一种在LED芯片上形成荧光层的方法,包括:对至少两个LED芯片的出光面施加包括荧光粉和热塑性材料的混合物,其中,所述至少两个LED芯片承载在具有粘性的塑胶膜上;以及,将施加有所述混合物的所述LED芯片加热到120℃~350℃,以使所述热塑性材料熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。通过直接对附着在塑胶膜上的LED芯片的至少出光面施加荧光粉和热塑性材料的混合物,并将施加有所述混合物的LED芯片加热至所述热塑性材料的熔解温度,从而在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层,根据本发明专利技术的在LED芯片上形成荧光层的方法可有效提高LED芯片的良品率。
【技术实现步骤摘要】
在LED芯片上形成荧光层的方法
本专利技术涉及发光元件,特别涉及一种在LED芯片上形成荧光层的方法。
技术介绍
通常,采用静电电泳涂装法在LED芯片上形成荧光层。该方法主要依靠电场所产生的物理化学作用将荧光粉沉积在LED芯片的表面上,存在容易产生电压过高而击穿LED芯片的问题。
技术实现思路
有鉴于此,有必要研发一种安全、可靠的用于在LED芯片上形成荧光层的方法。为了解决上述技术问题,根据本专利技术的一个方面,提供了一种在LED芯片上形成荧光层的方法,其包括:对至少两个LED芯片的至少出光面施加包括荧光粉和热塑性材料的混合物,其中,所述至少两个LED芯片承载在具有粘性的塑胶膜上;将施加有所述混合物的所述LED芯片加热到120℃~350℃,以使所述热塑性材料熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。通过直接对附着在塑胶膜上的LED芯片的至少出光面施加荧光粉和热塑性材料的混合物,并将施加有所述混合物的LED芯片加热至所述热塑性材料的熔解温度,从而在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层,根据本专利技术的在LED芯片上形成荧光层的方法可有效提高LED芯片的良品率。附图说明图1为根据本专利技术一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图;图2a~2d示出实施图1所示方法的过程中的LED芯片的示意图;图3为实施根据本专利技术的在LED芯片上形成荧光层的方法的LED芯片的示意图;图4为根据本专利技术另一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图;图5为根据本专利技术又一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图;图6为根据本专利技术又一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图;图7为根据本专利技术再一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图;图8示出实施图7所示方法的过程中的LED芯片的示意图;图9为生产用于图7所示方法的荧光膜的一流程图;图10为生产用于图7所示方法的荧光膜的另一流程图;图11为生产用于图7所示方法的荧光膜的又一流程图;图12为生产用于图7所示方法的荧光膜的再一流程图。具体实施方式如
技术介绍
部分所述,采用静电电泳涂装法在LED芯片上形成荧光层,存在容易因电压过高而击穿LED芯片的问题。为了提高荧光层涂布工艺中LED芯片的良品率,本专利技术人通过对至少包括荧光粉和热塑性材料的静电电泳涂装用粉末进行反复试验发现,所述粉末在被加热到50℃~180℃但未完全熔解时具有粘性,从而使得所述粉末相互粘结并在冷却后变硬成膜,该膜可反复加热到50℃~180℃并仍具有粘性,并且在将该膜进一步加热至热塑性材料的熔解温度、例如120℃~350℃时,该膜将呈可流动的热熔状态。基于以上发现,本专利技术人独创性地提出,通过一段式加温或者两段式加温来在LED芯片上形成荧光层。其中,所谓一段式加温是指,对至少出光面施加有包括荧光粉和热塑性材料的混合粉末或混合液的LED芯片进行例如120℃~350℃的高温加热,以使热塑性材料热熔从而在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。所谓两段式加温是指,首先,对至少包括荧光粉和热塑性材料的混合粉末或混合液进行例如50℃~180℃的低温加热,以使所述荧光粉和热塑性材料粘结成荧光膜;之后,在将所述荧光膜覆盖在LED芯片的出光面上的状态下,对LED芯片进行例如120℃~350℃的高温加热,以使荧光膜热熔并且四周呈垂流状态,从而可均匀覆盖LED芯片的出光面及其四周,也即均匀地在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。图1为根据本专利技术一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图,并且图2a~2d示出实施图1所示方法的过程中的LED芯片的示意图。将参照图1和图2a~2d详细介绍根据本实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的实施例如下。如图1所示,该在LED芯片上形成荧光层的方法主要包括:步骤S110、对于如图2a所示承载于塑胶膜220上的至少两个LED芯片210,其中LED芯片210的出光面211位于塑胶膜220的上方并且不直接接触塑胶膜220,可将至少包括荧光粉和热塑性材料的混合粉末231喷涂在LED芯片220的至少出光面211上,以使混合粉末231如图2b所示覆盖LED芯片220的出光面211及其四周;以及步骤S120、将施加有混合粉末231的LED芯片210加热到120℃~350℃,以使所述热塑性材料熔解,从而如图2c所示在LED芯片210的出光面211及其四周形成荧光层232。其中,塑胶膜220优选为LED芯片生产中常用的具有粘性的蓝膜,例如PE膜或PVC膜。在这种情况下,执行步骤S120时,塑胶膜220将因加热而收缩。因此,在一种可能的实现方式中,如图1所示,该在LED芯片上形成荧光层的方法还可包括步骤S130,即将因加热而收缩了的塑胶膜220移除,并将所述至少两个LED芯片承载于新的塑胶膜220上,以使所述新的塑胶膜贴合各所述LED芯片的不具有所述荧光层的表面。在一种可能的具体实现方式中,如图1所示,该在LED芯片上形成荧光层的方法还可包括步骤S140,即利用激光和/或钻石刀沿相邻的两个LED芯片210之间的分界线进行切割,以使至少两个LED芯片210的荧光层232如图2d所示相互分离,并且还可将不需要的荧光层232移除,由此完成各LED芯片210的荧光层涂布。在一种可能的实现方式中,所述荧光粉包括钇铝石榴石、氮化物、氮氧化物、硅酸盐、和硫化物中的任意一种或多种。以及,所述热塑性材料包括氟树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂、和不饱和树脂中的任意一种或多种。这样,在将喷涂有所述荧光粉和所述热塑性材料的均匀混合粉末的LED芯片加热至所述热塑性材料的熔解温度、例如120℃~350℃时,所述均匀混合粉末将因所述热塑性材料的熔解而相互粘结,并在冷却后硬化成荧光层。在一种可能的实现方式中,所述荧光粉的颗粒的粒径可为6μm。并且,在一种可能的具体实现方式中,所述荧光粉与所述热塑性材料的质量比可为0.1~10。例如,在所述荧光粉的质量为1克的情况下,所述热塑性材料的质量可为0.1克~10克。通过上述介绍可知,由于通过直接对附着在塑胶膜上的LED芯片的至少出光面施加荧光粉和热塑性材料的混合粉末,并将施加有所述混合粉末的LED芯片加热至所述热塑性材料的熔解温度,从而在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层,根据本专利技术的在LED芯片上形成荧光层的方法可有效提高LED芯片的良品率。此外,在一种可能的实现方式中,LED芯片210可为覆晶LED芯片。并且,在一种可能的具体实现方式中,LED芯片210的与出光面211相反的表面具有如图3所示的结构。如图3所示,LED芯片210可包括沿水平方向依次排列的正电极212、负电极213以及隔离区214。其中,所述水平方向为与塑胶膜220平行的方向,图示为AA。隔离区214在塑胶膜220上的垂直投影位于正电极212和负电极213在塑胶膜220上的垂直投影之间,并且隔离区214在所述水平方向的中心线与LED芯片210在所述水平方向的中轴线重叠,均为图3所示线条B。优选地,隔离区214在所述水平方向的宽度L2不超过LED芯片210在所述水平方向的宽度L1的三分之一。图4为根据本专利技术另一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图。如图4所示,根据本实施例的在L本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在LED芯片上形成荧光层的方法,其特征在于,包括:对至少两个LED芯片的出光面施加包括荧光粉和热塑性材料的混合物,其中,所述至少两个LED芯片承载在具有粘性的塑胶膜上;将施加有所述混合物的所述LED芯片加热到120℃~350℃,以使所述热塑性材料熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。
【技术特征摘要】
1.一种在LED芯片上形成荧光层的方法,其特征在于,包括:对至少两个LED芯片的出光面施加包括荧光粉和热塑性材料的混合物,其中,所述至少两个LED芯片承载在具有粘性的塑胶膜上;将施加有所述混合物的所述LED芯片加热到120℃~350℃,以使所述热塑性材料熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层,所述对至少两个LED芯片施加包括荧光粉和热塑性材料的混合物的步骤包括:将荧光膜覆盖在所述至少两个LED芯片上,以使所述荧光膜贴合各所述LED芯片的出光面,其中,所述荧光膜是由所述热塑性材料和所述荧光粉粘结而成,其中,在将荧光膜覆盖在所述至少两个LED芯片上之前,还包括:利用所述热塑性材料包覆所述荧光粉,得到包覆荧光粉;将所述包覆荧光粉静电喷涂于承载板的光滑表面上;将喷涂有所述包覆荧光粉的所述承载板加热至50℃~180℃,以使所述包覆荧光粉粘结成所述荧光膜;或者,其中,在将荧光膜覆盖在所述至少两个LED芯片上之前,还包括:利用所述热塑性材料包覆所述荧光粉,得到包覆荧光粉;将包括所述包覆荧光粉与挥发性液体的混合液喷涂于承载板的光滑表面上,其中所述挥发性液体包括水和/或醇类有机溶剂;将喷涂有所述混合液的所述承载板加热至50℃~180℃,以使所述挥...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴裕朝,刘艳,吴冠辰,
申请(专利权)人:刘艳,
类型:发明
国别省市:广东;44
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