基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构，包括核心单元和外围电路，所述核心单元SAPUF结构是一种利用StrongARM型锁存灵敏放大器差分结构作为PUF的结构；所述外围电路包括一个SRAM存储器。SAPUF结构上电后，对其施加正偏压，得到N*N的码值，存储到SRAM中，对SAPUF施加负偏压，同时读取预存在SRAM中的码值，与新码值进行同或比较，将结果写入SRAM中，若结果为1，则选定的SAPUF结构稳定，若结果为0，则结构不稳定，以此作为可靠PUF的地址标记存储下来；对AES密钥产生结构施加零偏压，控制器参照预先存储在SRAM中的可靠PUF的地址，从SAPUF阵列中读取相应数目的码值，作为密钥进行输出。本发明专利技术为AES加解密电路提供密钥，保证密钥的唯一性、不可复制性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构，其特征在于，包括核心单元和外围电路，所述核心单元为SAPUF结构，所述SAPUF结构是一种利用StrongARM型锁存灵敏放大器作为PUF的结构；所述外围电路包括一个SRAM存储器；所述StrongARM型锁存灵敏放大器为差分结构，包括七个场效应管:N1管、N2管、N3管、N4管、N5管、P1管和P2管，其中，N3管和N4管构成MOS对管，所述N3管和N4管的栅极接位线；N5管为使能管，N5管的栅极接使能控制信号EN，该使能控制信号EN控制放大器的开启与关断；N1管、N2管、P1管和P2管构成正反馈的锁存结构，该锁存结构相对于所述的MOS对管为负载；N1管和P1管的栅极为放大器的输出端OUT，所述P1管和P2管的源极为放大器的电源端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵毅强，何家骥，束庆冉，杨松，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12