芯片与静电放电保护组件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种芯片与静电放电保护组件及其制造方法，静电放电保护组件包括N型阱、P型掺杂区、第一N型掺杂区、多个N型子掺杂区、第一N+型掺杂区、第一P+型掺杂区、第二N+型掺杂区与第二P+型掺杂区。P型掺杂区配置于N型阱中。第一N型掺杂区配置于P型掺杂区中。多个N型子掺杂区并列配置于P型掺杂区中。第一N+型掺杂区配置于第一N型掺杂区中。第一P+型掺杂区配置于第一N型掺杂区中。第二N+型掺杂区配置于P型掺杂区中。第二P+型掺杂区配置于P型掺杂区中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种静电放电保护组件，其特征在于，该静电放电保护组件包括：一N型阱；一P型掺杂区，配置于该N型阱中；一第一N型掺杂区，配置于该P型掺杂区中；多个N型子掺杂区，并列配置于该P型掺杂区中，所述多个N型子掺杂区与该第一N型掺杂区不接触，并且所述多个N型子掺杂区电性连接一第一电源轨线；一第一N+型掺杂区，配置于该第一N型掺杂区中；一第一P+型掺杂区，配置于该第一N型掺杂区中，其中该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区用以电性连接一焊垫；一第二N+型掺杂区，配置于该P型掺杂区中；以及一第二P+型掺杂区，配置于该P型掺杂区中，其中该第二P+型掺杂区与该第二N+型掺杂区电性连接一第二电源轨线，其中所述多个N型子掺杂区配置在该第一N型掺杂区与该第二N+型掺杂区之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲宏，
申请(专利权)人：创杰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71