半导体器件和处理方法技术

半导体器件和处理方法。根据各种实施例的用于处理半导体器件的方法可包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和处理方法相关申请本申请是部分继续申请且根据美国法典第35条120款要求当前待决的2012年10月9日提交的美国申请序号13/647,480的权益，并且此外涉及2013年10月9日提交的德国专利申请号102013111154.8且根据美国法典第35条119款要求其优先权，其所有的内容被整体地通过引用结合到本文中。
各种实施例涉及半导体器件和用于处理半导体器件的方法。
技术介绍
一种类型的半导体器件是诸如沟槽晶体管之类的沟槽器件，例如沟槽场效应晶体管（FET）或沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）。具有高或非常高的集成密度的沟槽器件可包括大量（例如数千、数万、数十万或数百万或者甚至更多）的单元（cell），其有时也被称为单元场（cellfield）。单元场中的一个或几个有缺陷单元可能已经影响器件的操作行为且甚至可能使得器件不可使用。因此，可能期望在器件的预先测试中（例如在前端处理阶段中）检测到具有有缺陷单元的器件，例如以便防止有缺陷器件被递送给客户。在本上下文中，可能期望对被耦合到单元的一个或多个接触焊盘施加单个测试电位。
技术实现思路
根据各种实施例，一种用于处理半导体器件的方法可包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接。根据各种实施例，一种半导体器件可包括：至少一个器件单元，其包括至少一个沟槽、至少一个第一端子电极端子区、至少一个第二端子电极区、至少一个栅极电极、以及至少部分地设置在所述至少一个沟槽中的至少一个附加电极；第一焊盘，被耦合到所述至少一个第一电极端子区；第二焊盘，被耦合到所述至少一个附加电极；以及导电层，设置在第一焊盘和第二焊盘的至少一部分上且将第一焊盘电连接到第二焊盘。根据各种实施例，一种用于处理半导体器件的方法可包括：提供半导体器件，其具有第一焊盘、第二焊盘以及耦合在第一焊盘与第二焊盘之间且在其中第一和第二焊盘经由开关元件而被相互电连接的第一状态与其中第一和第二焊盘相互电分离的第二状态之间可切换的开关元件；在开关元件处于第二状态时向第一和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在向第一和第二焊盘中的所述至少一个施加所述至少一个电测试电位之后将开关元件从第二状态切换至第一状态。根据各种实施例，一种半导体器件可包括：至少一个器件单元，其包括至少一个沟槽、至少一个第一端子电极端子区、至少一个第二端子电极区、至少一个栅极电极、以及至少部分地设置在所述至少一个沟槽中的至少一个附加电极；第一焊盘，被耦合到所述至少一个第一电极端子区；第二焊盘，被耦合到所述至少一个附加电极；开关元件，被电耦合在第一焊盘和第二焊盘之间，并且在其中第一和第二焊盘经由开关元件而被相互电连接的第一状态与其中第一和第二焊盘相互电分离的第二状态之间可切换。附图说明在图中，相似的参考字符遍及不同的视图一般地指的是相同部分。附图不一定按比例，而是一般地将重点放在说明本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下的图来描述本专利技术的各种实施例，在所述附图中：图1A示出供一个或多个实施例使用的示例性半导体器件的截面图，并且图1B示出了沿着图1A中的线A—A'的截面图；图1C示出了供一个或多个实施例使用的另一示例性半导体器件的截面图；图2至5示出了供一个或多个实施例使用的另一示例性半导体器件的截面图；图6A示出了图示出沟槽晶体管的击穿电压对重复雪崩脉冲数目的相关性的图；图6B示出了图示出用于无缺陷晶体管单元和有缺陷晶体管单元的击穿电压的相关性的图；图7A示出了根据各种实施例的测试方法；图7B示出了根据各种实施例的测试方法；图8示出了根据各种实施例的测试装置；图9示出了具有各种单元缺陷的半导体器件，并且进一步示出电扫描曲线，用于图示出一个或多个实施例的方面；图10示出了供一个或多个实施例使用的示例性半导体器件的截面图；图11示出了根据各种实施例的测试方法；图12示出了根据各种实施例的用于处理半导体器件的方法；图13A和13B示出了根据各种实施例的第一处理阶段期间的半导体器件；图14A和14B示出了根据各种实施例的第二处理阶段期间的半导体器件；图15示出了根据各种实施例的用于处理半导体器件的方法；图16示出了根据各种实施例的半导体器件的布局图；图17示出了图16的剖面的放大图；图18示出了图17的剖面的放大图。具体实施方式以下详细描述参考附图，其作为例证示出了特定细节和其中可实施本专利技术的实施例。足够详细地描述了这些实施例以使得本领域的技术人员能够实施本专利技术。在不脱离本专利技术的范围的情况下，可利用其它实施例且可进行结构、逻辑以及电气变化。各种实施例不一定是互相排斥的，因为可将某些实施例与一个或多个其它实施例组合以形成新的实施例。结合方法来描述各种实施例并结合器件来描述各种实施例。然而，可理解的是结合方法所述的实施例可类似地应用于器件且反之亦然。词语“示例性”在本文中用来意指“用作示例、实例或例证”。在本文中描述为“示例性的”的任何实施例或设计不一定被解释为相比于其它实施例或设计而言是优选或有利的。可将术语“至少一个”和“一个或多个”理解成包括大于或等于一的任何整数，即一、二、三、四……等。可将术语“多个”理解成包括大于或等于二的任何整数，即二、三、四、五……等。在本文中用来描述形成特征、例如侧面或表面“上面”的层的词语“上面”可用来意指可“直接地”在暗指侧面或表面上面例如与之直接接触地形成该特征，例如层。可使用在本文中用来描述形成特征、例如在侧面或表面“上面”的层的词语“上面”来意指可“间接地”在暗指侧面或表面上形成特征，例如层，其中在暗指侧面或表面与形成的层之间布置一个或多个附加的层。以类似方式，在本文中用来描述设置在另一个上面的特征的词语“覆盖”，例如“覆盖”侧面或表面的层，可用来意指可在暗指侧面或表面上面且与之直接接触地设置该特征，例如层。在本文中用来描述设置在另一个上面的特征的词语“覆盖”，例如“覆盖”侧面或表面的层，可用来意指可设置在暗指侧面或表面上且与之间接接触地设置特征，例如层，其中在暗指侧面或表面与覆盖层之间布置一个或多个附加层。可将术语“耦合”或“连接”理解成包括直接“耦合”或“连接”的情况和间接“耦合”或“连接”的情况两者。图1A示出了供一个或多个实施例使用的示例性半导体器件100的截面图，并且图1B示出了沿着图1A中的线A—A'的半导体器件100的截面图。半导体器件100可包括第一侧123和第二侧124，其可与第一侧123相对。第一侧123可例如是半导体器件100的正面，并且第二侧124可例如是半导体器件100的背面。可将半导体器件100配置为包括多个器件单元120的沟槽晶体管（在这种情况下即晶体管单元），每个器件单元120包括沟槽130。箭头121指示沟槽宽度wt（沟槽130的宽度），并且箭头122指示相邻沟槽130之间的距离wm，其有时也称为台面宽度。出于举例说明的目的而示出了三个单元120，然而，可理解的是单元120的数目可不同于三个，并且可例如比三个大得多，诸如约数千个、数万个或数百万个或者甚至更多的单元。半导体器件100可例如被配置为功率晶体管，例如作为功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理半导体器件的方法，包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接。

【技术特征摘要】
2013.10.17 US 14/0559821.一种用于处理半导体器件的方法，包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接；其中，所述半导体器件包括多个器件单元，并且其中，所述至少一个电测试电位被配置成检测所述多个器件单元中的缺陷。2.权利要求1的方法，其中，半导体器件被配置为沟槽晶体管，所述沟槽晶体管包括源极端子区、漏极端子区、栅极电极以及至少部分地设置在沟槽中的至少一个附加电极，其中，所述第一焊盘被耦合到源极端子区且所述第二焊盘被耦合到所述至少一个附加电极。3.权利要求2的方法，其中，所述至少一个附加电极被配置为屏蔽电极。4.权利要求1的方法，其中，将第一和第二焊盘相互电连接包括在第一和第二焊盘的至少一部分上面沉积导电层。5.权利要求4的方法，其中，所述导电层包括金属和金属合金中的至少一个。6.权利要求4的方法，其中，所述导电层具有比第一和第二焊盘中的至少一个更大的厚度。7.权利要求1的方法，其中，所述第一和第二焊盘是相邻焊盘，并且在第一和第二焊盘之间未设置导电元件。8.权利要求1的方法，其中，在线后端处理阶段中执行将第一和第二焊盘相互电连接。9.一种半导体器件，包括：至少一个器件单元，包括至少一个沟槽、至少一个第一端子电极区、至少一个第二端子电极区、至少一个栅极电极、以及至少部分地设置在所述至少一个沟槽中的至少一个附加电极；第一焊盘，被耦合到所述至少一个第一端子电极区；第二焊盘，被耦合到所述至少一个附加电极；导电层，设置在第一焊盘和第二焊盘的至少一部分上且将第一焊盘电连接到第二焊盘。10.一种用于处理半导体器件的方法，包括：提供具有第一焊盘、第二焊盘以及开关元件的半导体器件，所述开关元件耦合在第一焊盘与第二焊盘之间且在其中第一和第二焊盘经由开关元件而被相互电连接的第一状态与其中第一和第二焊盘并未经由开关元件被相互电连接的第二状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：L博鲁基，F希尔勒，P内勒，EJ福格尔，M温克勒，M聪德尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE