本发明专利技术公开了晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统，以提高晶圆切割的质量。该切割晶圆的方法包括：对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。本发明专利技术提供的方法避免了现有技术拍摄晶圆背面所遇到的保护膜导致的问题，另一方面，由于对晶圆正面图像进行了校正，据此所获得的晶圆映射图能够精确地反映晶圆切割位置，正反两面的切割位置能够很好地重合，因此，根据所述切割位置对晶圆实施正面和反面切割时能够获得较高的晶圆切割质量。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统，以提高晶圆切割的质量。该切割晶圆的方法包括：对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。本专利技术提供的方法避免了现有技术拍摄晶圆背面所遇到的保护膜导致的问题，另一方面，由于对晶圆正面图像进行了校正，据此所获得的晶圆映射图能够精确地反映晶圆切割位置，正反两面的切割位置能够很好地重合，因此，根据所述切割位置对晶圆实施正面和反面切割时能够获得较高的晶圆切割质量。【专利说明】晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统
本专利技术涉及激光加工领域，具体涉及晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆 的方法、系统。
技术介绍
晶圆也就是圆形的硅晶片，是制作硅半导体集成电路和其他各种电路元件的主要 材料。由于电路元件对晶圆的形状要求是多样的，因此，在制作这些电路元件前一个重要的 工艺就是对晶圆进行切割。晶圆切割工艺的第一步是确定晶圆的切割位置，在确定切割位 置后，再利用激光依据预先确定好的位置完成相应的切割工作。一般晶圆含有正面和背面 两个面，晶圆的正面具有很多经过光刻的划分线，这些划分线纵横交错，呈现出一个个的小 方格，而晶圆的背面没有类似于正面的划分线。比较传统的晶圆切割方法只是对晶圆的正 面进行激光切割后，利用裂膜机将其分离，这种切割方式进行操作时容易出现崩边和崩角 等现象，因而切割质量不高。 为了能够改善晶圆切割的质量，现有的一种切割晶圆的方法是采用两个电荷耦合 元件（Charge-Coupled Device，（XD)相机对晶圆进行拍摄，其中一个C⑶相机(称为(XD1 相机）用来拍摄晶圆的正面，另一个CCD相机（CCD2相机）用来拍摄晶圆的背面，具体地，通 过CCD1相机拍摄晶圆正面，可以得到晶圆正面的切割位置即纵向划分线和横向划分线；由 于晶圆具有一定的透明度，因此，通过CCD2相机拍摄晶圆背面也可以获得晶圆正面的划分 线，由此得到晶圆背面的切割位置。根据正反两面的切割位置，对晶圆进行正反两面切割， 然后再利用裂膜机进行分离。 然而，由于晶圆背面通常具有一层保护膜，采用CCD2相机拍摄背面时，所获得的 晶圆正面的划分线存在成像不清晰的问题，因而无法获得晶圆背面的精确切割位置，导致 后期进行正反面切割时精度差、质量不好。
技术实现思路
本专利技术实施例提供晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统，以提 高晶圆切割的质量。 -种切割晶圆的方法，所述方法包括： 对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像； 校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像； 通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图； 根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的 切割。 一种晶圆映射图生成方法，所述方法包括： 校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像； 通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。 -种晶圆映射图生成装置，所述装置包括： 校正模块，用于校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像； 映射图获取模块，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。 -种切割晶圆的系统，所述系统包括： 成像装置，用于对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像； 晶圆映射图生成装置，包括校正模块和映射图获取模块； 所述校正模块，用于校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像； 所述映射图获取模块，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映 射图； 切割装置，用于根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶 圆正面和反面的切割。 从上述本专利技术实施例可知，由于在切割之前只是对待切割晶圆的正面进行拍摄而 不对其反面进行拍摄，因此避免了现有技术拍摄晶圆背面所遇到的保护膜导致的问题，另 一方面，由于对晶圆正面图像进行了校正，据此所获得的晶圆映射图能够精确地反映晶圆 切割位置，正反两面的切割位置能够很好地重合，因此，根据所述切割位置对晶圆实施正面 和反面切割时能够获得较高的晶圆切割质量。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术实施例提供的切割晶圆的方法的基本流程示意图； 图2_a是本专利技术实施例提供的通过拍摄获得的晶圆正面图像示意图； 图2_b是图2_a示例的晶圆正面图像的局部放大图； 图3是本专利技术实施例提供的晶圆正面图像上两组偏角计算点不意图； 图4_a是本专利技术实施例提供的对晶圆正面图像进行校正后获得的晶圆正面校正 图像不意图； 图4_b是图4_a示例的晶圆正面校正图像的局部放大图； 图5_a是本专利技术实施例提供的对晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换获得的 投影示意图； 图5_b是本专利技术实施例提供的对晶圆正面校正图像进行y方向的投影变换获得的 投影示意图； 图6_a是本专利技术实施例提供的晶圆映射图示意图； 图6-b是图6-a示例的晶圆映射图的局部放大图； 图7是本专利技术实施例提供的晶圆映射图生成方法基本流程示意图； 图8是本专利技术实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图； 图9是本专利技术另一实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图； 图10是本专利技术另一实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图； 图11是本专利技术另一实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图； 图12是本专利技术实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图； 图13是本专利技术另一实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图； 图14是本专利技术另一实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图； 图15是本专利技术另一实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图。 【具体实施方式】 本专利技术实施例提供一种切割晶圆的方法，包括：对待切割晶圆的正面进行拍摄以 获得晶圆正面图像；校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；通过对所述晶圆 正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待 切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。本专利技术实施例还提供相应的晶圆映射图生成方法、 装置和一种切割晶圆的系统。以下分别进行详细说明。 本专利技术实施例的切割晶圆的方法的基本流程可参考图1，主要包括步骤： S101，对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像。 在本专利技术实施例中，待切割晶圆的正面进行拍摄可以采用相机，例如，CCD相机，或 者采用其他具有成像功能的装置。 S102,校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像。 如前所述，晶圆的正面具有光刻的划分线。这些划分线纵横交错，在晶圆的正面形 成一个个小方格。由于各种因素的影响，例如拍摄时的抖动，导致步骤S102获得的晶圆正 面图像上的横向划分线与水平方向存在一定的角度偏差即横向划分线与水平方向的夹角， 这一角度偏差必然对生成的晶圆映射图产生不良影响甚至会产生偏差极大的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种切割晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括：对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：舒远，王光能，周蕾，米野，高云峰，
申请(专利权)人：大族激光科技产业集团股份有限公司，深圳市大族电机科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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