【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法，采用双槽电解池法制备出的多孔硅，其特征在于：利用硅片将电解槽分为两个独立的部分，采用铂网作为电极材料，采用恒流源作为腐蚀过程提供的所需电流，腐蚀液采用氢氟酸和乙醇按设定配比形成的混合溶液，通过对光强的调控，利用特定波长连续可调的光源进行光照，再通过具有图形化配件的光源控制系统，照射硅片表面，来调控硅片的多孔硅层形貌，根据设计需要制备多孔硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡志宇，吴义桂，林忠劲，龙啸，田遵义，韩超，张海明，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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