一种阵列基板、阵列基板的形成方法及液晶显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板，包括下玻璃基板、第一金属层、绝缘层、半导体层、第一透明导电薄膜层、第二金属层、钝化层、第二透明导电薄膜层、配向膜。其中，第一金属层分为栅极金属区及与栅极金属区相连的栅极线；第一透明导电薄膜层为公共电极；第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，源/漏极金属区包括与公共电极线相连的源极金属层、与第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；第二透明导电薄膜层分为数据线及与数据线直接连接的像素电极。本发明专利技术还提供上述阵列基板的形成方法及液晶显示装置。本发明专利技术的阵列基板、其形成方法及使用其的液晶显示装置，在保证能正常显示的同时，避免了配向膜膜厚形成较大断差而导致的画质下降的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的形成方法及使用其的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具备轻薄、节能、无辐射等诸多优点，已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示器被广泛地应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。以薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示装置为例，装置包括液晶显示面板和驱动电路，其中，液晶显示面板包括阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板、及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶。阵列基板上设置有配线区，用于接收驱动电路输出的驱动信号。彩膜基板上设置有公共电极区，且彩膜基板与阵列基板之间通过封框胶密封液晶。阵列基板上的配线区包括多条栅极线与多条数据线，且相邻的两条栅极线与相邻的两条数据线交叉形成一个像素单元，每个像素单元至少包括一个TFT。而驱动电路包括：栅极驱动电路(gate drive circuit)和源极驱动电路(source drive circuit)。液晶显示面板与驱动电路的基本工作原理为：栅极驱动电路通过与栅极线电性连接的TFT向栅极线送出栅极驱动信号，依序将每一行的TFT打开，然后由源极驱动电路同时将一整行的像素单元充电到各自所需的电压，以改变液晶的状态，从而显示不同的灰阶。图1为现有的液晶显示装置的部分等效电路示意图。如图1所示，液晶显示装置包括液晶显示面板10’、栅极驱动电路12’及源极驱动电路14’，液晶显示面板10’上包括多条栅极线GL与多条数据线DL，且相邻的两条栅极线GL与相邻的两条数据线DL交叉形成一个像素单元，每个像素单元包括TFT、液晶电容CLc、存储电容Cs。其中，存储电容Cs与液晶电容CLc并联于像素电极与公共电极之间，每个TFT包括栅极、半导体层、源极及漏极。TFT的栅极与栅极线GL相连，以接收栅极驱动电路12’输出的栅极驱动信号。TFT的源极与数据线DL相连，用于接收源极驱动电路14’输出的数据信号。TFT的漏极与像素电极相连。液晶显示面板10’与驱动电路的基本工作原理为：栅极驱动电路12’向栅极线GL输出栅极驱动信号，从而依序将每一行的TFT打开。当像素单元中的TFT的栅极接收到高电位的栅极驱动信号时，TFT的漏极及源极导通，源极驱动电路14’输出的数据信号被充至液晶电容CLc(像素电极与公共电极之间形成的电容)，当像素单元中的TFT的栅极接收到低电位的栅极驱动信号时，TFT被关闭，已充入液晶电容CLc的数据信号由存储电容Cs保持，从而根据存储电容Cs保持的数据信号与公共电极common的电压的差值改变液晶的状态，从而控制液晶的透光率，以显示不同的灰阶。图2为现有的液晶显示装置中的阵列基板100’中其中一个像素区域的平面结构示意图。图3为如图2所示的阵列基板100’位于Ⅲ-Ⅲ处的剖面结构示意图。图4为包括如图2所示的阵列基板100’的液晶显示面板10’位于Ⅲ-Ⅲ处的剖面结构示意图。请同时参考图2、图3及图4。液晶显示面板10’包括阵列基板100’、彩膜基板101’(图2、图3中未示出，请参考图4)及位于阵列基板100’与彩膜基板101’之间的液晶102’(图2、图3中未示出，请参考图4)。阵列基板100’包括设置于下玻璃基板110’(图2中未示出，请参考图3及图4)上的第一金属层120’(图4中未示出，请参考图2、图3)、设置于第一金属层120’及下玻璃基板110’上的绝缘层130’(图2中未示出，请参考图3、图4)、设置于绝缘层130’上的半导体层140’(图4中未示出，请参考图2、图3)、设置于绝缘层130’上的第一透明导电薄膜层150’、第二金属层160’、钝化层170’(图2中未示出，请参考图3、图4)、设置于钝化层170’上的第二透明导电薄膜层180’。其中，第一金属层120’分为栅极金属区1201’及与栅极金属区相连的栅极线1202’。第一透明导电薄膜层150’为像素电极。第二金属层160’分为源/漏极金属区1601’及位于第一透明导电薄膜层150’两侧且大致平行排列的数据线1602’，源/漏极金属区1601’包括与数据线1602’相连的源极金属层1610’、与第一透明导电薄膜层150’直接接触的漏极金属层1611’。第二透明导电薄膜层180’为公共电极。其中，第一金属层120’、半导体层140’、第一透明导电薄膜层150’、第二金属层160’、及第二透明导电薄膜层180’分别可以由一道光罩制程形成。一道光罩制程包括镀膜、光阻涂布、曝光、显影、蚀刻及光阻去除六个工序。具体的，例如利用镀膜工序在下玻璃基板110’上形成厚度均匀的第一金属层120’，然后在第一金属层120’上涂布第一光阻层，并以第一道光罩图案对第一金属层120’上的第一光阻层进行曝光显影，形成第一光阻层图案，然后以形成的第一光阻层图案为遮罩对第一金属层120’进行蚀刻以形成图案化的第一金属层120’，最后去除涂布的第一光阻层。阵列基板100’上的其它层的形成方法与第一金属层120’的大致相同，在此不再赘述。其中，由于制作工艺的要求，金属层的厚度一般为透明导电薄膜层的厚度的5至6倍。如图4所示，阵列基板100’还包括设置在第二透明导电薄膜层180’上的配向膜190’。配向膜190’用于给液晶102’提供一个预倾角，使得液晶102’的旋转方向一致性更好。但现有技术的阵列基板100’在第一透明导电薄膜层150’两侧存在厚度相对较大的数据线1602’(金属层)，金属层的厚度一般为透明导电薄膜层的厚度的5至6倍，因此，现有技术的阵列基板100’容易使配向膜190’的膜厚形成较大的断差，使得配向膜190’在进行摩擦(Rubbing)制程后配向均一性差，从而容易造成液晶102’排布混乱，使得液晶显示装置的画质下降。因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
技术实现思路
鉴于以上问题，本专利技术提供一种阵列基板、其形成方法和一种液晶显示装置，以解决配向膜膜厚形成较大的断差而导致画质下降的问题。具体地，本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括下玻璃基板、第一金属层、绝缘层、半导体层、第一透明导电薄膜层、第二金属层、钝化层、第二透明导电薄膜层、配向膜。所述第一金属层设置于所述下玻璃基板上。所述绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：下玻璃基板；第一金属层，设置于所述下玻璃基板上；绝缘层，设置于所述第一金属层及所述下玻璃基板上；半导体层，设置于所述绝缘层上；第一透明导电薄膜层，设置于所述绝缘层上；第二金属层；钝化层；第二透明导电薄膜层，设置于所述钝化层上；及配向膜，设置于所述第二透明导电薄膜层上；其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
下玻璃基板；
第一金属层，设置于所述下玻璃基板上；
绝缘层，设置于所述第一金属层及所述下玻璃基板上；
半导体层，设置于所述绝缘层上；
第一透明导电薄膜层，设置于所述绝缘层上；
第二金属层；
钝化层；
第二透明导电薄膜层，设置于所述钝化层上；及
配向膜，设置于所述第二透明导电薄膜层上；
其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极
线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属
区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属
层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电
薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，金属层的厚度为透明导电
薄膜层厚度的5至6倍。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层由非晶硅材
料组成。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、所述半
导体层、所述第一透明导电薄膜层、所述第二金属层、及所述第二透明导电
薄膜层分别由一道光罩制程形成。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层、所述钝化层
分别利用一道镀膜工序形成。
6.一种阵列基板的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄清英，李红侠，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32