具有气体浓度衰减器的晶片入口端口制造技术

本发明专利技术涉及具有气体浓度衰减器的晶片入口端口，本发明专利技术中的实施例涉及用于将衬底插入到处理室中的方法和装置。虽然针对在最小限度地引入氧气的情况下将半导体衬底以插入到退火室中描述了许多公开的实施例，但是实现不受限于此。所公开的实施例在许多不同的情形中有用，其中将相对较平的物体插入通过通道进入处理容积，其中在处理容量内的特定气体浓度维持较低时理想的。所公开的实施例使用多个腔，以当衬底移入退火室的处理容积内时，使氧气浓度连续地衰减。在一些情况下，使用从退火室产生的相对较高的气流。此外，可以使用相对较低的传送速度来将衬底传输到退火室内或外。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种处理室，包括：入口缝隙，其用于将薄衬底从外部环境传输到所述处理室的内部和/或从所述处理室的内部传输到所述外部环境，其中所述入口缝隙包括在所述衬底经过的平面上方的上部和在所述衬底经过的所述平面的下方的下部；以及与所述入口缝隙流体连通的多个腔，其中沿所述入口缝隙的所述上部和下部中的至少一个设置了至少三个腔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·艾伦·霍金斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US