【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域，涉及GaN外延用硅衬底材料技术研发，特别是一种。
技术介绍
GaN材料的研宄与应用是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体的第三代半导体材料，GaN外延衬底常见有Si/SiC/Al203，而相对于Si衬底原料成本低、衬底散热系数大、可试做大尺寸的硅衬底等优点进行研发。虽然Si衬底相对其他材料有衬底原料成本低、衬底散热系数大等优点，但同时也存在一些负面的影响，如:晶格失配率高、热膨胀系数大、外延膜降温过程中产生裂纹及高温外延过程中片子翘曲度大。此类问题都均影响外延GaN的生长，故对衬底硅片的弯曲度/翘曲度值控制在小范围内显得十分必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能将衬底硅片的弯曲度/翘曲度值控制在小范围内的。为解决上述技术问题，本专利技术，包括如下步骤:第一步，将经切片、倒角、磨片加工后的硅片进行分类，分拣出凸出曲面的硅片及凹陷曲面的硅片；第二步，将凸出曲面的硅片翻转为凹陷曲面的硅片后指定硅片的凸出曲面进行气相沉积并指定凹陷曲面抛光加工。本专利技术能够有效降低GaN外延生长时导致硅片翘曲变化，从而降低GaN外延后产品大批不良发生率。【附图说明】图1为本专利技术流程图；图2为将凹陷曲面指定为气相沉积面，凸出曲面的硅片指定为抛光面进行加工前后的翘曲度数据变化图；图3为将凸出曲面指定为气相沉积面，凹陷曲面的硅片指定为抛光面进行加工前后的翘曲度数据变化图。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示，本专利技术，首先将经切片、倒角、磨片加工后的硅片进行分类，分拣出凸出曲面(+BOW)的硅...
【技术保护点】
GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，将经切片、倒角、磨片加工后的硅片进行分类，分拣出凸出曲面的硅片及凹陷曲面的硅片；第二步，将凸出曲面的硅片翻转为凹陷曲面的硅片后指定硅片的凸出曲面进行气相沉积并指定凹陷曲面抛光加工。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋玮，贺贤汉，金文明，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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