一种芯片黏着检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种芯片黏着检测装置，设于芯片制造设备，包括：至少一测厚传感器，用于测量经过芯片黏着工序后的芯片的厚度并对应产生厚度电信号；比较器，连接所述测厚传感器的输出端，用于将所述厚度电信号值同预设阈值比较，当大于所述阈值时，输出第一触发电信号；控制器，连接所述比较器的输出端，用于在接收到所述第一触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态；本实用新型专利技术采用非接触式的测厚传感器，能够及时发现双芯片的产生，从而预防了批量事故，提高了合格率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种芯片黏着检测装置。
技术介绍
在半导体制造过程中，由于员工受训程度不同以及疏忽会在D/A (Die Attach，芯片黏着)工程将已经操作完的产品再次进行D/A。传统的设备使用压敏传感器进行压力测试，其压力在3-4N之间，大于4N报警识别，由于BOC ( board on chip)产品厚度在250微米胶水厚度30微米，适合用压敏传感器，但目前有的POP (package on package)芯片产品其厚度在110微米，胶厚度在20微米，压敏传感器很难识别造成误报警或不报警，产生批量事故发生导致合格率下降。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种芯片黏着检测装置，解决上述现有技术中压敏传感器识别不准的问题。为实现上述目标及其他相关目标，本技术提供一种芯片黏着检测装置，设于芯片制造设备，包括:至少一测厚传感器，用于测量经过芯片黏着工序后的芯片的厚度并对应产生厚度电信号；比较器，连接所述测厚传感器的输出端，用于将所述厚度电信号值同预设阈值比较，当大于所述阈值时，输出第一触发电信号；控制器，连接所述比较器的输出端，用于在接收到所述第一触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态。可选的，所述测厚传感器为至少两个，分别用于测量所述芯片上不同点的厚度，所述比较器还用于比较各所述测厚传感器所输出的厚度电信号的值，在不一致时输出第二触发电信号；所述控制器，还用于在接收到所述第二触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态。可选的，所述测厚传感器是LVDT位移传感器。可选的，所述比较器包括连接所述测厚传感器输出端的积分电路。可选的，所述芯片制造设备的工作状态包括:关闭设备电源。如上所述，本技术提供一种芯片黏着检测装置，设于芯片制造设备，包括:至少一测厚传感器，用于测量经过芯片黏着工序后的芯片的厚度并对应产生厚度电信号；比较器，连接所述测厚传感器的输出端，用于将所述厚度电信号值同预设阈值比较，当大于所述阈值时，输出第一触发电信号；控制器，连接所述比较器的输出端，用于在接收到所述第一触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态；本技术采用非接触式的测厚传感器，能够及时发现双芯片的产生，从而预防了批量事故，提高了合格率。【附图说明】图1显示为本技术的芯片黏着检测装置的一实施例的结构示意图。元件标号说明:1-芯片黏着检测装置；11-测厚传感器；12-比较器；121-积分电路；13-控制器。【具体实施方式】以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。如图1所示，本技术提供一种芯片黏着检测装置1，设于芯片制造设备，所述芯片制造设备例如包括芯片封装产线的设备，可进行芯片黏着(D/A)工序，所述芯片黏着检测装置I包括:测厚传感器11、比较器12、及控制器13。所述测厚传感器11可为至少一个，用于测量经过芯片黏着工序后的芯片的厚度并对应产生厚度电信号；所述比较器12，连接所述测厚传感器11的输出端，用于将所述厚度电信号值同预设阈值比较，当大于所述阈值时，输出第一触发电信号；所述控制器13，连接所述比较器12的输出端，用于在接收到所述第一触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态。以上均可通过硬件电路实现，所述预设阈值例如为1~2片芯片厚度对应的电信号值(例如电压或电流值)，当发现厚度为I片以上，则可认为可能是黏了两片以上，而产生敌意触发电信号，其可为电压或电流形式。在一实施例中，为了能分辨是芯片粘着在一起还是芯片翘起引起的厚度增加，所述测厚传感器11可为至少两个，分别用于测量所述芯片上不同点的厚度，所述比较器12还用于比较各所述测厚传感器11所输出的厚度电信号的值，在不一致时输出表示芯片翘起的第二触发电信号；所述控制器13，还用于在接收到所述第二触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态；所述第二触发电信号亦为电压或电流形式，其可通过幅值或频率不同等来区别于所述第一触发电信号。在一实施例中，所述测厚传感器11是LVDT位移传感器，LVDT (Linear VariableDifferential Transformer)是线性可变差动变压器缩写，属于直线位移传感器；LVDT的结构由铁心、衔铁、初级线圈、次级线圈组成，如右图所示，初级线圈、次级线圈分布在线圈骨架上，线圈内部有一个可自由移动的杆状衔铁。当衔铁处于中间位置时，两个次级线圈产生的感应电动势相等，这样输出电压为O;当衔铁在线圈内部移动并偏离中心位置时，两个线圈产生的感应电动势不等，有电压输出，其电压大小取决于位移量的大小。为了提高传感器的灵敏度，改善传感器的线性度、增大传感器的线性范围，设计时将两个线圈反串相接、两个次级线圈的电压极性相反，LVDT输出的电压是两个次级线圈的电压之差，这个输出的电压值与铁心的位移量成线性关系。LVDT的优点在于:I,无摩擦测量LVDT的可动铁芯和线圈之间通常没有实体接触，也就是说LVDT是没有摩擦的部件。它被用于可以承受轻质铁芯负荷，但无法承受摩擦负荷的重要测量。例如，精密材当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片黏着检测装置，设于芯片制造设备，其特征在于，包括：至少一测厚传感器，用于测量经过芯片黏着工序后的芯片的厚度并对应产生厚度电信号；比较器，连接所述测厚传感器的输出端，用于将所述厚度电信号值同预设阈值比较，当大于所述阈值时，输出第一触发电信号；控制器，连接所述比较器的输出端，用于在接收到所述第一触发电信号时，控制芯片制造设备的工作状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梅雪军，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32