垂直堆叠的功率FET和具有低导通电阻的同步降压转换器制造技术

功率场效应晶体管即功率FET(100)包含引线框，所述引线框包括焊盘(110)、第一引线(111)和第二引线(112)；第一金属夹片(150)，其包括板(150a)、延展部(150b)和脊(150c)，所述板和延展部与引线框焊盘和连接至所述焊盘的脊间隔开；所述板和所述焊盘之间的空间中的垂直组装的FET芯片堆叠体，所述堆叠体包括第一n沟道FET芯片(120)和第二n沟道FET芯片(130)，所述第一n沟道FET芯片(120)在一个表面上具有漏极端子并在相对表面上具有源极端子和栅极端子，所述漏极端子附接至所述焊盘，所述源极端子附接至被连结至第一引线的第二夹片(140)，所述第二n沟道FET芯片(130)在一个表面上具有源极端子并在相对表面上具有漏极端子和栅极端子，所述源极端子附接至所述第二芯片，其漏极端子附接至第一芯片；其中FET堆叠体的漏极-源极导通电阻小于第一FET芯片和第二FET芯片的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种功率场效应晶体管，即功率FET，其包含：引线框，其包括焊盘、第一引线和第二引线；第一金属夹片，其包括板、延展部和脊，所述板和所述延展部与引线框焊盘和连接至所述焊盘的所述脊间隔开；垂直组装的FET芯片堆叠体，其处于所述板和所述焊盘之间的空间中，所述堆叠体包括：第一n沟道FET芯片，其具有在一个表面上的漏极端子和在相对表面上的源极端子和栅极端子，所述漏极端子附接至所述焊盘，所述源极端子附接至被连结至所述第一引线的第二夹片，而所述栅极端子连接至所述第二引线，所述第一夹片具有第一漏极‑源极导通电阻；和第二n沟道FET芯片，其具有在一个表面上的源极端子和在相对表面上的漏极端子和栅极端子，所述源极端子附接至所述第二夹片，所述漏极端子附接至所述第一夹片，而所述栅极端子连接至所述第二引线，所述第二夹片具有第二漏极‑源极导通电阻；其中所述堆叠的FET的漏极‑源极导通电阻小于所述第一FET芯片的导通电阻和所述第二FET芯片的导通电阻。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·J·洛佩斯，J·A·诺克尔，J·A·赫尔布斯摩，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US