半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体发光元件及其制造方法，其中半导体发光元件包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；透明介电图案，位于所述发光半导体结构的至少一部分的上方；以及电极图案，位于所述透明介电图案上方，其中所述透明介电图案以及所述发光半导体结构之间具有至少一个空穴，且所述空穴与所述电极图案相对。本发明专利技术中，光束被电极图案吸收的机率可以降低，从而半导体发光元件的外部取光效率明显提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件及其制造方法
本专利技术涉及发光元件及其制造方法领域，尤其涉及一种半导体发光元件及其制造方法。
技术介绍
半导体发光元件的发光原理是利用半导体特有的性质，不同于一般日光灯或白炽灯发热的发光原理，因此半导体发光元件具有寿命长、耗电量低等优点。此外，半导体发光元件可不含水银等有害物质，而更具有环保的优势。半导体发光元件包括发光半导体结构以及配置于发光半导体结构上的电极图案。一般而言，电极图案为遮光的金属电极。然而，当发光半导体结构发出的光束向外界传递时，部分光束会被金属电极吸收，而影响发光半导体结构的外部取光效率。因此，如何减少光束被金属电极吸收的机率，以提升发光半导体结构的外部取光效率，实为重要的课题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体发光元件，其外部取光效率高。本专利技术的另一目的在于提供一种半导体发光元件，其外部取光效率也高。本专利技术的又一目的在于提供一种半导体发光元件的制作方法，其制作出的半导体发光元件的外部取光效率高。为了实现上述目的，本专利技术的一种半导体发光元件，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；透明介电图案，位于所述发光半导体结构的至少一部分的上方；以及电极图案，位于所述透明介电图案上方，其中所述透明介电图案以及所述发光半导体结构之间具有至少一个空穴，且所述空穴与所述电极图案相对，所述空穴具有开口，而所述开口的开口方向与垂直于所述发光层的方向交错。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述空穴的边墙包括所述透明介电图案所形成的顶盖部与侧壁部，且所述侧壁部位于所述顶盖部与所述发光半导体结构之间并暴露部分的所述顶盖部。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述空穴的横向剖面宽度不小于所述电极图案对应的横向剖面宽度。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述空穴为二个以上，并至少一部分为等距间隔排列或非等距排列。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述半导体发光元件还包括：透明导电层，设置于所述透明介电图案与所述电极图案之间，其中所述透明导电层覆盖所述透明介电图案、所述空穴以及至少部分的所述发光半导体结构。为了实现上述目的，本专利技术的一种半导体发光元件，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；第一透明介电图案，配置于所述第一半导体层上方；第二透明介电图案，配置于所述第二半导体层上方；第一电极，配置于所述第一透明介电图案上方；以及第二电极，配置于所述第二透明介电图案上方且与所述第一电极分离，其中所述第一透明介电图案与所述第二透明介电图案至少其中之一与所述发光半导体结构间具有至少一个空穴，且所述至少一个空穴与所述第一电极、所述第二电极至少其中之一相对，所述至少一个空穴为至少一个第一空穴，所述第一透明介电图案与所述第一半导体层间具有所述至少一个第一空穴，且所述至少一个第一空穴的开口方向与所述第一电极的延伸方向垂直。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述半导体发光元件还包括：透明导电层，设置于所述第一透明介电图案与所述第一电极之间，且覆盖所述第一透明介电图案以及至少部分的所述第一半导体层。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述至少一个空穴为多个空穴，这些空穴还包括至少一个第二空穴，所述第二透明介电图案与所述第二半导体层间具有所述至少一个第二空穴。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述至少一个空穴还包括至少一个第二空穴，所述第二透明介电图案与所述第二半导体层间具有所述至少一个第二空穴，且所述至少一个第二空穴的开口方向与所述第二电极的延伸方向平行。为了实现上述目的，本专利技术的一种半导体发光元件，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；第一透明介电图案，配置于所述第一半导体层上方；第二透明介电图案，配置于所述第二半导体层上方；第一电极，配置于所述第一透明介电图案上方；以及第二电极，配置于所述第二透明介电图案上方且与所述第一电极分离，其中所述第一透明介电图案与所述第二透明介电图案至少其中之一与所述发光半导体结构间具有至少一个空穴，且所述至少一个空穴与所述第一电极、所述第二电极至少其中之一相对，所述至少一个空穴为至少一个第二空穴，所述第二透明介电图案与所述第二半导体层间具有所述至少一个第二空穴，且所述至少一个第二空穴的开口方向与所述第二电极的延伸方向平行。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述半导体发光元件还包括：透明导电层，设置于所述第一透明介电图案与所述第一电极之间，且覆盖所述第一透明介电图案以及至少部分的所述第一半导体层。作为本专利技术上述半导体发光元件的进一步改进，所述至少一个空穴为多个空穴，这些空穴还包括至少一个第一空穴，所述第一透明介电图案与所述第一半导体层间具有所述至少一个第一空穴。为了实现上述目的，本专利技术的一种半导体发光元件的制造方法，包括：提供发光半导体结构；形成定义图案于发光半导体结构的至少一部分的上方；形成透明介电图案于定义图案上方且暴露定义图案的至少一个侧壁；令蚀刻液与所述定义图案的所述至少一个侧壁接触而于所述透明介电图案与所述发光半导体结构之间形成空穴；以及形成电极图案于所述透明介电图案上方。作为本专利技术上述半导体发光元件制造方法的进一步改进，所述蚀刻液能蚀刻所述定义图案而不能蚀刻所述透明介电图案。与现有技术相比，本专利技术一实施例的半导体发光元件利用透明介电图案与发光半导体结构间的空穴，可使发光半导体结构发出的光束在空穴边界处发生反射及折射至少其中之一，而使光束偏离电极图案。如此一来，光束被电极图案吸收的机率便可降低，从而半导体发光元件的外部取光效率可明显提升。附图说明图1A至图1F为本专利技术一实施例的半导体发光元件制造方法的示意图。图2为本专利技术一实施例的半导体发光元件的俯视图。图3为本专利技术另一实施例的半导体发光元件的剖面示意图。图4为本专利技术又一实施例的半导体发光元件的剖面示意图。图5为本专利技术再一实施例的半导体发光元件的剖面示意图。图6为本专利技术一实施例的半导体发光元件的剖面示意图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。为减少光束被金属电极吸收的机率，技术方案之一是通过金属电极的设置方式来提升，包括将金属电极设置于半导体发光元件出光面的边缘，或改用不同金属电极图案让发光元件的主要出光不会被金属电极遮蔽；但因驱动电流是以最短路径方式在金属电极与发光半导体结构间流动，因此主要发光位置会位于邻近于金属电极正下方，导致金属电极的设置仍是影响半导体发光元件出光效率的主要因素之一；为克服这个缺陷，新的技术发展主要朝两个方向进行，一是改变驱动电流路径，另一则是缩小金属电极与发光半导体结构间的接触面积。改变驱动电流路径的技术方法是在前述技术基础上，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；透明介电图案，位于所述发光半导体结构的至少一部分的上方；以及电极图案，位于所述透明介电图案上方，其中所述透明介电图案以及所述发光半导体结构之间具有至少一个空穴，且所述空穴与所述电极图案相对。

【技术特征摘要】
2013.10.22 TW 1021381481.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；透明介电图案，位于所述发光半导体结构的至少一部分的上方；以及电极图案，位于所述透明介电图案上方，其中所述透明介电图案以及所述发光半导体结构之间具有至少一个空穴，且所述空穴与所述电极图案相对，所述空穴具有开口，而所述开口的开口方向与垂直于所述发光层的方向交错。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述空穴的边墙包括所述透明介电图案所形成的顶盖部与侧壁部，且所述侧壁部位于所述顶盖部与所述发光半导体结构之间并暴露部分的所述顶盖部。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述空穴的横向剖面宽度不小于所述电极图案对应的横向剖面宽度。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述空穴为二个以上，并至少一部分为等距间隔排列或非等距排列。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述半导体发光元件还包括：透明导电层，设置于所述透明介电图案与所述电极图案之间，其中所述透明导电层覆盖所述透明介电图案、所述空穴以及至少部分的所述发光半导体结构。6.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：发光半导体结构，所述发光半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，相对于所述第一半导体层；以及发光层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；第一透明介电图案，配置于所述第一半导体层上方；第二透明介电图案，配置于所述第二半导体层上方；第一电极，配置于所述第一透明介电图案上方；以及第二电极，配置于所述第二透明介电图案上方且与所述第一电极分离，其中所述第一透明介电图案与所述第二透明介电图案至少其中之一与所述发光半导体结构间具有至少一个空穴，且所述至少一个空穴与所述第一电极、所述第二电极至少其中之一相对，所述至少一个空穴为至少一个第一空穴，所述第一透明介电图案与所述第一半导体层间具有所述至少一个第一空穴，且所述至少一个第一空穴的开口方向与所述第一电极的延伸方向垂直。7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其特征在于，所述半导体发光元件还包括：透明导电层，设置于所述第一透明介电图案与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾嘉裕，刘宇轩，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71