【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种防止因VR的上MOS击穿烧毁CPU的设计方法，其特征在于，在输入电容端并联一个PMOS，通过侦测VR输入电容两端的电压来判断VR的上MOS是否被击穿；一但上MOS发生击穿，立即把P12V拉低，并触发输入电压的短路保护，从而实现整个系统掉电，保护CPU不会被烧坏。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴福宽，武宁，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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