内存测试方法及装置制造方法及图纸

技术编号:11305932 阅读:97 留言:0更新日期:2015-04-16 00:48
一种内存测试方法及装置,适于由电子装置测试内存。此方法先扫描用以测试内存的时钟脉冲讯号的第一波形的左右边界,以取得所述左右边界的两个交点之间的最大宽度。接着,取得内存输出的数据讯号的中央参考电压,并取得此中央参考电压与数据讯号的第二波形的左右边界的两个交点之间的数据宽度。最后,判断数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值,而当所述差值大于门槛值时,判断内存损坏。

【技术实现步骤摘要】
内存测试方法及装置
本专利技术是有关于一种测试方法及装置,且特别是有关于一种内存测试方法及装置。
技术介绍
双倍数据率(DoubleDataRate,DDR)是一种基于同步动态随机存取内存(SynchronousDynamicRandomAccessMemory,SDRAM)的革命性内存技术,其提供一种高性能、低成本的内存解决方案。由于DDRSDRAM的数据传送发生在时钟脉冲讯号的两个边沿,而SDRAM仅在时钟脉冲讯号的上升沿传送数据,因此DDRSDRAM的访问速度可达到SDRAM的两倍。与传统的SDRAM相比,DDR还具有更低的功耗。DDRSDRAM主要用于个人计算机、服务器等产品,一般是设计成双行内存模块(DualIn-LineMemoryModule,DIMM)的形式,用来插在计算机主板的内存插槽上。而为了节省配置空间及成本,近来个人计算机的设计上,逐渐采用内建(On-board)的形式将内存直接烧在主板上。然而,当此内建内存发生损坏时,由于现行做法无法判别发生错误的内存颗粒,因此只能透过硬件的方式重新上过新的内存颗粒,结果往往导致整片主板作废。
技术实现思路
本专利技术提供一种内存测试方法及装置,可在内存初始化的过程中判断内存是否损坏。本专利技术提出一种内存测试方法,适于由电子装置测试内存。此方法先扫描用以测试内存的时钟脉冲讯号(DQS)的第一波形的左右边界,以取得所述左右边界的两个交点之间的最大宽度。接着,取得内存输出的数据讯号(DQ)的中央参考电压,并取得此中央参考电压与数据讯号的第二波形的左右边界的两个交点之间的数据宽度。最后,判断数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值,而当所述差值大于门槛值时,判断内存损坏。在本专利技术的一实施例中,上述的时钟脉冲讯号包括两个差分讯号,而上述扫描用以测试内存的时钟脉冲讯号的第一波形的左右边界,以取得左右边界的两个交点之间的最大宽度的步骤包括扫描两个差分讯号的左右边界的两个交点,以取得左右边界的两个交点之间的最大宽度。在本专利技术的一实施例中,上述判断数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值的步骤更包括判断数据宽度是否大于最大宽度,其中若数据宽度大于最大宽度,则直接以数据宽度与最大宽度的差值和门槛值比较,以判断此差值是否大于门槛值;若数据宽度小于最大宽度,则计算数据宽度与最大宽度的差值的绝对值,用以和门槛值比较,以判断此差值的绝对值是否大于门槛值。在本专利技术的一实施例中,上述的内存测试方法适于在电子装置的基本输入/输出系统(BIOS)执行内存初始化时实施。在本专利技术的一实施例中,上述取得中央参考电压与数据讯号的第二波形的左右边界的两个交点之间的数据宽度,判断数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值,以判断内存是否损坏的步骤包括针对内存中多个内存颗粒,依序取得中央参考电压与各个内存颗粒输出的数据讯号的第二波形的左右边界的两个交点之间的数据宽度,并判断此数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值,而当所述差值大于门槛值时,即可判断内存颗粒损坏。本专利技术提出一种内存测试装置,其包括时钟脉冲产生器、波形扫描器、数据分析器及比较器。其中,时钟脉冲产生器耦接内存,产生用以测试内存的时钟脉冲讯号,并输出至内存。波形扫描器耦接时钟脉冲产生器,用以扫描时钟脉冲讯号的第一波形的左右边界,以取得此左右边界的两个交点之间的最大宽度。数据分析器耦接内存,用以取得内存输出的数据讯号的中央参考电压,并取得此中央参考电压与数据讯号的第二波形的左右边界的两个交点之间的数据宽度。比较器耦接波形扫描器及数据分析器,用以判断数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值,并在判断差值大于门槛值时,判断内存损坏。在本专利技术的一实施例中,上述的时钟脉冲讯号包括两个差分讯号,而上述的波形扫描器系扫描这两个差分讯号的左右边界的两个交点,以取得左右边界的两个交点之间的最大宽度。在本专利技术的一实施例中,上述的比较器更判断数据宽度是否大于最大宽度,若数据宽度大于最大宽度,则直接以数据宽度与最大宽度的差值和门槛值比较,以判断此差值是否大于门槛值,而若数据宽度小于最大宽度,则计算数据宽度与最大宽度的差值的绝对值,用以和门槛值比较,以判断此差值的绝对值是否大于门槛值。在本专利技术的一实施例中,上述的内存测试装置是在配置所述内存的电子装置的基本输入/输出系统执行内存初始化时实施内存测试。在本专利技术的一实施例中,上述的时钟脉冲产生器及数据分析器分别耦接内存的多个内存颗粒,其中,时钟脉冲产生器将时钟脉冲讯号输出至各个内存颗粒。数据分析器依序取得中央参考电压与各个内存颗粒输出的数据讯号的第二波形的左右边界的两个交点之间的数据宽度。比较器则判断数据分析器所取得的数据宽度与最大宽度的差值是否大于门槛值,并在差值大于门槛值时,判断内存颗粒损坏。在本专利技术的一实施例中,上述的门槛值为时钟脉冲讯号与数据讯号之间的偏斜的正负值或是其倍数。基于上述,本专利技术的内存测试方法及装置藉由扫描时钟脉冲波形,以获得其有效数据窗口的最大宽度,并与内存输出的数据讯号的宽度进行比较,当数据讯号的宽度溢出此最大宽度时,即判定该内存损坏。本专利技术的方式可进一步用于测试内存中的不同内存颗粒,以找出损坏颗粒以进行更换,从而降低内建此内存的主板的作废率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术一实施例所绘示的DQS讯号和DQ讯号之间偏斜的示意图。图2是依照本专利技术一实施例所绘示的DQS讯号和DQ讯号的有效数据宽度的示意图。图3是依照本专利技术一实施例所绘示的内存测试装置的方块图。图4是依照本专利技术一实施例所绘示之内存测试方法的流程图。其中,附图标记说明如下:10:内存30:内存测试装置32:时钟脉冲产生器34:波形扫描器36:数据分析器38:比较器A、B、C、D:交叉点tDQSQ:偏斜tQH:对齐延时tValid、tDQ:宽度VREF:中央参考电压S402~S412:本专利技术一实施例的内存测试方法的各步骤具体实施方式由于DDR的时钟脉冲讯号采用差分讯号(包括DQS和/DQS讯号),并以此差分讯号的交叉点(cross-point)作为数据(DQ)讯号的参考时钟脉冲。此差分信号两个边界的交叉点则定义了有效数据的宽度。另一方面,当DQS讯号和DQ讯号的斜率存在时,DQS讯号的起始交叉点与DQ讯号的起始点会存在一个有限的偏斜(skew),其称为DQS讯号和DQ讯号的偏斜(DQ-DQSskew)。举例来说,图1是依照本专利技术一实施例所绘示的DQS讯号和DQ讯号之间偏斜的示意图。请参照图1,DQS讯号的起始点(即DQS讯号和/DQS讯号的交叉点)和DQ讯号的起始点之间存在偏斜tDQSQ,而DQ讯号的第一个有效数据线和最后一个有效数据线之间存在对齐延时,此参数称为tQH。若将参数tQH减去偏斜tDQSQ,则可得到DQ讯号的有效数据宽度。本专利技术即根据上述原理,设法找出用以测试内存的时钟脉冲讯号(DQS)的最大宽度,并利用数据讯号(DQ)的中央参考电压,找出数据讯号的数据宽度,两相比较之下,当数据宽度溢出最大宽度时,则可判定数据无效,进而判定内存损坏。图2是依照本专利技术一实施例所绘示的DQS讯号和DQ讯号的有效数据宽度的示意图。请参照图2,DQS讯号和/DQS讯号的两个本文档来自技高网...
内存测试方法及装置

【技术保护点】
一种内存测试方法,适于由一电子装置测试一内存,其特征在于,该方法包括下列步骤:扫描用以测试该内存的一时钟脉冲讯号的一第一波形的左右边界,以取得该左右边界的两个交点之间的一最大宽度;取得该内存输出的一数据讯号的一中央参考电压;取得该中央参考电压与该数据讯号的一第二波形的左右边界的两个交点之间的一数据宽度;判断该数据宽度与该最大宽度的一差值是否大于一门槛值;以及当该差值大于该门槛值时,判断该内存损坏。

【技术特征摘要】
2013.10.01 TW 1021355251.一种内存测试方法,适于由一电子装置测试一内存,其特征在于,该方法包括下列步骤:扫描用以测试该内存的一时钟脉冲讯号的一第一波形的左右边界,以取得该左右边界的两个交点之间的一最大宽度;取得该内存输出的一数据讯号的一中央参考电压;取得该中央参考电压与该数据讯号的一第二波形的左右边界的两个交点之间的一数据宽度;判断该数据宽度与该最大宽度的一差值是否大于一门槛值;以及当该差值大于该门槛值时,判断该内存损坏。2.根据权利要求1的内存测试方法,其中,该时钟脉冲讯号包括两个差分讯号,而扫描用以测试该内存的该时钟脉冲讯号的该第一波形的该左右边界,以取得该左右边界的该两个交点之间的该最大宽度的步骤包括:扫描该两个差分讯号的该左右边界的该两个交点,以取得该左右边界的该两个交点之间的该最大宽度。3.根据权利要求1的内存测试方法,其中,判断该数据宽度与该最大宽度的该差值是否大于该门槛值的步骤还包括:判断该数据宽度是否大于该最大宽度;若该数据宽度大于该最大宽度,直接以该数据宽度与该最大宽度的该差值和该门槛值比较,以判断该差值是否大于该门槛值;以及若该数据宽度小于该最大宽度,计算该数据宽度与该最大宽度的该差值的一绝对值,用以和该门槛值比较,以判断该差值的该绝对值是否大于该门槛值。4.根据权利要求1的内存测试方法,其中,所述方法适于在该电子装置的一基本输入/输出系统执行该内存初始化时实施。5.根据权利要求1的内存测试方法,其中,取得该中央参考电压与该数据讯号的该第二波形的该左右边界的该两个交点之间的该数据宽度,判断该数据宽度与该最大宽度的该差值是否大于该门槛值,以判断该内存是否损坏的步骤包括:针对该内存中多个内存颗粒,依序取得该中央参考电压与各所述内存颗粒输出的该数据讯号的该第二波形的该左右边界的该两个交点之间的该数据宽度;判断该数据宽度与该最大宽度的该差值是否大于该门槛值;以及当该差值大于该门槛值时,判断该内存颗粒损坏。6.根据权利要求1的内存测试方法,其中,该门槛值...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢旻桦
申请(专利权)人:纬创资通股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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