同心锥形TEM室及其传输段内外导体半夹角的设计方法技术

本发明专利技术公开一种同心锥形TEM室及其传输段内外导体半夹角的设计方法，该方法包括步骤：根据该同心锥形TEM室传输段的使用要求，选择其特性阻抗ZC以及外导体半夹角θ2与内导体半夹角θ1之比θ2/θ1；根据选定的同心锥形TEM室传输段特性阻抗ZC和外内半夹角之比θ2/θ1，计算不同的同心锥形TEM室传输段内外导体半夹角所对应的同心锥形TEM室传输段的高阶模数量，选取最少高阶模数量所对应的内外导体半夹角，作为该同心锥形TEM室传输段内外导体半夹角。本发明专利技术所述技术方案通过设计同心锥形TEM室传输段的内外导体半夹角，有效地减少了高阶模的数量且提高了高阶模截止频率，提高了同心锥形TEM室性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种同心锥形TEM室，该TEM室包括阻抗匹配段，同轴双导体传输段，终端负载和吸波材料，其特征在于，同轴双导体传输段的内导体半夹角为1.5136°且外导体的半夹角为8°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘星汛，齐万泉，穆晨晨，马蔚宇，黄承祖，闫旭红，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11