一种在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及化学气相沉积法领域，具体涉及一种在玻璃基底上二氧化硅薄膜的低压化学气相法（LPCVD）沉积。本发明专利技术在CVD沉积过程中，将硅源和氧气分开通入反应腔，先利用硅源在玻璃基底上沉积一层硅膜，然后再利用氧气将硅膜氧化从而获得二氧化硅薄膜；具体步骤包括1）化学清洗玻璃基底；2）CVD设备抽真空；3）沉积硅膜；4）氧化硅膜；5）室温冷却，最后在玻璃基底上制得二氧化硅薄膜。其中，在步骤3）、4）沉积过程中，石英管内压强一直处于150Pa-250Pa的低压环境中。通过该技术在玻璃基底上制备出致密、稳定的、均匀的纯SiO2薄膜，其具有致密均匀、牢固耐磨损、抗侵蚀性能高、耐酸碱性能强、无色透明、光透过率高等优越性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜的方法，其特征在于：在CVD沉积过程中，将硅源和氧气分开通入反应腔，先利用硅源在玻璃基底上沉积一层硅膜，然后再利用氧气将硅膜氧化从而获得二氧化硅薄膜；具体步骤包括：1）玻璃基底经化学清洗并干燥后置于CVD装置的石英管中；2）抽真空；3）石英管内通入保护气体和还原气体，同时将管式炉升温，升至设定温度后通入硅源，硅源与还原气体反应在玻璃基底上沉积硅膜；关闭硅源和还原气体流量阀；4）通入氧气，在设定温度下作用氧化硅膜；5）在氧气和保护气体氛围中，将管式炉随室温冷却，取出样品;其中，在步骤3）、4）沉积过程中，石英管内压强一直处于150Pa‑200Pa的低压环境中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕斌，李文杰，朱恒伟，吕建国，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33