有机电致发光器件及其制备方法技术

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极由金属层，金属硫化物掺杂层及金属掺杂层组成，金属层材料选自银、铝、铂和金中至少一种，金属硫化物掺杂层材料包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的酞菁类金属化合物，所述金属硫化物材料选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中至少一种，所述金属掺杂层材料包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的硅化合物，所述硅化合物材料选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属材料选自银、铝、铂和金中至少一种。本发明专利技术还提供该器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极由金属层，金属硫化物掺杂层及金属掺杂层组成，金属层材料选自银、铝、铂和金中至少一种，金属硫化物掺杂层材料包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的酞菁类金属化合物，所述金属硫化物材料选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中至少一种，所述金属掺杂层材料包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的硅化合物，所述硅化合物材料选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属材料选自银、铝、铂和金中至少一种。本专利技术还提供该器件的制备方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。 传统的有机电致发光器件的阴极一般为银(Ag)、金(Au)等金属，制备后阴极极易渗透到有机层，对有机层造成破坏，电子在阴极附近容易淬灭，从而发光效率较低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种发光效率较高的。 —种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极由金属层，金属硫化物掺杂层及金属掺杂层组成，所述金属层材料选自银、铝、钼和金中其中一种，所述金属硫化物掺杂层材料包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的酞菁类金属化合物，所述金属硫化物材料选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中至少一种，所述金属掺杂层材料包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的硅化合物，所述娃化合物材料选自一氧化娃、二氧化娃和娃酸钠中至少一种，所述金属层材料选自银、招、怕和金中其中一种。 所述金属硫化物与酞菁类金属化合物的质量比为1:1?5:1,所述金属材料与所述硅化合物的质量比为2:1?10:1。 所述金属层的厚度为Inm?1nm,所述金属硫化物掺杂层的厚度为20nm?50nm,所述金属掺杂层厚度为50nm?300nm。 所述发光层的材料选自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述空穴传输层的材料选自1，1_ 二 苯基]环己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中的至少一种。 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及 在所述电子注入层的表面热阻蒸镀形成金属层，所述金属层材料选自银、铝、钼和金中至少一种，通过热阻蒸镀方式在所述金属层表面制备所述金属硫化物掺杂层，所述金属硫化物掺杂层材料包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的酞菁类金属化合物，所述金属硫化物材料选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中至少一种，通过电子束方式在所述金属硫化物掺杂层表面制备所述金属掺杂层，所述金属掺杂层材料包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的娃化合物，所述娃化合物材料选自一氧化娃、二氧化娃和娃酸钠中至少一种，所述金属材料选自银、铝、钼和金中至少一种。 所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，工作电流为IA?3A,有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?1nm/sο 所述电子束蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3Pa?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2?100W/cm2。 所述金属硫化物与酞菁类金属化合物的质量比为1:1?5:1，所述金属材料与所述硅化合物的质量比为2:1?10:1。 所述金属层的厚度为Inm?1nm,所述金属硫化物掺杂层的厚度为20nm?50nm,所述金属掺杂层厚度为50nm?300nm。 上述，通过制备多层结构的阴极，可以提高器件的出光效率，该阴极由金属层，金属硫化物掺杂层及金属掺杂层组成，金属层起到导电的作用，而金属硫化物掺杂层中的金属硫化物在可见光范围内透过率较高，可增强掺杂层的透光率，同时蒸发温度较低，容易成膜，可有效避免电子陷阱的存在，酞菁类金属化合物易结晶，结晶后使链段排列整齐，使膜层表面形成波纹状结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而不会与金属层的自由电子发生耦合(平行的自由电子会与垂直的光子耦合而损耗掉)，提高光子利用率，金属与硅化合物进行掺杂，金属提高反射，硅化合物颗粒较大，呈微球状，制备上去之后使膜层内部形成排列有序的微球结构，可加强散射，这种多层结构的阴极可有效提闻发光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的阴极结构示意图； 图3为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对进一步阐明。 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70。 阳极10为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、掺氟的氧化锡玻璃(FT0)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0。 空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为W03。空穴注入层20的厚度为20nm ?80nm,优选为 50nm。 空穴传输层30形成于空穴注入层20的表面。空穴传输层30的材料选自1，1_ 二苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层30的厚度为20nm?60nm，优选为50nm。 发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯(BCzVBi )及八羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种，优选为Alq3。发光层40的厚度为5nm?40nm,优选为35nm。 电子传输层50形成于发光层40的表面。电子传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极由金属层，金属硫化物掺杂层及金属掺杂层组成，所述金属层材料选自银、铝、铂和金中其中一种，所述金属硫化物掺杂层材料包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的酞菁类金属化合物，所述金属硫化物材料选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中至少一种，所述金属掺杂层材料包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的硅化合物，所述硅化合物材料选自一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中至少一种，所述金属层材料选自银、铝、铂和金中其中一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，张娟娟，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44