有机电致发光器件及其制备方法技术

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属层、第一硅化物层、金属氧化物层和第二硅化物层组成，金属层材料功函数为-2.0eV～-3.5eV，第一硅化物层和第二硅化物层材料相同选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属氧化物层折射率为1.8～2.2。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属层、第一硅化物层、金属氧化物层和第二硅化物层组成，金属层材料功函数为-2.0eV～-3.5eV，第一硅化物层和第二硅化物层材料相同选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属氧化物层折射率为1.8～2.2。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。 传统的有机电致发光器件的阴极一般为银(Ag)、金(Au)等金属，制备后阴极极易渗透到有机层，对有机层造成破坏，电子在阴极附近容易淬灭，从而发光效率较低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种发光效率较高的。 —种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属层、第一硅化物层、金属氧化物层和第二硅化物层组成，金属层材料功函数为-2.0eV?-3.5eV，第一硅化物层和第二硅化物层材料相同选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属氧化物层折射率为1.8? 2.2。 金属层材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种。 所述金属氧化物层材料选自氧化镁、氧化钙、氧化锆和氧化锌中至少一种。 所述金属层厚度为5nm?20nm,第一娃化物层厚度为1nm?30nm,金属氧化物层厚度为50nm?10nm和第二娃化物层厚度为10nm?300nm。 所述发光层的材料选自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述空穴传输层的材料选自1，1-二 苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-Ν,Ν’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中的至少一种,所述电子传输层的材料选自4，7- 二苯基-1，I O-菲罗啉、I，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及 在电子注入层表面通过热阻蒸镀的方法制备金属层，金属层材料功函数为-2.0eV?-3.5eV,米用电子束蒸镀方式在所述金属层表面制备所述第一娃化物层,通过电子束蒸镀方式在所述第一硅化物层表面蒸镀制备金属氧化物层，所述金属氧化物层折射率为1.8?2.2，通过电子束蒸镀方式在所述金属氧化物层表面蒸镀所述第二硅化物层，第一娃化物层和第二娃化物层材料相同选自一氧化娃、二氧化娃和娃酸钠中至少一种。 所述金属层材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种，所述金属氧化物层材料选自氧化镁、氧化韩、氧化错和氧化锌中至少一种。 所述金属层厚度为5nm?20nm,第一娃化物层厚度为1nm?30nm,金属氧化物层厚度为50nm?10nm和第二娃化物层厚度为10nm?300nm。 所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2?lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。 所述热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa?5X 10_5Pa，工作电流为IA?3A,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ?10nm/so 上述，通过制备多层结构的阴极结构，该阴极结构层由金属层、第一硅化物层、金属氧化物层和第二硅化物层组成，金属层能够提高器件导电性，硅化合物颗粒大，可形成微透镜阵列，加强光的散射，使向两边发射的光散射回到中间，金属氧化物层可避免有机电致发光器件的全反射，提高光的透过率，最后再制备一层硅化合物层，硅化合物的折射率为1.2到1.4之间，光由高折射率金属氧化物出射到硅化合物层可发生全反射，提高光的反射能力，加强出光效率从而提高发光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的阴极结构示意图； 图3为实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率与亮度关系图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对进一步阐明。 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70。 阳极10为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、掺氟的氧化锡玻璃(FT0)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0。 空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为W03。空穴注入层20的厚度为20nm ?80nm,优选为 45nm。 空穴传输层30形成于空穴注入层20的表面。空穴传输层30的材料选自1，1_ 二苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层30的厚度为20nm?60nm，优选为25nm。 发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi )及八羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层40的厚度为5nm?40nm,优选为8nm。 电子传输层50形成于发光层40的表面。电子传输层50的材料选自4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层50的厚度为40nm?300nm,优选为150nm。 电子注入层60形成于电子传输层50表面。电子注入层60的材料选自碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种，优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm?1nm,优选为0.7nm。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属层、第一硅化物层、金属氧化物层和第二硅化物层组成，金属层材料功函数为‑2.0eV～‑3.5eV，第一硅化物层和第二硅化物层材料相同选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属氧化物层折射率为1.8～2.2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，张娟娟，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44