【技术实现步骤摘要】
一种用于平行束离子源的阳极装置
本技术涉及一种用于平行束离子源的阳极装置，尤其适用于离子束刻蚀设备大口径平行束离子源作为阳极使用。
技术介绍
离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点，并且可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如:金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料。 目前现有的离子源阳极基本均为板状结构，由于阳极中心与放电室距离增大，造成放电室内电场不均匀，放电室出口边缘位置电场较弱，最终影响放电室内的放电均匀性，从而造成离子束周边的束流较小。
技术实现思路
针对离子束刻蚀设备的刻蚀均匀性要求，本技术旨在提供一种用于平行束离子源的阳极装置，该阳极装置可以提高离子源出口离子束均匀性，从而提高刻蚀工艺均匀性。 为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案是: 一种用于平行束离子源的阳极装置，包括阳极底板，在阳极底板上表面固定装设有多个金属环；相邻两个金属环中，一个金属环位于另一个金属环内，且相邻两个金属环之间具有间隙。 由此，金属环改变了离子源放电室内的电场分布，从而提高了放电室内电场的均匀性。 以下为本技术的进一步改进的技术方案: 为了进一步提高放电室内电场的均匀性，根据本技术的实施例，多个金属环中，位于外侧的金属环垂直于阳极底板的高度低于位于内侧的金属环，换句话说，金属环的高度由中心向外呈降低趋势。 所述阳极底板上设有减少其在离子源放电室内径向方...
【技术保护点】
一种用于平行束离子源的阳极装置，包括阳极底板（1），其特征在于，在阳极底板（1）上表面固定装设有多个金属环（2）；相邻两个金属环（2）中，一个金属环位于另一个金属环内，且相邻两个金属环（2）之间具有间隙。
【技术特征摘要】
1.一种用于平行束离子源的阳极装置，包括阳极底板(1)，其特征在于，在阳极底板(I)上表面固定装设有多个金属环(2);相邻两个金属环(2)中，一个金属环位于另一个金属环内，且相邻两个金属环(2 )之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的用于平行束离子源的阳极装置，其特征在于，多个金属环(2)中，位于外侧的金属环垂直于阳极底板(I)的高度低于位于内侧的金属环。3.根据权利要求1所述的用于平行束离子源的阳极装置，其特征在于，所述阳极底板(I)上设有减少其在离子源放电...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙雪平，佘鹏程，彭立波，陈特超，刘欣，廖焕金，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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