薄膜晶体管阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。薄膜晶体管阵列基板上设置多个像素，每个像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，第一至第三子像素连接至同一条扫描线，薄膜晶体管阵列基板上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线、第二数据线及第三数据线，第一数据线用于驱动第一子像素，第二数据线用于驱动第二子像素，第三数据线用于驱动第三子像素，第一子像素包括沿第二方向排列的第一区域及第二区域，第二子像素包括沿第二方向排列的第三区域及第四区域，第三子像素包括沿第二方向排列的第五区域及第六区域，第六区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于第五区域内的子像素电极与公共电极的电压差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。目前的液晶显示器主要是以薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)液晶显示器为主。随着平面显示技术的发展，具有广视角的液晶显示器的需求被提出。传统的广视角液晶显示面板在大视角观看的时候往往会出现色偏的问题。因此，现有技术中液晶显示面板在大视角观看的时候会出现色偏等技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板上设置呈阵列分布的多个像素，每个像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素连接至同一条扫描线，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线、第二数据线及第三数据线，所述第一数据线用于驱动所述第一子像素，所述第二数据线用于驱动所述第二子像素，所述第三数据线用于驱动所述第三子像素，所述第一子像素包括沿第二方向排列的第一区域及第二区域，所述第二子像素包括沿第二方向排列的第三区域及第四区域，所述第三子像素包括沿第二方向排列的第五区域及第六区域，所述第六区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域内的子像素电极与公共电极的电压差。其中，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管，所述第三区域内设置第三薄膜晶体管，所述第四区域内设置第四薄膜晶体管，所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管及所述第七薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接第一次子像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管及所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第五薄膜晶体管及所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极，所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第三次子像素电极，所述第七薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。其中，所述第四区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第三区域内的子像素电极与公共电极的电压差。其中，所述第四区域内设置第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管的栅极连接所述扫描线，所述第八薄膜晶体管的漏极连接所述第二次子像素电极，所述第八薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。其中，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置的第四数据线，所述第三数据线驱动所述第三子像素的第五区域，所述第四数据线驱动所述第三子像素的第六区域，所述第三数据线上加载的驱动电压与所述第四数据线上加载的驱动电压不同。其中，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管、所述第三区域内设置第四薄膜晶体管、所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接所述第一次像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管及所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第四数据线，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极。其中，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置第五数据线，所述第二数据线驱动所述第二子像素的第三区域，所述第五数据线驱动所述第二子像素的第四区域，所述第二数据线上加载的驱动电压与所述第五数据线上加载的驱动电压不同。其中，所述第一区域内设置第一薄膜晶体管，所述第二区域内设置第二薄膜晶体管，所述第三区域内设置第三薄膜晶体管，所述第四区域内设置第四薄膜晶体管，所述第五区域内设置第五薄膜晶体管，所述第六区域内设置第六薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的源极依次连接所述第一主子像素电极、第一电容至公共电极，所述第二薄膜晶体管的源极依次连接所述第一次子像素电极、第二电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管的源极依次连接第二主子像素电极、第三电容至公共电极，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第二数据线，所述第四薄膜晶体管的源极依次连接第二次子像素电极、第四电容至公共电极，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第五数据线，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第三数据线，所述第五薄膜晶体管的源极依次连接第三主子像素电极、第五电容至公共电极，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第四数据线，所述第六薄膜晶体管的源极依次连接第三次子像素电极、第六电容至公共电极。其中，所述第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。本专利技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述各实施方式中任意一种实施方式的薄膜晶体管阵列基板。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。图2是本专利技术第一较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。图3是本专利技术第二较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。图4是本专利技术第二较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。图5为本专利技术第三较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。图6是本专利技术第三较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。图7为本专利技术第四较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的示意图。图8是本专利技术第三较佳实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中像素的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板上设置呈阵列分布的多个像素，每个像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素连接至同一条扫描线，所述薄膜晶体管阵列基板上还设置沿第一方向依次排列的第一数据线、第二数据线及第三数据线，所述第一数据线用于驱动所述第一子像素，所述第二数据线用于驱动所述第二子像素，所述第三数据线用于驱动所述第三子像素，所述第一子像素包括沿第二方向排列的第一区域及第二区域，所述第二子像素包括沿第二方向排列的第三区域及第四区域，所述第三子像素包括沿第二方向排列的第五区域及第六区域，所述第六区域内的子像素电极与公共电极的电压差不同于所述第五区域内的子像素电极与公共电极的电压差。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜鹏，施明宏，康志聪，许哲豪，吕启标，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44