硅化钨成膜工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种硅化钨成膜工艺方法，包括如下步骤：步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理，对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫，之后进行硅化钨成膜。本发明专利技术能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括如下步骤：步骤一、提供一基片。步骤二、进行第一次加热处理以去除基片上的水汽。步骤三、进行第二次加热处理，对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时进行第一次气体吹扫。步骤四、在硅化钨成膜工艺腔中进行第二次气体吹扫，之后进行硅化钨成膜。本专利技术能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
硅化钨薄膜具有高熔点和低电阻率的优点，在大规模集成电路制造中应用广泛，常常用来改善硅和金属电极之间的欧姆接触。如MOS管的多晶硅栅极的顶部常常通过在多晶硅层顶部形成一层硅化钨来提升栅极的导电性能，MOS管的源漏极也能通过在源漏区表面形成硅化钨来降低源漏极的接触电阻。 现有硅化钨形成工艺中，一般需要在硅化钨成膜工艺前采用气态氢氟酸(VHF)来对硅表面的进行清洗以去除硅表面的自然氧化层。虽然VHF能够将自然氧化层去除，但是当多晶硅中掺杂由磷杂质时，磷会析出到多晶硅表面，并且在硅化钨成膜之前基片所处的环境中会有空气和水蒸气等存在，导致发生以下反应: 4P+502 — 2P205 ； 2P205+H20 — HPO3。 从磷(P)到五氧化二磷(P2O5)、再到偏磷酸(HPO3)，杂质颗粒会逐渐变大，但是尺寸都小于0.1微米，普通的光学检测设备很难检测得到，而现有技术中采用的VHF清洗方法却无法清洗上述杂质，所以最后在硅化钨成膜后会将上述杂质颗粒的缺陷放大，形成硅化钨鼓包，并会使器件失效。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能防止硅化钨鼓包的形成，防止器件失效。 为解决上述技术问题，本专利技术提供的包括如下步骤: 步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂。 步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽。 步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质。 步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化鹤成月旲。 进一步的改进是，步骤二中的所述第一次加热处理采用低真空气氛，所述低真空气氛的真空范围为3X 10_6托?9X 10_6托，温度为250°C ±20°C，处理时间为40秒。 进一步的改进是，步骤三中的所述第二次加热处理采用高真空气氛，所述高真空气氛的真空范围为5X10_7托?1X10_8托，温度为200°C ±20°C，处理时间为60秒；所述第一次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量80sccm。 进一步的改进是，步骤五中的所述硅化钨成膜工艺温度为200°C ±20°C;所述第二次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量为80sccm，处理时间为20秒。 本专利技术通过在硅化钨成膜工艺之前增加了两步加热处理工艺，分别用于对基片进行去水汽以及对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理，并对断键处理后的杂质进行吹除，能够实现在硅化钨成膜之前将由磷析出而形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质颗粒去除，从而能防止硅化钨鼓包的形成，防止了器件失效。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明: 图1是本专利技术实施例的工艺流程图。 【具体实施方式】 如图1所示，是本专利技术实施例的工艺流程图，本专利技术实施例包括如下步骤: 步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂。 步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽。所述第一次加热处理采用低真空气氛，所述低真空气氛的真空范围为3X10_6托?9X10_6托，温度为250V ±20°C，处理时间为40秒。 步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质。 所述第二次加热处理采用高真空气氛，所述高真空气氛的真空范围为5X10_7托?IX 10_8托，温度为200°C ±20°C，处理时间为60秒；所述第一次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量80sccm。 步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化钨成膜。所述硅化钨成膜工艺温度为200°C ±20°C;所述第二次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量为80sccm，处理时间为20秒。 本专利技术实施例通过在硅化钨成膜工艺之前增加了两步加热处理工艺，分别用于对基片进行去水汽以及对五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理，并对断键处理后的杂质进行吹除，能够实现在硅化钨成膜之前将由磷析出而形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质颗粒去除，从而能防止硅化钨鼓包的形成，防止了器件失效。 采用本专利技术实施例方法进行流片可以发现，本专利技术实施例方法所形成的硅化钨膜层中没有鼓包，能大大提高成品率。 以上通过具体实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。【权利要求】1.一种，其特征在于，包括如下步骤: 步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂； 步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽； 步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质； 步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化钨成膜。2.如权利要求1所述，其特征在于:步骤二中的所述第一次加热处理采用低真空气氛，所述低真空气氛的真空范围为3X 10_6托?9X 10_6托，温度为250V ±20°C，处理时间为40秒。3.如权利要求1所述，其特征在于:步骤三中的所述第二次加热处理采用高真空气氛，所述高真空气氛的真空范围为5X10_7托?1X10_8托，温度为200V ±20°C，处理时间为60秒；所述第一次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量80sccm。4.如权利要求1所述，其特征在于:步骤五中的所述硅化钨成膜工艺温度为200°C ±20°C ;所述第二次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量为80SCCm，处理时间为20秒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅化钨成膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂；步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽；步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质；步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化钨成膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘善善，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31