硅表面的铜辅助抗反射蚀刻制造技术

一种用于蚀刻硅表面(116)以降低反射率的方法(300)。所述方法(300)包括在硅表面(116)上无电沉积尺寸为约20纳米的铜纳米颗粒，颗粒至颗粒的间隔为3－8纳米。所述方法(300)包括将具有硅表面(116)的衬底(112)置于(310)容器(122)中。用一定体积的蚀刻溶液(124)填充(340)容器(122)从而覆盖硅表面(116)。蚀刻溶液(124)包括氧化剂-蚀刻剂溶液(146)，例如氢氟酸和过氧化氢的水溶液。通过例如用超声搅动来搅动蚀刻溶液(124)而蚀刻(350)硅表面(116)，并且蚀刻可包括加热(360)蚀刻溶液(124)和将光引导至(365)硅表面(116)上。在蚀刻期间，铜纳米颗粒增强或驱动蚀刻过程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种使硅表面纹理化以降低反射率的方法，所述方法包括：将具有硅表面的衬底置于容器中，其中该硅表面包含多个铜颗粒；用一定体积的蚀刻溶液填充该容器，该蚀刻溶液覆盖该衬底的硅表面，其中该蚀刻溶液包含氧化剂‑蚀刻剂溶液，该氧化剂‑蚀刻剂溶液包含蚀刻剂和硅氧化剂；以及通过搅动该容器中的蚀刻溶液来蚀刻硅表面，由此将硅表面的反射率降低至小于约10％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·托尔，H·M·布兰日，
申请(专利权)人：可持续能源联合有限责任公司美国，
类型：发明
国别省市：美国;US