晶圆刻蚀装置制造方法及图纸

技术编号:11348381 阅读:81 留言:0更新日期:2015-04-24 04:28
本实用新型专利技术提供了一种晶圆刻蚀装置,包括:载体,所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽,所述晶圆可在所述卡槽内转动;位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置,所述传动装置带动所述晶圆匀速转动,使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。由于传动装置能够带动晶圆匀速转动,因此,就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中,这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新,从而提高了生产效率,缩短了生产周期;并且,由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动,因此,晶圆各个区域的反应速度趋于一致,从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。

【技术实现步骤摘要】
晶圆刻蚀装置
本技术涉及半导体工艺
,更具体地说,涉及一种晶圆刻蚀装置。
技术介绍
晶圆是制作硅半导体集成电路所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在采用晶圆制作半导体器件的过程中,为了满足晶圆晶粒的分割以及半导体器件电特性的需求,人们对晶圆沟槽刻蚀均匀性的要求越来越高。 为了使刻蚀后的晶圆的沟槽深度和宽度都达到理想的要求,现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式,来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积,保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性,但是,这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长,生产效率较低。
技术实现思路
本技术提供了一种晶圆刻蚀装置,以解决现有技术中采用减少一次蚀刻中晶圆数量,保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性的方式,生产周期较长,生产效率较低的问题。 为实现上述目的,本技术提供了如下技术方案: 一种晶圆刻蚀装置,包括: 载体,所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽,所述晶圆可在所述卡槽内转动; 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置,所述传动装置带动所述晶圆转动,使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。 优选的,所述传动装置包括: 位于所述晶圆底部且带动所述晶圆转动的传送带; 带动所述传送带匀速运行的传动轮; 通过传动轴与所述传动轮相连的电机。 优选的,所述电机按照预设速度运行,并带动所述晶圆匀速转动。 优选的,所述传送带、传动轮以及传动轴均为耐酸性材质。 优选的,所述载体为铁氟龙舟。 与现有技术相比,本技术所提供的技术方案至少具有以下优点: 本技术所提供的晶圆刻蚀装置,包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置,由于传动装置能够带动晶圆匀速转动,因此,就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中,这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新,从而提高了生产效率,缩短了生产周期;并且,由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动,因此,晶圆各个区域的反应速度趋于一致,从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术的一个实施例提供的晶圆刻蚀装置结构示意图; 图2为本技术的一个实施例提供的传动装置的结构示意图。 【具体实施方式】 正如
技术介绍
所述,现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式,来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积,保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性,但是,这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长,生产效率较低。 基于此,本技术提供了一种晶圆刻蚀装置,以克服现有技术存在的上述问题,包括: 载体,所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽,所述晶圆可在所述卡槽内转动; 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置,所述传动装置带动所述晶圆匀速转动,使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。 本技术所提供的晶圆刻蚀装置,包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置,由于传动装置能够带动晶圆匀速转动,因此,就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中,这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新,从而提高了生产效率,缩短了生产周期;并且,由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动,因此,晶圆各个区域的反应速度趋于一致,从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做详细的说明。 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术,但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广,因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。 其次,本技术结合示意图进行详细描述,在详述本技术实施例时,为便于说明,表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本技术保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。 本实施例提供了一种晶圆刻蚀装置,用于晶圆深槽的刻蚀,以制作集成电路及半导体器件。如图1所示,本实施例中的晶圆刻蚀装置包括:载体10和传动装置20,其中,所述载体10具有多个可承载晶圆的卡槽101,所述卡槽101可放置晶圆102,且晶圆102可在所述卡槽101内自由转动;传动装置20位于所述载体10的底面以及所述晶圆102的底部,在所述晶圆102上刻蚀深槽时,所述传动装置20带动所述晶圆102转动,使所述晶圆102与所述载体10内的刻蚀溶液均匀反应。 本实施例中,载体10优选为铁氟龙舟,其材质是铁氟龙,耐酸碱,不易被刻蚀溶液腐蚀,且其内部为弧形设计,且具有多个卡槽,在卡槽内放置晶圆后,晶圆可自由转动。 并且,本实施例中的传动装置20,如图2所示,包括:位于所述晶圆102底部且带动所述晶圆102转动的传送带201 ;带动所述传送带201勾速运行的传动轮202 ;通过传动轴203与所述传动轮202相连的电机204。其中,传送带201可带动晶圆102的边缘沿某一方向转动,当然,在其他实施例中,传送带也可带动晶圆以其他方式转动,本技术并不仅限于此。 由于载体10内承载有刻蚀溶液,因此,位于载体10底面的传送带201必须为耐酸性材质,并且,需要同样耐酸性材质的传动轮202以及传动轴203与电机204相连。在电机204设置一定的转速并启动后,电机204通过传动轴203的传动使传送带201转动起来,由于传送带201在转动的同时也带动了晶圆102的转动,因此,就增加了刻蚀溶液在晶圆102表面的流动,使得刻蚀反应快速且均匀,最终达到了沟槽深宽度蚀刻均匀的效果。 本实施例提供的晶圆刻蚀装置,包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置,由于传动装置能够带动晶圆匀速转动,因此,就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中,这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新,从而提高了生产效率,缩短了生产周期;并且,由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动,因此,使得晶圆各个区域的反应速度趋于一致,从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 虽然本技术已以较佳实施例披露如上,然而并非用以限定本技术。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本技术技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本技术技术方案的内容,依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种晶圆刻蚀装置,其特征在于,包括:载体,所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽,所述晶圆可在所述卡槽内转动;位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置,所述传动装置带动所述晶圆匀速转动,使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀装置,其特征在于,包括: 载体,所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽,所述晶圆可在所述卡槽内转动; 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置,所述传动装置带动所述晶圆匀速转动,使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述传动装置包括: 位于所述晶圆底部且带动所述晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪良恩汪曦凌
申请(专利权)人:安徽安芯电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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