一种稀土离子激活的纳米六氟硅钡强近紫外发射荧光体及制备方法技术

一种稀土离子激活的紫外激发近紫外发射的纳米六氟硅钡荧光体及制备方法。本发明专利技术六氟硅钡荧光体的化学表达式为Ba1-xSiF6:x Eu2+。本发明专利技术的制备方法是，称取一定量氟硅酸、EuCl2、Ba(CH3COO)2，在油酸和1-十八烯混合溶液中先制备前驱体，然后加入氟化氢铵的甲醇溶液，在氮气保护下，经升温蒸甲醇再升温到300-320℃高温热分解，最后经洗涤干燥研磨制得。本发明专利技术的制备方法较复杂，合成的六氟硅钡荧光体具有紫外激发近紫外发射、峰形尖锐、峰位固定以及发光强的优点，是应用在荧光光谱仪校准以及近紫外激光器上的理想荧光材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种稀土离子激活的纳米六氟硅钡强近紫外发射荧光体，其特征在于：它是以BaSiF6为基体，采用掺杂的Eu2+作为激活离子，其化学表达式为Ba1‑xSiF6:xEu2+，其中0.001<x<0.2，其发射强峰唯一且位置固定在358.5nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：华瑞年，张伟，肇欣，赵君，
申请(专利权)人：大连民族学院，
类型：发明
国别省市：辽宁;21