本发明专利技术公开低介电常数ZIF-8材料薄膜及其制备方法、用途，所述的制备方法包括以下步骤：（1）将衬底清洗，烘干；（2）将衬底进行亲水处理；（3）分别配制六水合硝酸锌水溶液和2-甲基咪唑的甲醇溶液；（4）取六水合硝酸锌水溶液及2-甲基咪唑的甲醇溶液反应，取出衬底，将表面反应液冲洗掉，吹干，即在衬底上制备得到ZIF-8薄膜；（5）重复步骤（4）至硅衬底表面ZIF-8薄膜的厚度为900-1100nm。制备得到的ZIF-8材料薄膜薄膜致密，缺陷少，具有很好的连续性；可在多种基底上制备，尤其是能够在单晶硅、多晶硅上制备获得，和现有的硅基集成电路有高度的兼容性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料领域，涉及一种低介电常数材料薄膜及其制备方法、用途。
技术介绍
在大规模集成电路中，为了减少信号传输延迟、干扰噪声及功率耗散，需要使用低介电常数材料来作为内部连接层。传统的内部连接层为S12 (k ^ 3.9)，但是随着集成电路集成度的增加，S12S远不能满足实际要求，所以多年来人们一直都在努力寻找各种合适的低介电常数材料。到目前为止，各种低介电常数材料薄膜包括有机聚合物材料、氟化的二氧化娃、非晶碳氮薄膜等无机材料、MSQ多孔低k材料以及纳米低k材料等被研制出来，但是真正能实现产业化应用的屈指可数。在一些新型的材料中，一类具有有机金属骨架结构的(MOFs)材料引起了科学界的广泛关注。MOFs是三维结构，是通过有机(金属离子)和无机部分通过强烈的配位键结合成的开式结构。这种构架使得内部孔状网络能够有选择地吸附分子，为此此种材料在气体存储，药物传输，催化，传感器等领域得到了广泛研宄。但是他们的电学特性尤其是在微电子领域的应用仍然处于初步研宄中。在所报道的MOFs材料中，ZIFs是一类新的分支，这类材料具有良好的热化学稳定性，在微电子领域可能具有十分潜在的应用价值。其中研宄最多的ZIF结构是ZIF-8，锌离子聚集态通过甲基咪唑配位键连接起来，表现出方钠石拓扑结构。关于ZIF-8的制备方法很多，但是存在的缺点是表面形貌差、膜厚不好控制，而且很耗时等。
技术实现思路
要解决的技术问题:目前常见的用于产业化集成电路的内部连接层材料介电常数高、薄膜形貌差、薄膜厚度难以控制，薄膜连续性较差，并且其制备工艺过于繁杂等。技术方案: 本专利技术的目的是提出一种溶液法生长厚度可控的多孔低介电常数ZIF-8薄膜。低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤: (1)将衬底切割好之后分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，烘干； (2)将清洗后的衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将衬底浸入混合溶液中，在温度为50-80°C下加热1-3小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干； (3)分别配制浓度为15-25mM的六水合硝酸锌水溶液和30_50mM的2-甲基咪唑的甲醇溶液各100mL ； (4)取步骤(3)的15-25mM六水合硝酸锌水溶液及30_50mM2-甲基咪唑的甲醇溶液均为5-10mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的衬底放入玻璃瓶中，室温下反应15-30min，取出衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在衬底上制备得到ZIF-8薄膜； (5)重复步骤(4)至硅衬底表面ZIF-8薄膜的厚度为900-1100nm。优选的，所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，制备方法中六水合硝酸锌水溶液的浓度为25mM。优选的，所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，制备方法中2-甲基咪唑的甲醇溶液的浓度为50mM。优选的，所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，制备方法中步骤(4)中室温下反应30min。优选的，所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法，所述的制备方法中所述的衬底为单晶硅衬底、多晶硅衬底或ITO导电玻璃。以上任一所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜的制备方法制备得到的低介电常数ZIF-8材料薄膜。所述的低介电常数ZIF-8材料薄膜在制备集成电路中的用途，所述的ZIF-8材料薄膜在集成电路中介电常数值为2.04。本专利技术与现有技术相比，其有益效果为: (1)此种材料是一种孔道尺寸在4A-11.6 A的微孔材料，薄膜致密，缺陷少，具有很好的连续性，并且热稳定性高达550°c，是一种比较理想的低介电常数材料薄膜； (2)此种材料可在多种基底上制备，尤其是能够在单晶娃、多晶娃上制备获得，和现有的硅基集成电路有高度的兼容性。(3)本专利技术提出的低介电常数材料薄膜，是采用室温溶液原位生长的方法，以六水合硝酸锌和2-甲基咪唑为原材料，以甲醇为溶剂来制备厚度可控的低介电常数ZIF-8薄膜。所得到的ZIF-8薄膜致密、缺陷少、具有很好的连续性和热化学稳定性，介电常数可低至2.04。【附图说明】图1为本专利技术中在硅衬底上制备的ZIF-8材料薄膜的SEM表面形貌； 图2为本专利技术中制备在硅衬底上ZIF-8材料薄膜的理论模拟及实验的XRD图谱； 图3为本专利技术中用精密阻抗谱测得的ZIF-8材料薄膜的电容-频率曲线及其测试结构。【具体实施方式】以下结合实施例对本专利技术作进一步的说明。采用本专利技术所提供的低介电常数材料薄膜及其制备方法可以通过溶液法原位生长厚度可控的低介电常数ZIF-8薄膜。实施例1 (O提供一个(100)取向的η型硅衬底(低阻单晶硅衬底)，切割好之后分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，每次15min，然后放入干燥箱烘干； (2)将清洗后的η型硅衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将η型硅衬底浸入混合溶液中，在温度为70°C下加热2小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干； (3)分别配制浓度为25mM的六水合硝酸锌水溶液和50mM的2-甲基咪唑的甲醇溶液各100mL ； (4)取步骤(3)的25mMZn(NO3)2.6H20水溶液及50mM 2-甲基咪唑的甲醇溶液均为10mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的η型硅衬底放入玻璃瓶中，室温下反应30min，取出η型硅衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在η型硅衬底上制备得到ZIF-8薄膜。(5)将步骤(4)再重复10次，即得到厚度为100nm的ZIF-8材料薄膜。从图1可以看出实施例1制备得到的ZIF-8薄膜致密，缺陷少，具有很好的连续性； 从图2可以看出实验所得到的薄膜的XRD图谱和模拟图谱基本一样； 从图3可以得到在IMHz下ZIF-8材料薄膜的电容值为170pF，通过椭偏仪测得膜厚为984.51nm，薄膜的有效面积为9mm2，经计算得出介电常数值为2.04当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
低介电常数ZIF‑8材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：（1）将衬底切割好之后分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗，烘干；（2）将清洗后的衬底进行亲水处理，在玻璃表面皿中放入体积比为1:1:5的氨水、过氧化氢及去离子水的混合溶液，将衬底浸入混合溶液中，在温度为50‑80℃下加热1‑3小时，冷却至室温后，用去离子水冲洗三次，然后用氮气吹干；（3）分别配制浓度为15‑25mM的六水合硝酸锌水溶液和30‑50mM的2‑甲基咪唑的甲醇溶液各1000mL；（4）取步骤（3）的15‑25mM六水合硝酸锌水溶液及30‑50mM 2‑甲基咪唑的甲醇溶液均为5‑10mL，加入玻璃瓶中，快速震荡，混合均匀后，将处理过的衬底放入玻璃瓶中，室温下反应15‑30min，取出衬底，用无水甲醇将表面反应液冲洗掉，再用氮气吹干，即在衬底上制备得到ZIF‑8薄膜；（5）重复步骤（4）至衬底表面ZIF‑8薄膜的厚度为900‑1100nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆广，廖良生，张青，袁大星，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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