一种可控硅控制电路及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种可控硅控制电路及系统，通过整流桥的交流输入端与限流降压电容器相连，直流输出端通过储能电容及延时电路与微触发可控硅的控制极及阴极相连，同时通过储能电容及电磁继电器与微触发可控硅的阳极相连。本方案中由于延时电路是用于控制微触发可控硅获得或断开触发电流，用于实现微触发可控硅的关断或导通的，从而实现微触发可控硅的可关断特性，以解决现有技术中可关断可控硅成本高、难以购买的问题，同时，还解决了单向可控硅不具备可关断特性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅控制电路及系统
本专利技术涉及电子控制领域，尤其涉及一种可控硅控制电路及系统。
技术介绍
单向可控硅的可关断特性的应用对电磁继电器的节电运行电路的设计非常有利，然而，现有的单向可控硅一般都不具备可关断特性。现有的可关断可控硅的成本较高，而且难以购买，要解决这一问题，就需要实现单向可控硅的可关断特性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可控硅控制电路及系统，以解决现有技术中可关断可控硅成本高，难以购买，而单向可控硅不具备可关断特性的问题，其具体方案如下：一种可控硅控制电路，包括：限流降压电容器，整流桥，储能电容，延时电路，电磁继电器及微触发可控硅，其中：所述限流降压电容器与所述整流桥的交流输入端相连，所述整流桥的正向直流输出端与所述储能电容的正极相连，所述整流桥的负向直流输出端与所述储能电容的负极相连的同时接地，所述整流桥的正向直流输出端通过所述延时电路的第一输出端与所述微触发可控硅的控制极相连，同时通过所述延时电路的第二输出端与所述微触发可控硅的阴极相连，所述整流桥的正向输出端通过所述电磁继电器与所述微触发可控硅的阳极相连；所述延时电路用于控制所述微触发可控硅获得触发电流，实现微触发可控硅的关断或导通。进一步的，所述限流降压电容包括：第一电容及第二电容，其中：所述第一电容的一端接市电的零线，另一端与所述整流桥的第一交流输入端相连；所述第二电容的一端接市电的火线，另一端与所述整流桥的第二交流输入端相连。进一步的，所述延时电路包括：第一电阻，第二电阻，第三电容及开关，其中：所述第一电阻的一端与所述整流桥的正向直流输出端相连，另一端与所述微触发可控硅的控制极相连，所述微触发可控硅的控制极通过开关与所述微触发可控硅的阴极相连，同时通过第二电阻与所述微触发可控硅的阴极相连，同时通过所述第三电容与所述微触发可控硅的阴极相连。进一步的，所述延时电路的开关为：三极管。进一步的，所述延时电路的开关为：光电耦合器中的光敏三极管。一种可控硅控制系统，包括：可控硅控制电路，其中，所述可控硅控制电路包括：限流降压电容器，整流桥，储能电容，延时电路，电磁继电器及微触发可控硅，所述限流降压电容器与所述整流桥的交流输入端相连，所述整流桥的正向直流输出端与所述储能电容的正极相连，所述整流桥的负向直流输出端与所述储能电容的负极相连的同时接地，所述整流桥的正向直流输出端通过所述延时电路的第一输出端与所述微触发可控硅的控制极相连，同时通过所述延时电路的第二输出端与所述微触发可控硅的阴极相连，所述整流桥的正向输出端通过所述电磁继电器与所述微触发可控硅的阳极相连；所述延时电路用于控制所述微触发可控硅获得触发电流，实现微触发可控硅的关断或导通。进一步的，所述限流降压电容包括：第一电容及第二电容，其中：所述第一电容的一端接市电的零线，另一端与所述整流桥的第一交流输入端相连；所述第二电容的一端接市电的火线，另一端与所述整流桥的第二交流输入端相连。进一步的，所述延时电路包括：第一电阻，第二电阻，第三电容及开关，其中：所述第一电阻的一端与所述整流桥的正向直流输出端相连，另一端与所述微触发可控硅的控制极相连，所述微触发可控硅的控制极通过开关与所述微触发可控硅的阴极相连，同时通过第二电阻与所述微触发可控硅的阴极相连，同时通过所述第三电容与所述微触发可控硅的阴极相连。进一步的，所述延时电路的开关为：三极管。进一步的，所述延时电路的开关为：光电耦合器中的光敏三极管。从上述技术方案可以看出，本申请公开的可控硅控制电路及系统，通过整流桥的交流输入端与限流降压电容器相连，直流输出端通过储能电容及延时电路与微触发可控硅的控制极及阴极相连，同时通过储能电容及电磁继电器与微触发可控硅的阳极相连。本方案中由于延时电路是用于控制微触发可控硅获得或断开触发电流，用于实现微触发可控硅的关断或导通的，从而实现微触发可控硅的可关断特性，以解决现有技术中可关断可控硅成本高、难以购买的问题，同时，还解决了单向可控硅不具备可关断特性的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例公开的一种可控硅控制电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例公开的一种可控硅控制电路中延时电路的电路图；图3为本专利技术实施例公开的一种可控硅控制电路的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术公开了一种可控硅控制电路，其结构示意图如图1所示，包括：限流降压电容器11，整流桥QL，储能电容C0，延时电路12，电磁继电器KP及微触发可控硅VS，其中：限流降压电容器11与整流桥QL的交流输入端相连，整流桥QL的负向直流输出端与储能电容C0的负极相连的同时接地，整流桥QL的正向直流输出端通过延时电路12的第一输出端与微触发可控硅VS的控制极G相连，同时通过延时电路12的第二输出端与微触发可控硅VS的阴极K相连，整流桥QL的正向输出端通过电磁继电器KP与微触发可控硅VS的阳极A相连。延时电路12用于控制微触发可控硅VS获得触发电流或断开触发电流，以实现对微触发可控硅的导通或关断。电磁继电器KP由微触发可控硅VS控制。储能电容C0可以具体为22μF/400V。具体的，限流降压电容11可以包括：第一电容C1及第二电容C2。第一电容C1的一端接市电的零线，另一端与整流桥QL的第一交流输入端相连；第二电容C2的一端接市电的火线，另一端与整流桥QL的第二交流输入端相连。其中，第一电容C1可以具体为0.1μF，第二电容C2可以具体为0.1μF。另外，本实施例公开的可控硅控制电路中的延时电路12具体电路图如图2所示，包括：第一电阻R1，第二电阻R2，第三电容C3及开关K，其中：第一电阻R1的一端与整流桥QL的正向直流输出端相连，另一端与微触发可控硅VS的控制极G相连，微触发可控硅VS的控制极G通过开关K与微触发可控硅VS的阴极相连，同时微触发可控硅VS的控制极G通过第二电阻R2与微触发可控硅VS的阴极相连，同时微触发可控硅VS的控制极G通过第三电容C3与微触发可控硅VS的阴极相连。具体的，开关K可以为机械开关，也可以为三极管，还可以为光电耦合器中的光敏三极管等电子开关，还可以为继电器的触点等，在此不做具体限定，本实施例所对应附图以机械开关为例。本实施例公开的可控硅控制电路的电路图如图3所示，通过开关K实现对电磁继电器KP的控制，开关K闭合时，微触发可控硅VS失去触发电流，进行关断，电磁继电器KP失去工作电流断开；开关K断开时，经过延时后，微触发可控硅VS得到触发电流，导通，电磁继电器KP导通。本实施例公开的可控硅控制电路，通过整流桥的交流输入端与限流降压电容器相连，直流输出端通过储能电容及延时电路与微触发可控硅的控制极及阴极相连，同时通过储能电容及电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅控制电路，其特征在于，包括：限流降压电容器，整流桥，储能电容，延时电路，电磁继电器及微触发可控硅，其中：所述限流降压电容器与所述整流桥的交流输入端相连，所述整流桥的正向直流输出端与所述储能电容的正极相连，所述整流桥的负向直流输出端与所述储能电容的负极相连的同时接地，所述整流桥的正向直流输出端通过所述延时电路的第一输出端与所述微触发可控硅的控制极相连，同时通过所述延时电路的第二输出端与所述微触发可控硅的阴极相连，所述整流桥的正向输出端通过所述电磁继电器与所述微触发可控硅的阳极相连；所述延时电路用于控制所述微触发可控硅获得触发电流，实现微触发可控硅的关断或导通。

【技术特征摘要】
1.一种可控硅控制电路，包括：整流桥，储能电容，延时电路，其特征在于，还包括：限流降压电容器，电磁继电器及微触发可控硅，其中：所述限流降压电容器与所述整流桥的交流输入端相连，所述整流桥的正向直流输出端与所述储能电容的正极相连，所述整流桥的负向直流输出端与所述储能电容的负极相连的同时接地，所述整流桥的正向直流输出端通过所述延时电路的第一输出端与所述微触发可控硅的控制极相连，同时通过所述延时电路的第二输出端与所述微触发可控硅的阴极相连，所述整流桥的正向输出端通过所述电磁继电器与所述微触发可控硅的阳极相连；所述延时电路用于控制所述微触发可控硅获得触发电流，实现微触发可控硅的关断或导通。2.根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述限流降压电容包括：第一电容及第二电容，其中：所述第一电容的一端接市电的零线，另一端与所述整流桥的第一交流输入端相连；所述第二电容的一端接市电的火线，另一端与所述整流桥的第二交流输入端相连。3.根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述延时电路包括：第一电阻，第二电阻，第三电容及开关，其中：所述第一电阻的一端与所述整流桥的正向直流输出端相连，另一端与所述微触发可控硅的控制极相连，所述微触发可控硅的控制极通过开关与所述微触发可控硅的阴极相连，同时通过第二电阻与所述微触发可控硅的阴极相连，同时通过所述第三电容与所述微触发可控硅的阴极相连。4.根据权利要求3所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述延时电路的开关为：三极管。5.根据权利要求3所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述延时电路的开关为：光电耦合器中的光敏三极管。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学文，
申请(专利权)人：湖南水口山有色金属集团有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43