【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种钙铝石型化合物的制造方法,其特征在于,利用如下工序获得传导电子浓度为1015cm‑3以上并且比表面积为5m2g‑1以上的导电性钙铝石型化合物粉末:(1)将钙铝石型化合物的原料粉末和水的混合物进行水热处理而形成钙铝石型化合物的前体粉末的工序;(2)将所述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石型化合物粉末的工序;(3)将所述钙铝石型化合物粉末在非活性气体气氛或真空中在400~1000℃的温度范围加热3小时以上从而形成活化了的钙铝石型化合物粉末的工序;(4)将所述活化了的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合,在400~1100℃的温度范围加热,通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:细野秀雄,原亨和,井上泰德,北野政明,林文隆,横山寿治,松石聪,户田喜丈,
申请(专利权)人:国立大学法人东京工业大学,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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