【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种栅极驱动电路，包括：偏置单元，接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号，包括第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N‑MOSFET和第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P‑MOSFET，其中，第一N‑MOSFET在输入信号具有预设高电平时被导通，第一P‑MOSFET在输入信号具有预设低电平时被导通，并且偏置单元通过第一N‑MOSFET和第一P‑MOSFET的导通来供应偏置功率；放大单元，包括第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET，其中，第二N‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设高电平时导通的第一N‑MOSFET供应的偏置功率而被导通，第二P‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设低电平时导通的第一P‑MOSFET供应的偏置功率而被导通，并且放大单元根据第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET的导通来提供栅极信号。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：车霜贤，朴得熙，李演重，崔仲镐，柳济贤，刘弦宣，李昌锡，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，首尔市立大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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