存储器件制造技术

本发明专利技术公开了利用刷新操作编程和擦除存储单元的方法和系统。系统包括选择模块、处理模块和刷新模块。在方法中，首先，从存储器件中的多个存储单元中选择目标存储单元。之后，通过将选择电压施加至属于矩阵的线的目标存储单元和位置相关的存储单元，编程或擦除属于矩阵的线的目标存储单元。然后，实施刷新操作以刷新位置相关的存储单元。本发明专利技术包括存储器件。

【技术实现步骤摘要】
存储器件
本专利技术涉及存储器件。
技术介绍
根据用户的需求对存储器件中的存储单元编程或擦除。当编程或擦除存储单元时，对存储单元的位线和字线施加高压以使存储单元能够存储逻辑数据“0”或“1”。当读取存储单元时，检测存储单元的输出电流或阈值电压以获取存储在存储单元中的逻辑数据。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括：从存储器件中的矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；通过将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和第一位置相关的单元，编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元；以及实施第一刷新操作以刷新所述第一位置相关的存储单元。在上述方法中，其中，所述第一刷新操作包括：读取存储在所述第一位置相关的存储单元中的数据；以及将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。在上述方法中，其中，所述第一刷新操作包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。在上述方法中，其中，所述第一刷新操作还包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。在上述方法中，其中，所述第一刷新操作还包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。在上述方法中，其中，所述第一刷新操作还包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。在上述方法中，还包括：通过实施多个子刷新操作来实施第二刷新操作以刷新保留在所述矩阵的线中的除所述目标存储单元和所述第一位置相关的存储单元之外的所有第二位置相关的存储单元，所述多个子刷新操作的每个包括：读取存储在所述第二位置相关的存储单元的一个中的数据；以及将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。在上述方法中，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种系统，包括：选择模块，配置为从存储器件中的布置成矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；处理模块，配置为编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元，用于编程或擦除所述目标存储单元的操作包括将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和位置相关的存储单元；以及刷新模块，配置成对所述位置相关的存储单元实施第一刷新操作，所述第一刷新操作包括：读取存储在所述位置相关的存储单元中的数据；和将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施：确定所述位置相关的存储单元的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施：确定所述位置相关的存储单元的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施：确定所述位置相关的存储单元的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。在上述系统中，其中，所述刷新模块还配置为实施：确定所述位置相关的存储单元的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述位置相关的存储单元。在上述系统中，其中，所述多个存储单元位于多条位线和多条字线的相应交叉点处。在上述系统中，其中，通过所述存储器件的所述多条字线的一条电连接所述线中的所述多个存储单元。在上述系统中，其中，通过所述存储器件的所述多条位线的一条电连接所述线中的所述多个存储单元。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种包括非暂时性计算机可读介质的计算机程序产品，所述介质具有存储在所述介质上的指令，当通过处理器执行所述指令时，所述指令使所述处理器执行以下操作：从存储器件中的矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；通过将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和第一位置相关的存储单元，编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元；以及实施第一刷新操作以刷新所述第一位置相关的存储单元。附图说明通过参考附图阅读各个实施例的以下详细描述，可以更完全地理解本专利技术，附图如下：图1是根据本专利技术的一些实施例的示出非易失性存储器件的存储单元阵列的配置的电路图；图2是示出利用刷新操作编程和擦除图1中所示的存储单元阵列的存储单元的步骤的流程图；图3A至图3C是示出与图1中所示的存储单元阵列的整个存储单元上的单元电流值相对应的位计数分布曲线的示意图；以及图4是根据本专利技术的一些实施例的示出利用刷新操作编程和擦除存储单元的系统的示意图。具体实施方式在以下说明书中，呈现了具体细节以提供对本专利技术的实施例的更深入的理解。然而，本领域普通技术人员将会意识到，在没有一个或多个具体细节，或与其他部件组合的情况下，可以实践本专利技术。没有详细地示出或描述众所周知的实施方式或操作以避免模糊本专利技术的多个实施例的各个方面。说明书中使用的术语在现有技术和使用每个术语的具体上下文中具有它们普通的含义。该说明书中使用的实例(包括本文中论述的任何术语的实例)仅仅是说明性的，并且不在于限制本专利技术或任何示例性术语的范围和意义。同样地，本专利技术不限于该说明书中给定的各个实施例。将理解，尽管在本文中可以使用“第一”、“第二”等术语以描述各个元件，但是这些元件不应当限制于这些术语。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不背离实施例的范围的情况下，第一元件可以称为第二元件，并且类似地，第二元件可以称为第一元件。如本文中所使用的，术语本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：从存储器件中的矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；通过将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和第一位置相关的单元，编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元；以及实施第一刷新操作以刷新所述第一位置相关的存储单元。

【技术特征摘要】
2013.10.30 US 14/067,9071.一种存储方法，包括：从存储器件中的矩阵的多个存储单元中选择目标存储单元；通过将选择电压施加至属于所述矩阵的线的所述目标存储单元和第一位置相关的单元，编程或擦除属于所述矩阵的线的所述目标存储单元；以及实施第一刷新操作以刷新所述第一位置相关的存储单元；通过实施多个子刷新操作来实施第二刷新操作以刷新保留在所述矩阵的线中的除所述目标存储单元和所述第一位置相关的存储单元之外的所有第二位置相关的存储单元，所述多个子刷新操作的每个包括：读取存储在所述第二位置相关的存储单元的一个中的数据；以及将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一刷新操作包括：读取存储在所述第一位置相关的存储单元中的数据；以及将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一刷新操作包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一刷新操作还包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一刷新操作还包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一刷新操作还包括：确定所述第一位置相关的存储单元的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第一位置相关的存储单元。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电压电平是否低于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平高于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电流电平是否低于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平高于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电压电平是否高于预定的验证电压电平；以及当所述电压电平低于或等于所述预定的验证电压电平时，将所述数据重新写入至所述第二位置相关的存储单元的一个。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个子刷新操作的每个还包括：确定所述第二位置相关的存储单元的一个的电流电平是否高于预定的验证电流电平；以及当所述电流电平低于或等于所述预定的验证电流电平时，将所述数...

【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，郭政雄，李谷桓，刘建瑛，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71