光合电池制造技术

一种广泛应用于工业、农业、国防军事、航空、航天、电动汽车、人民生产、生活等各种行业各个方面的太阳能光伏发电巨能量光合电池，它是在在氧化铝合金框内，自上而下依次是石英绒面玻璃层、Cu电极、EVA纳米减反射层、掺杂Cu的碳纳米管透明导电层、多元掺杂磁性纳米材料的碳纳米管垂直阵列上电池、Cu掺杂CeO2纳米线层、多元掺杂磁性纳米材料的硅纳米线中电池、多元掺杂磁性纳米材料的锗纳米材料下电池、Cu纳米线导电层、TPT纳米减反射层、背面电极、绝缘层、LYC层、背面板。利用LYC层和磁性半导体电池层吸收太阳辐射全部光线，适用于磁性碳基、磁性硅基、磁性化合物基、磁性有机基等各种各样的太阳能磁性半导体电池。实现了光伏发电光电整流，使太阳能电池光电转换率成大幅度提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
在氧化铝合金框内，自上而下依次是石英绒面玻璃层、Cu电极、EVA纳米减反射层、掺杂Cu的碳纳米管透明导电层、多元掺杂磁性纳米材料的碳纳米管垂直阵列上电池、Cu掺杂CeO2纳米线层、多元掺杂磁性纳米材料的硅纳米线中电池、Cu掺杂CeO2纳米线层、多元掺杂磁性纳米材料的锗纳米材料下电池、Cu纳米线导电层、TPT纳米减反射层、背面电极、绝缘层、LYC层、背面板。其中，多元掺杂磁性纳米材料的碳纳米管垂直阵列上电池，结构为多元掺杂磁性纳米材料和纳米Cu的碳纳米管垂直阵列N层、Cu掺杂CeO2的i层、多元掺杂磁性纳米材料和纳米Cu的碳纳米管垂直阵列P层；多元掺杂磁性纳米材料的硅纳米线中电池，结构为多元掺杂磁性纳米材料和纳米Cu的硅纳米线N层、Cu掺杂CeO2的i层、多元掺杂磁性纳米材料和纳米Cu的硅纳米线P层。多元掺杂磁性纳米材料的锗纳米线下电池，结构为多元掺杂磁性纳米材料和纳米Cu的锗纳米材料N层、Cu掺杂CeO2的i层、多元掺杂磁性纳米材料和纳米Cu的锗纳米材料P层。其中多元掺杂磁性纳米材料的碳纳米管垂直阵列上电池和下电池所指磁性纳米材料均为多元掺杂氧化的磁性半金属和稀土元素，即掺杂钴、錳、镍、锌、钛、铷、铁、硼、锗、碲、锂、锶、钡、铯、钪、铬、钇、铌、钼、钌、铑、钯、镉、铟、锡、铪、钽、钨、铼、铱、铂、铋、铈、镧、镨、钕、釤、铕、钆、钬、铽、镝、铥、铒、镥等。其中，LYC层使太阳能磁性半导体电池处在一个夹心陷阱中，这个夹心陷阱也可由磁性半导体自身的浓磁构成，从而使太阳能半导体电池成为吸收各种光线的磁性吸光半导体。这个LYC层既包括施加在太阳能磁性碳基半导体电池下，也包括施加在太阳能磁性硅基半导体电池、太阳能磁性化合物半导体电池、太阳能磁性有机半导体电池等各种各样的太阳能磁性半导体电池下。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：凌豫超，
申请(专利权)人：凌豫超，
类型：发明
国别省市：安徽;34