本发明专利技术公开了一种接触孔的工艺方法,包含步骤:第一步,接触孔刻蚀形成之后,进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺;第二步,接触孔内再淀积一层金属钨;第三步,对淀积的金属钨进行回刻;第四步,进行金属溅射工艺填充接触孔。本发明专利技术利用了填孔效果好的LPCVD钨淀积工艺,在接触孔刻蚀形成的底部凹陷处形成钨侧墙,以弥补钛/氮化钛阻挡层底部边缘处厚度的不足,有效改善了填充金属铝或铝/铜和硅之间扩散形成铝钉的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域,特别是指一种针对硅片。
技术介绍
在集成电路制造工艺过程中,通过接触孔工艺将位于硅片上的各种器件的各个电 极引出至介质层上,利用多层金属互联将集成电路的电极引出,以便于后段进行封装。 接触(contact)是指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接,接触孔 刻蚀形成之后,用金属铝进行填充,但由于金属铝与硅材料之间的相互扩散的问题,金属铝 和硅材料的相互扩散在加热的过程中形成微合金,这一过程被称为结"穿通",在界面处容 易形成铝钉(Spiking),可能导致器件漏电或失效。为解决这一问题,通常在金属钨和硅材 料之间还具有阻挡层金属,如钛/氮化钛,来改善铝和硅材料直接接触所产生的上述问题。 随着接触孔尺寸的缩小,接触孔回刻的时候,在接触孔底部边角存在刻蚀后形成 凹陷的情况,如图1所示(圆圈处为凹陷),而后续进行钛/氮化钛阻挡层金属溅射工艺的 时候,由于钛/氮化钛溅射填孔能力的不足,使得阻挡层在接触孔边角凹陷的地方变薄,即 阻挡层金属厚度不足,无法起到阻止铝和硅之间的扩散防止铝钉的效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种,适用于填充铝的接 触孔工艺,有效防止铝钉的形成。 为解决上述问题,本专利技术所述的,包含如下步骤: 第一步,接触孔刻蚀形成之后,进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺; 第二步,接触孔内再淀积一层金属钨; 第三步,对淀积的金属钨进行回刻; 第四步,进行金属溅射工艺填充接触孔。 进一步地,所述第二步中,淀积金属鹤的厚度为4000?6000A。 进一步地,所述第二步中,淀积金属钨采用LPCVD工艺。 进一步地,所述第三步中,回刻金属钨至在接触孔底部边缘处的钨得到保留形成 侧墙。 进一步地,所述第四步中,溅射的金属为铝或铝和铜。 本专利技术所述的,利用金属钨填充接触孔刻蚀形成的底部边缘的 凹陷,形成侧墙结构,弥补了该处阻挡层金属厚度的不足,有效地防止了接触孔底部铝钉的 形成。【附图说明】 图1是接触孔底部刻蚀凹陷示意图。 图2?5是本专利技术工艺步骤示意图。 图6是本专利技术工艺步骤流程图。 附图标记说明 1是娃衬底,2是二氧化娃,3是钦/氣化钦阻挡层,4是填充金属,5是金属鹤。【具体实施方式】 本专利技术所述的,包含如下步骤: 第一步,接触孔刻蚀形成之后,进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺;由于接触孔刻 蚀工艺在接触孔底部边缘形成的凹陷,底部边缘处的钛/氮化钛阻挡层相对于其他位置, 厚度变薄,如图2所示。 第二步,接触孔内采用LPCVD工艺再淀积一层厚度为4000?6000A的金属钨,比如 厚度4000A,或者5000A,或者6000A均可。如图3所示。 第三步,对淀积的金属钨进行回刻。回刻掉器件表面及沟槽底部、上半部侧壁上的 金属钨,接触孔底部边缘由于存在凹陷使得填充的金属钨相对较厚,钨回刻能形成侧墙结 构,以弥补阻挡层凹陷。如图4所示。 第四步,进行金属溅射工艺填充接触孔。溅射的金属为铝,或铝和铜的混合物,将 接触孔填满。 填满金属之后的接触孔,其底部边缘虽然存在凹陷,且其凹陷处的钛/氮化钛阻 挡层的厚度薄,但是本专利技术利用了填孔能力强的LPCVD钨淀积工艺及刻蚀形成的钨侧墙结 构补偿了阻挡层的厚度不足,能够起到阻挡边缘处填充金属铝(或铝和铜混合物)与硅之 间的相互扩散形成的铝钉,改善了器件的性能。 以上仅为本专利技术的优选实施例,并不用于限定本专利技术。对于本领域的技术人员来 说,本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同 替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1. 一种,其特征在于:包含如下步骤: 第一步,接触孔刻蚀形成之后,进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺; 第二步,接触孔内再淀积一层金属钨; 第三步,对淀积的金属钨进行回刻; 第四步,进行金属溅射工艺填充接触孔。2. 如权利要求1所述的,其特征在于:所述第二步中,淀积金属钨的 厚度为4000?6000A。3. 如权利要求1所述的,其特征在于:所述第二步中,淀积金属钨采 用LPCVD工艺。4. 如权利要求1所述的,其特征在于:所述第三步中,回刻金属钨至 在接触孔底部边缘处的钨得到保留形成侧墙。5. 如权利要求1所述的,其特征在于:所述第四步中,溅射的金属为 铝或铝和铜。【专利摘要】本专利技术公开了一种,包含步骤:第一步,接触孔刻蚀形成之后,进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺;第二步,接触孔内再淀积一层金属钨;第三步,对淀积的金属钨进行回刻;第四步,进行金属溅射工艺填充接触孔。本专利技术利用了填孔效果好的LPCVD钨淀积工艺,在接触孔刻蚀形成的底部凹陷处形成钨侧墙,以弥补钛/氮化钛阻挡层底部边缘处厚度的不足,有效改善了填充金属铝或铝/铜和硅之间扩散形成铝钉的问题。【IPC分类】H01L21-768【公开号】CN104538347【申请号】CN201410854000【专利技术人】李豪 【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司【公开日】2015年4月22日【申请日】2014年12月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种接触孔的工艺方法,其特征在于:包含如下步骤:第一步,接触孔刻蚀形成之后,进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺;第二步,接触孔内再淀积一层金属钨;第三步,对淀积的金属钨进行回刻;第四步,进行金属溅射工艺填充接触孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李豪,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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