【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种含天然倍半萜内酯共聚物成膜树脂以及利用这种成膜树脂配制而成的用于以KrF激光(248nm)为曝光光源的深紫外(DUV)正性化学增幅型光刻胶组合物。
技术介绍
光刻胶是大规模集成电路工业中进行光刻过程的关键功能材料。上世纪80年代开始发展起来的以聚羟基苯乙烯(PHS)为主要成分的成膜树脂及其光刻胶被广泛应用于制造大规模集成电路中,以KrF激光(248nm)为曝光光源的深紫外(DUV)波段曝光的光刻工艺,其分辨率可达0.25~018微米范围。目前,由于曝光设备进步,工艺革新及光刻胶的不断改进,分辨率不断提高,已可达到0.13微米。但光刻胶仍在随光刻技术的不断发展而在不断的改进和发展中。目前在实际工艺中存在以下技术问题:(1)光刻胶与基材硅片的粘附性弱;(2)光刻胶的耐热性和耐刻蚀性能差;另一方面,众所周知,我国天然产物资源丰富,松节油、松香、按叶醇、萜和倍半萜及其内酯等来源广泛,产量巨大。如松树,柏树,桉树等树木和许多草本植物中都含有不菲的松节油、松香、倍半萜及其内酯等化合物。如何结合国情,将来自天然产物的化合物,应用到集成电路工业中光刻胶领域,并能克服上述技术问题同时,解决现有光刻胶对曝光机镜头不良影响,成为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术第一个目的是提供一种含倍半萜内酯成膜树脂,该含倍半萜内酯成膜树脂其目的是要有效改进和提高现有的以聚羟基苯乙烯(PHS)为基础的成膜剂及光刻胶与基材硅片的粘附性,进一步提高光刻胶的耐热性改进耐刻蚀性能, 改进光刻工艺, 以获得更好的图形,且避 ...
【技术保护点】
一种含倍半萜内酯成膜树脂共聚物,其特征在于:所述成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在条件下,溶剂中进行共聚反应制备而成,其特征在于:所述成膜树脂的分子量为4,000~1,000,000,分子量分布为1.4~2.4;所述共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物:含天然产物倍半萜内酯的组成单元 10%~60%;取代苯乙烯 5%~40%;含酸敏基团单体 5%~40%;其它性能调节组分单体 1% ~ 20%;所述含天然产物倍半萜内酯的组成单元是指符合化学通式()的至少一种倍半萜内酯醇的(甲基)丙烯酸酯类化合物;(II);化学通式()中R基为常见的倍半萜内酯醇如表1所示:表1所述取代苯乙烯是符合化学通式()的至少一种化合物:();式中,R1是H、乙酰基或者丙酰基;m=1或2;所述含酸敏基团单体是符合化学通式()中的至少一种化合物:();。
【技术特征摘要】
1.一种含倍半萜内酯成膜树脂共聚物,其特征在于:所述成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在条件下,溶剂中进行共聚反应制备而成,其特征在于:
所述成膜树脂的分子量为4,000~1,000,000,分子量分布为1.4~2.4;
所述共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物:
含天然产物倍半萜内酯的组成单元 10%~60%;
取代苯乙烯 5%~40%;
含酸敏基团单体 5%~40%;
其它性能调节组分单体 1% ~ 20%;
所述含天然产物倍半萜内酯的组成单元是指符合化学通式( )的至少一种倍半萜内酯醇的(甲基)丙烯酸酯类化合物;
(II);
化学通式()中R基为常见的倍半萜内酯醇如表1所示:
表1
所述取代苯乙烯是符合化学通式()的至少一种化合物:
();
式中,R1是H、乙酰基或者丙酰基;m=1或2;
所述含酸敏基团单体是符合化学通式()中的至少一种化合物:
();
。
2.根据权利要求1所述的含倍半萜内酯成膜树脂,其特征在于: 所述共聚单体中还包含质量百分含量为1%~40%的符合化学通式()中的至少一种化合物;
();
式中:Rw是H、碳原子数为1~20的烷基或者碳原子数为1~20的烷氧基;
Rz是H、碳原子数为1~20的烷基、碳原子数为1~20的烷氧基。
3.根据权利要求2所述的含倍半萜内酯成膜树脂,其特征在于:所述符合化学通式()的苯乙烯类单体为苯乙烯、对叔丁基苯乙烯、对叔戊基苯乙烯、对乙氧基苯乙烯、3,5-二甲氧基苯乙烯、3,5-二乙氧基苯乙烯、对苯氧基苯乙烯或者对2-羟乙氧基苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的含倍半萜内酯成膜树脂,其特征在于:所述引发剂为偶氮引发剂、过氧化物的自由基引发剂;所述偶氮引发剂为偶氮二异丁晴、偶...
【专利技术属性】
技术研发人员:冉瑞成,沈吉,庄学军,贺宝元,
申请(专利权)人:昆山西迪光电材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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