND；电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极。本专利技术的目的可以通过采取如下技术方案达到：本专利技术的一种实施方式是：MOS管Q1为P型MOS管。本专利技术具有如下突出的有益效果：1、本专利技术通过MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout，形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路；当电池因过度放电而欠压时，MOS管Q1关闭停止给负载供电，只有当Vcc_in有一定电压时，通过可控硅U1控制MOS管即重新开启，从而给负载供电及给电池充电，其控制方法简单，能有效解决电池出现虚压引起电池过度放电问题，具有电路结构、防止电池深度过放和延长电池使用寿命的有益效果。2、本专利技术通过可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc in，可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极，形成MOS管Q1重启回路，当外电源输入端Vcc in输入一定电压值时，即可通过可控硅U1控制MOS管即重新开启，本专利技术利用外部电源重启电路工作，具有电路重启快速、及时的有益效果。3、本专利技术可通过控制Vcc_in的输入，来控制负载的重启，能更好的保护电池，延长电池使用寿命，电力系统整体可靠性高。附图说明：图1为专利技术一个具体实施例的电路原理图。具体实施方式：具体实施例1：参照图1，本实施例包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1-R8、电容EC1及C1和二极管D1；MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT及通过电容EC1接地GND，MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout，形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路；可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc in，可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极，形成MOS管Q1重启回路；电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间，可控硅U1的门极通过电阻R3、R4连接MOS管Q1的漏极，电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间，可控硅U1的阳极接地GND；电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极。本实施例中：主控电路由MOS管Q1、可控硅(集成电路)U1、电阻R1-R8、电容EC1、C1和二极管D1构成。MOS管Q1为常规的P型MOS管，可控硅U1为常规的可控硅芯片。本专利技术的工作原理是：可控硅U1为集成芯片作为控制器使用，集成芯片U1采用MOS管Q1驱动电阻供电，当电池电压端VBAT达到过度放电点时，集成芯片U1不导通，MOS管Q1关断，当电池电压端VBAT过度放电后，外接电源输入端Vcc_in输入一定的电压值时，集成芯片U1才重新工作，MOS管Q1导通，此时外接电源给电池充电。通过电路的控制原理，能够解决电池虚压引起的过度放电问题，通过控制电源输入端电压值，更有效的保护电池，延长电池使用寿命，且电路简单，易实现，可靠性高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种简单可靠的电池过度放电保护电路，其特征在于：包括MOS管Q1、可控硅U1、电阻R1‑R8、电容EC1及C1和二极管D1；MOS管Q1的源极连接电池电压端VBAT及通过电容EC1接地GND，MOS管Q1的漏极连接负载电压输出端Vout，形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路；可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc in，可控硅U1的阴极通过电阻R2连接MOS管Q1的栅极，形成MOS管Q1重启回路；电阻R1跨接在MOS管Q1的源极与栅极之间，可控硅U1的门极通过电阻R3、R4连接MOS管Q1的漏极，电阻R5、R7和电容C1并联后跨接在可控硅U1的门极与阳极之间，可控硅U1的阳极接地GND；电池电压端VBAT通过电阻R6连接可控硅U1的门极。

【技术特征摘要】
1.一种简单可靠的电池过度放电保护电路，其特征在于：包括MOS管Q1、
可控硅U1、电阻R1-R8、电容EC1及C1和二极管D1；MOS管Q1的源极连接电
池电压端VBAT及通过电容EC1接地GND，MOS管Q1的漏极连接负载电压输出
端Vout，形成MOS管Q1控制电池电压端VBAT到负载电压输出端Vout放电回路；
可控硅U1的门极反向通过二极管D1、电阻R8连接外电源输入端Vcc in，可控硅
U1的阴极通过电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪军，张艳平，幸兴，
申请(专利权)人：广东瑞德智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44