氧化石墨烯作为阻挡层及隧穿层的探测器及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体紫外光电探测技术领域，具体涉及一种以纳米氧化石墨烯(GO)作为阻挡层及隧穿层、TiO2/GO复合薄膜为光电转换材料的高性能探测器。器件以石英片做衬底，表面旋涂制备TiO2和GO薄膜，并用磁控溅射制备金电极。利用光刻技术，将GO层制备成与电极具有相同形状的叉指结构，可以有效降低表面漏电流。器件工作时，GO层在黑暗中起到阻挡层作用，提高势垒阻止电子传输，有效降低器件暗电流；在310nm紫外光照射下，外加偏压使GO层发生隧穿效应，成为光生载流子的传导阶梯，促进光生电流传递，有效提高器件光电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种以氧化石墨烯薄膜作为阻挡层及隧穿层的探测器，其特征在于：按光入射方向，从下至上依次由石英片衬底、纳米TiO2薄膜与纳米GO薄膜构成的TiO2/GO异质结复合感光薄膜、在TiO2/GO异质结复合感光薄膜上制备的Au叉指电极组成，且纳米GO薄膜具有与Au叉指电极相同的叉指结构，GO为氧化石墨烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮圣平，张德重，刘彩霞，周敬然，沈亮，郭文滨，温善鹏，董玮，张歆东，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22