一种米斛幼苗栽培种植方法技术

本发明专利技术公开了一种米斛幼苗栽培种植方法，它包括以下步骤：1.选址；2.基质处理；3.种植；4.病虫害防治；5.收获。本发明专利技术是先将幼苗进行组织营养培育，再将幼苗移植栽培，对其进行科学管理种植，收获的米斛品质优良，既保证了米斛的品质，又大大提高了米斛的产量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于食品种植领域，具体涉及。
技术介绍
石斛为兰科多年生附生草本植物。以全草入药，全世界约有1500种以上，我国分布76种2个变种，主要生长在温暖湿润的阴坡、半阴坡，微酸性岩层峭壁上、丛林树上或林下岩石上。味甘、平，无毒。治伤中，除痹，下气，补五脏虚劳及内绝不足，利咽、明目，具有强阴益精、厚肠胃、平胃气、长肌肉、益智除惊、轻身延年之功效。分布于四川、重庆、贵州、云南、湖北、广东、广西、安徽、浙江等省区。这些原生地野生资源濒临枯竭。近年来，人工大棚种植初见规模，品种有铁皮、金钗、黄草、细茎石斛、霍山石斛、环草石斛等。在所有品种石斛中霍山石斛是拥有原产地标志、濒临灭绝的国家珍稀名贵中药材，是国家野生药材二级保护品种，是《本草》所记载最早有道地产区品种。质量上乘，为珍品，与参茸同类。其价格与黄金等价。安徽省霍山县是霍山石斛的地道产区，位于皖西大别山北麓，是石斛生长的最北端。介于北纬33° 03’-31° 33’，东经115° 52’-116° 32’之间。平均海拔500米，属亚热带季风气候区。四季分明，雨量充沛，年平均气温14.2°C -16.1°C，最冷月平均气温2°C，最热月平均气温27.8°C。年降水量1100-1600mm，绝对湿度年平均15.6mb，常年相对湿度80%，全年> 80%天数200天左右。无霜期为220-270天，无霜期长。山高，湿度大，云雾缭绕，利于霍山石斛的生长质量上乘。野外栽培的石斛培产量低，受自然因素控制，收成受气候影响大，病虫害严重且难以防治。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供。本专利技术通过以下技术方案实现: ，包括以下内容: (1)选址:通过培养基培育的米斛幼苗移植密闭大棚中，通过散光对棚内照射，棚内照度为3500— 4500LUX，温度为24°C，湿度为80% ； (2)基质处理:对基质高温处理以杀死红蜘蛛和土蚕的卵，再对基质进行发酵处理，然后将基质均匀分布在碎石块上，所述的基质为松树皮； (3)种植:在处理好的基地上按5X5cm的间距，将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛幼苗移植到大棚基地上； (4)病虫害防治:做好病虫害的定期检查，据天气情况对基质进行喷雾补水作业，保证基质湿度在50% ； (5)收获:选择栽种3-4年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。优选的是，步骤(I)中所述密闭大棚中的遮阴度为65%，无直射光照。优选的是，步骤(2)中松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮25分钟，取出让其自然冷却晾干，树皮基质含水量为60%。本专利技术的有益效果:本专利技术是先将幼苗进行组织营养培育，再将幼苗移植栽培，对其进行科学管理种植，收获的米斛品质优良，既保证了米斛的品质，又大大提高了米斛的产量。【具体实施方式】，包括以下内容: (1)选址:通过培养基培育的米斛幼苗移植密闭大棚中，通过散光对棚内照射，棚内照度为4000LUX，温度为24°C，湿度为80% ； (2)基质处理:对基质高温处理以杀死红蜘蛛和土蚕的卵，再对基质进行发酵处理，然后将基质均匀分布在碎石块上，所述的基质为松树皮； (3)种植:在处理好的基地上按5X5cm的间距，将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛幼苗移植到大棚基地上； (4)病虫害防治:做好病虫害的定期检查，据天气情况对基质进行喷雾补水作业，保证基质湿度在50% ； (5)收获:选择栽种3年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。优选的是，步骤(I)中所述密闭大棚中的遮阴度为65%，无直射光照。优选的是，步骤(2 )中松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮25分钟，取出让其自然冷却晾干，树皮基质含水量为60%。【主权项】1.，其特征在于包括以下内容: (1)选址:通过培养基培育的米斛幼苗移植密闭大棚中，通过散光对棚内照射，棚内照度为3500— 4500LUX，温度为24°C，湿度为80% ； (2)基质处理:对基质高温处理以杀死红蜘蛛和土蚕的卵，再对基质进行发酵处理，然后将基质均匀分布在碎石块上，所述的基质为松树皮； (3)种植:在处理好的基地上按5X5cm的间距，将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛幼苗移植到大棚基地上； (4)病虫害防治:做好病虫害的定期检查，据天气情况对基质进行喷雾补水作业，保证基质湿度在50% ； (5)收获:选择栽种3-4年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。2.根据权利要求1所述的米斛幼苗栽培种植方法，其特征在于步骤(I)中所述密闭大棚中的遮阴度为65%，无直射光照。3.根据权利要求1所述的米斛幼苗栽培种植方法，其特征在于步骤(2)中松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮25分钟，取出让其自然冷却晾干，树皮基质含水量为60%。【专利摘要】本专利技术公开了，它包括以下步骤：1.选址；2.基质处理；3.种植；4.病虫害防治；5.收获。本专利技术是先将幼苗进行组织营养培育，再将幼苗移植栽培，对其进行科学管理种植，收获的米斛品质优良，既保证了米斛的品质，又大大提高了米斛的产量。【IPC分类】A01G31-00【公开号】CN104542209【申请号】CN201410549867【专利技术人】李登云 【申请人】李登云【公开日】2015年4月29日【申请日】2014年10月17日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种米斛幼苗栽培种植方法，其特征在于包括以下内容：（1）选址：通过培养基培育的米斛幼苗移植密闭大棚中，通过散光对棚内照射，棚内照度为3500—4500Lux，温度为24℃，湿度为80%；（2）基质处理：对基质高温处理以杀死红蜘蛛和土蚕的卵，再对基质进行发酵处理，然后将基质均匀分布在碎石块上，所述的基质为松树皮；（3）种植：在处理好的基地上按5×5cm 的间距，将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛幼苗移植到大棚基地上；（4）病虫害防治：做好病虫害的定期检查，据天气情况对基质进行喷雾补水作业，保证基质湿度在50%；（5）收获：选择栽种3 ‑4年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李登云，
申请(专利权)人：李登云，
类型：发明
国别省市：安徽;34