具有石墨烯纳米带的半导体器件及制造方法技术

技术编号:11390575 阅读:63 留言:0更新日期:2015-05-02 02:39
具有石墨烯纳米带的半导体器件及制造方法被公开。该方法包括在衬底上形成至少一层Si材料。该方法还包括形成与所述至少一层Si相邻的至少一层碳基材料。该方法还包括将所述至少一层Si材料和所述至少一层碳基材料中的至少一个构图。该方法还包括在构图后的碳基材料上形成石墨烯。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种方法,包括:在衬底上形成至少一层Si材料;形成与所述至少一层Si相邻的至少一层碳基材料;将所述至少一层Si材料和所述至少一层碳基材料中的至少一个构图;以及在构图后的碳基材料上形成石墨烯。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:E·阿尔普泰金V·Y·萨德塞R·A·维加
申请(专利权)人:国际商业机器公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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