【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有超高元胞密度的深沟槽功率MOS器件，在所述功率MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区以及终端保护区，所述元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护区环绕包围所述元胞区；在所述功率MOS器件的截面上，半导体基板包括位于上部的第一导电类型外延层以及位于下部的第一导电类型漏极区，所述第一导电类型漏极区与第一导电类型外延层邻接；在元胞区内，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型阱层，元胞区内包括若干并联设置的元胞，元胞区内的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽位于第二导电类型阱层，深度伸入第二导电类型阱层下方的第一导电类型外延层内，相邻元胞沟槽的侧壁上方设有第一导电类型源极区，所述第一导电类型源极区位于第二导电类型阱层内的上部且与元胞沟槽的侧壁相接触；其特征是：在所述功率MOS器件的截面上，元胞沟槽的内壁以及底部生长有栅氧化层，在所述生长有栅氧化层的元胞沟槽内淀积有导电多晶硅；在元胞沟槽的槽口设置热氧化层，所述热氧化层覆盖元胞沟槽侧壁的栅氧化层以及元胞沟槽槽口下方的导电多晶硅，在热氧化层上沉积有绝缘介质层，所述绝缘介质层以及热氧化层仅且分布于元胞沟槽的槽口；在所述功率MOS器件的截...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，冷德武，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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