用来进行静电放电保护的方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用来进行静电放电保护的方法以及相关的装置，该方法应用于一电子装置，该方法包含有：利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源，来触发一放电运作，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接；以及利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。

【技术实现步骤摘要】
用来进行静电放电保护的方法与装置
本专利技术涉及静电放电（ElectrostaticDischarge,ESD），特别是涉及一种用来进行静电放电保护的方法以及相关的装置。
技术介绍
依据相关技术，陆续提出了一些新的半导体制造工艺。然而，某些问题就产生了。例如：栅极的氧化层的厚度可能减少，使得芯片变得很容易被静电放电损坏。又例如：在一特定的制造工艺中，氧化层崩溃电压（OxideBreakdownVoltage）可能很接近结面崩溃电压（JunctionBreakdownVoltage），故传统的静电放电保护架构变得很难使用。因此，需要一种新颖的方法以在不产生副作用的状况下加强静电放电保护的效能，尤其是使静电放电保护架构具备较低的触发电压与维持电压（HoldingVoltage），以保护先进技术中的超薄的氧化层。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的在于提供一种用来进行静电放电（ElectrostaticDischarge,ESD）保护的方法以及相关的装置，以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于提供一种用来进行静电放电保护的方法以及相关的装置，以提升静电放电保护的效能并节省相关成本。本专利技术的至少一较佳实施例中提供一种用来进行静电放电保护的方法，该方法应用于一电子装置，该方法包含有下列步骤：利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET）所形成的一触发源，来触发一放电运作，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接；以及利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。本专利技术于提供上述方法的同时，亦对应地提供一种用来进行静电放电保护的装置，其中该装置包含一电子装置的至少一部分。该装置包含有：多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源；以及一静电放电装置，耦接至该触发源。尤其是，该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接。另外，该多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的该触发源用来触发一放电运作。此外，该静电放电装置用来因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。本专利技术的好处之一是，相较于相关技术，本专利技术的方法与相关装置可提升静电放电保护的反应速度。因此，本专利技术提供较相关技术更佳的效能。本专利技术的另一好处是，相较于相关技术，本专利技术的方法与相关装置可减少芯片面积。因此，本专利技术提供可节省相关成本。附图说明图1为依据本专利技术一第一实施例的一种用来进行静电放电（ElectrostaticDischarge,ESD）保护的装置的示意图。图2绘示本专利技术的一实施例中关于图1所示的装置于一电子装置中的位置安排。图3为依据本专利技术一实施例的一种用来进行静电放电保护的方法的流程图。图4绘示图3所示的方法于一实施例中所涉及的控制方案。图5绘示本专利技术的一实施例中关于图4所示的装置于该电子装置中的位置安排。图6绘示图3所示的方法于另一实施例中所涉及的控制方案。图7绘示图3所示的方法于另一实施例中所涉及的控制方案。图8绘示图3所示的方法于另一实施例中所涉及的控制方案。附图符号说明具体实施方式请参考图1，其绘示依据本专利技术一第一实施例的一种用来进行静电放电（ElectrostaticDischarge,ESD）保护的装置100的示意图，其中该装置包含一电子装置的至少一部分（例如：一部分或全部）。装置100包含：多个金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，以下简称为「MOSFET」）110-1、110-2、…、与110-N所形成的一触发源110；以及一静电放电装置120，耦接至触发源110。尤其是，该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N中的任一MOSFET110-n的栅极与漏极彼此电气连接，使该MOSFET110-n被用来作为一个二端子元件诸如二极管（Diode），其中索引n可代表落入区间[1,N]的范围内的任一整数。如此，该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N中的每一MOSFET均为一个接成二极管形式的金属氧化物半导体场效应晶体管（Diode-ConnectedMOSFET）。依据本实施例，该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N所形成的触发源110用来触发一放电运作，而静电放电装置120用来因应触发源110的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。如图1所示，分别被用来作为二端子元件的该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N是以串联的方式连接，而静电放电装置120和触发源110是以并联的方式连接。尤其是，静电放电装置120的两端子分别电气连接至该电子装置中的两特定端子，且触发源110的两端子（亦即，触发源110的这一串的MOSFET110-1、110-2、…、与110-N的整体的两对外端子，诸如触发源110的上方端子与下方端子）分别电气连接至该电子装置中的该两特定端子，其中上述该放电运作可包含该两特定端子之间的放电。例如：该两特定端子可为该电子装置的一芯片的封装（Package）的多个对外端子中的任两个端子，诸如一输入端子与一接地端子。这只是为了说明的目的而已，并非对本专利技术的限制。依据本实施例的一变化例，该两特定端子可为该电子装置的该芯片上的多个对外端子（其分别对应于该封装的该多个对外端子）中的任两个端子。依据本实施例的另一变化例，该两特定端子可为该电子装置的该芯片上的多个内部端子中的任两个端子。依据本实施例的某些变化例，只要不影响本专利技术的实施，该两特定端子可为该电子装置的上列各种端子所形成的集合（亦即，该封装的该多个对外端子、该芯片上的该多个对外端子、以及该芯片上的该多个内部端子所形成的集合）当中的任两个端子。实作上，该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N可包含至少一N型金属氧化物半导体场效应晶体管（N-typeMOSFET，以下简称为「NMOSFET」）、和／或至少一P型金属氧化物半导体场效应晶体管（P-typeMOSFET，以下简称为「PMOSFET」）。也就是说，该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N可包含同一型的MOSFET，或者可包含不同型的MOSFET。例如：该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N可包含至少一NMOSFET，诸如一个或多个NMOSFET。又例如：该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N可包含至少一PMOSFET，诸如一个或多个PMOSFET。又例如：该多个MOSFET110-1、110-2、…、与110-N可包含至少一NMOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来进行静电放电保护的方法，该方法应用于一电子装置，该方法包含有下列步骤：利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源，来触发一放电运作，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的任一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该金属氧化物半导体场效应晶体管被用来作为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接；以及利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护。

【技术特征摘要】
2013.10.21 TW 1021379371.一种用来进行静电放电保护的方法，该方法应用于一电子装置，该方法包含有下列步骤：利用多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一触发源，来触发一放电运作，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一个金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极彼此电气连接，使该每一个金属氧化物半导体场效应晶体管均被用来作为一个二端子元件，以及分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管是以串联的方式连接；以及利用一静电放电装置，因应该触发源的触发来进行该放电运作，以对该电子装置进行静电放电保护，其中以串联的方式连接的分别被用来作为二端子元件的该多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的一整串金属氧化物半导体场效应晶体管的头尾两端子分别和该静电放电装置的两端子直接电气连接。2.如权利要求1所述的方法，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少一N型金属氧化物半导体场效应晶体管。3.如权利要求2所述的方法，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少一P型金属氧化物半导体场效应晶体管。4.如权利要求1所述的方法，其中该多个金属氧化物半导体场效应晶体管包含至少一P型金属氧化物半导体场效应晶体管。5.如权利要求1所述的方法，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应晶体管、一硅控整流器、一场氧化层元件、或一双载流子结面晶体管。6.如权利要求1所述的方法，其中该静电放电装置和该触发源是以并联的方式连接。7.如权利要求6所述的方法，其中该静电放电装置的该两端子分别电气连接至该电子装置中的两特定端子，且该触发源的两端子分别电气连接至该电子装置中的该两特定端子，其中该触发源的该两端子分别是所述一整串金属氧化物半导体场效应晶体管的头尾两端子；以及该放电运作包含该两特定端子之间的放电。8.如权利要求1所述的方法，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应晶体管，其栅极与源极彼此电气连接；以及该多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层的厚度大于该静电放电装置中的该金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层的厚度。9.如权利要求1所述的方法，其中利用该多个金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的该触发源来触发该放电运作的步骤还包含：利用该多个金属氧化物半导体场效应晶体管，因应施加于该触发源的电性应力来产生一通道电流，以触发该放电运作。10.如权利要求9所述的方法，其中该静电放电装置包含一金属氧化物半导体场效应晶体管，其栅极与源极彼此电气连接；以及该通道电流改变该静电放电装置中的该金属氧化物半导体场效应晶体管的基极电位，使得该静电放电装置中的该金属氧化物半导体场效应晶体管的一寄生的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子恒，蔡富义，蔡佳谷，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71