晶圆刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶圆刻蚀装置，包括：载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。

【技术实现步骤摘要】
晶圆刻蚀装置
本技术涉及半导体工艺
，更具体地说，涉及一种晶圆刻蚀装置。
技术介绍
晶圆是制作硅半导体集成电路所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在采用晶圆制作半导体器件的过程中，为了满足晶圆晶粒的分割以及半导体器件电特性的需求，人们对晶圆沟槽刻蚀均匀性的要求越来越高。 为了使刻蚀后的晶圆的沟槽深度和宽度都达到理想的要求，现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式，来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性，但是，这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长，生产效率较低。
技术实现思路
本技术提供了一种晶圆刻蚀装置，以解决现有技术中采用减少一次蚀刻中晶圆数量，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性的方式，生产周期较长，生产效率较低的问题。 为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案: 一种晶圆刻蚀装置，包括: 载体，所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动； 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。 优选的，所述传动装置包括: 位于所述晶圆底部且带动所述晶圆转动的传送带； 带动所述传送带匀速运行的传动轮； 通过传动轴与所述传动轮相连的电机。 优选的，所述电机按照预设速度运行，并带动所述晶圆匀速转动。 优选的，所述传送带、传动轮以及传动轴均为耐酸性材质。 优选的，所述载体为铁氟龙舟。 与现有技术相比，本技术所提供的技术方案至少具有以下优点: 本技术所提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术的一个实施例提供的晶圆刻蚀装置结构示意图； 图2为本技术的一个实施例提供的传动装置的结构示意图。 【具体实施方式】 正如
技术介绍
所述，现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式，来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性，但是，这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长，生产效率较低。 基于此，本技术提供了一种晶圆刻蚀装置，以克服现有技术存在的上述问题，包括: 载体，所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动； 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。 本技术所提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做详细的说明。 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。 其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。 本实施例提供了一种晶圆刻蚀装置，用于晶圆深槽的刻蚀，以制作集成电路及半导体器件。如图1所示，本实施例中的晶圆刻蚀装置包括:载体10和传动装置20，其中，所述载体10具有多个可承载晶圆的卡槽101，所述卡槽101可放置晶圆102，且晶圆102可在所述卡槽101内自由转动；传动装置20位于所述载体10的底面以及所述晶圆102的底部，在所述晶圆102上刻蚀深槽时，所述传动装置20带动所述晶圆102转动，使所述晶圆102与所述载体10内的刻蚀溶液均匀反应。 本实施例中，载体10优选为铁氟龙舟，其材质是铁氟龙，耐酸碱，不易被刻蚀溶液腐蚀，且其内部为弧形设计，且具有多个卡槽，在卡槽内放置晶圆后，晶圆可自由转动。 并且，本实施例中的传动装置20，如图2所示，包括:位于所述晶圆102底部且带动所述晶圆102转动的传送带201 ;带动所述传送带201勾速运行的传动轮202 ;通过传动轴203与所述传动轮202相连的电机204。其中，传送带201可带动晶圆102的边缘沿某一方向转动，当然，在其他实施例中，传送带也可带动晶圆以其他方式转动，本技术并不仅限于此。 由于载体10内承载有刻蚀溶液，因此，位于载体10底面的传送带201必须为耐酸性材质，并且，需要同样耐酸性材质的传动轮202以及传动轴203与电机204相连。在电机204设置一定的转速并启动后，电机204通过传动轴203的传动使传送带201转动起来，由于传送带201在转动的同时也带动了晶圆102的转动，因此，就增加了刻蚀溶液在晶圆102表面的流动，使得刻蚀反应快速且均匀，最终达到了沟槽深宽度蚀刻均匀的效果。 本实施例提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，使得晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 虽然本技术已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆刻蚀装置，其特征在于，包括：载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀装置，其特征在于，包括: 载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动； 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传动装置包括: 位于所述晶圆底部且带动所述晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，汪曦凌，
申请(专利权)人：安徽安芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34